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公开(公告)号：CN101504930A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910004867.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN101447526A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810179634.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/03762 , H01L31/0725 , H01L31/1864 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法。本发明的要旨在于：在离单晶半导体衬底的一表面有小于1000nm的深度的领域中形成脆弱层，且在其一表面上形成第一杂质半导体层、第一电极。在将第一电极和支撑衬底贴合之后，以脆弱层或其附近为分离面分离单晶半导体衬底，来在支撑衬底上形成第一单晶半导体层。在第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，并进行热处理，使非晶半导体层固相外延生长来形成第二单晶半导体层。第二杂质半导体层具有与第一杂质半导体层相反的导电型，在第二单晶半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN101504930B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910004867.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN101567408A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910136910.1
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/036 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/0201 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , H02S40/34 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 所公开的本发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的本发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN102569534B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110439853.1
申请日：2011-12-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/035281 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供了一种微小电极、包括该微小电极的光电转换器件及其制造方法。在基板中形成有多个平行沟槽部分以及夹在这些沟槽部分之间的区域，并且导电树脂被提供给这些沟槽部分和该区域并且固定，由此用导电树脂来填充这些沟槽部分，并且用导电树脂来覆盖该区域。所提供的导电树脂没有向外扩展，并且可以形成具有设计宽度的电极。在夹在这些沟槽部分之间的区域上形成该电极的一部分，由此短轴方向上的横截面的面积可以是很大的，并且可以获得长轴方向上的低电阻。
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公开(公告)号：CN101567408B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910136910.1
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/036 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/0201 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , H02S40/34 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 所公开的发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN117178222A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029579.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02B27/02
Abstract: 提供一种亮度高的电子设备。电子设备包括第一显示装置、第二显示装置以及光学元件。第一显示装置包括第一发光元件，第二显示装置包括第二发光元件。从第一发光元件发射的第一光的颜色与从第二发光元件发射的第二光的颜色不同。光学元件设置在第一显示装置与第二显示装置之间。光学元件包括第一导光板和第二导光板。
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公开(公告)号：CN101877368B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201010174828.0
申请日：2010-04-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/075 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种新的光电转换装置及其制造方法。在具有透光性的基础衬底上形成具有透光性的绝缘层、中间夹着绝缘层而固定的单晶半导体层。在单晶半导体层的表层中或表面上以带状的方式设置多个具有一种导电型的第一杂质半导体层，并且以带状的方式设置多个具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，所述第二杂质半导体层与所述第一杂质半导体层彼此不重叠地交替。设置与第一杂质半导体层接触的第一电极和与第二杂质半导体层接触的第二电极，由此实现背接触型元件，得到基础衬底一侧为受光面的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101599464B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910141555.7
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76251
Abstract: 本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。
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公开(公告)号：CN101447526B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200810179634.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/03762 , H01L31/0725 , H01L31/1864 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法。本发明的要旨在于：在离单晶半导体衬底的一表面有小于1000nm的深度的领域中形成脆弱层，且在其一表面上形成第一杂质半导体层、第一电极。在将第一电极和支撑衬底贴合之后，以脆弱层或其附近为分离面分离单晶半导体衬底，来在支撑衬底上形成第一单晶半导体层。在第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，并进行热处理，使非晶半导体层固相外延生长来形成第二单晶半导体层。第二杂质半导体层具有与第一杂质半导体层相反的导电型，在第二单晶半导体层上形成第二电极。
