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公开(公告)号：CN118339661A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079448.X
申请日：2022-11-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70
摘要： 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一氧化物的第一晶体管；包括第二氧化物的第二晶体管；以及第三氧化物。第一氧化物包括第一晶体管的沟道形成区域。第二氧化物包括第二晶体管的沟道形成区域。第三氧化物包含与第一氧化物及第二氧化物相同的材料。第三氧化物与第一氧化物和第二氧化物分离。在俯视时，第三氧化物位于第一氧化物与第二氧化物之间。第三氧化物配置在与第一氧化物及第二氧化物相同的层中。
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公开(公告)号：CN116134600A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180063322.9
申请日：2021-09-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/822
摘要： 提供一种用来执行包含反铁电性元件的电路的模拟的程序。该程序为设定有反铁电性元件的等效电路模型的程序。等效电路模型的第一端子与第二端子之间具备铁电性元件、线性电阻器、第一晶体管及第二晶体管。第一端子与铁电性元件的一对电极中的一方及线性电阻器的第一端子连接，铁电性元件的一对电极中的另一方与第一晶体管的源电极和漏电极中的一个连接，第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极、第二晶体管的源电极和漏电极中的一个以及线性电阻器的第二端子连接，第二端子与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个以及第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个连接。
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公开(公告)号：CN116114019A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180062785.3
申请日：2021-09-08
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一FTJ元件及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子、第二FTJ元件的输入端子及第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管的第一端子与第三晶体管的第二端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件和第二FTJ元件中分别引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输入端子与第二FTJ元件的输出端子之间供应极化不变的程度的电压，对第二晶体管的栅极供应电位，从第二晶体管的第一端子获取对应于数据的电流或电压。
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公开(公告)号：CN115989336A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052295.5
申请日：2021-08-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23C16/40
摘要： 提供一种金属氧化物的沉积方法。本发明包括如下步骤：将第一前驱体引入到第一腔室中的第一工序；将第二前驱体引入到第一腔室中的第二工序；将第三前驱体引入到第一腔室中的第三工序；在第一工序后、第二工序后以及第三工序后都将等离子体状态的氧化剂引入到第一腔室中的第四工序；以及进行微波处理的第五工序。以进行第一至第四工序的每一个一次以上为一个循环，在多次反复一个循环之后在第二腔室中进行第五工序。第一至第三前驱体是种类互不相同的前驱体，微波处理使用氧气体及氩气体进行，金属氧化物具有结晶区域，结晶区域的c轴大致平行于金属氧化物的被形成面的法线向量或金属氧化物的表面的法线向量。
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公开(公告)号：CN114787986A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080080493.8
申请日：2020-11-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
摘要： 提供一种新颖半导体装置。该半导体装置是延伸在Z方向上的存储器串，通过将氧化物半导体用于半导体层来实现高速工作。存储器串包括MONOS型存储单元，控制栅极一侧设置有隧穿层，半导体一侧设置有阻挡层。在删除工作中从控制栅极一侧向电荷累积层注入空穴。
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公开(公告)号：CN114631145A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076080.2
申请日：2020-08-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G11C11/404 , G11C11/405 , G06F13/16 , G06F12/06
摘要： 提供一种电路面积小且功耗低的信息装置。信息处理装置包括NAND型存储部及控制器。此外，存储部包括不同块的第一串及第二串。第一串包括第一存储单元，第二串包括第二存储单元。控制器接收第一数据及包含写入第一数据的指令的信号来对第一存储单元写入第一数据。然后，控制器从第一存储单元读出第一数据来对第二存储单元写入第一数据。
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公开(公告)号：CN118613922A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380018983.9
申请日：2023-02-03
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
摘要： 提供一种可进行微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置，包括：第一导电体、第二导电体、第一绝缘体、第一绝缘体上的第一晶体管、第一晶体管上的第二绝缘体。第一晶体管包括第一金属氧化物、分别与第一金属氧化物电连接的第三导电体及第四导电体、第一金属氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第五导电体。第五导电体的顶面包括与第二绝缘体接触的区域。第一导电体包括位于第一绝缘体的开口的内侧的部分、与第三导电体的侧面接触的区域、位于第二绝缘体的开口的内侧的部分。第二导电体包括与第四导电体的顶面接触的区域、位于第二绝缘体的开口的内侧的部分。第一导电体的顶面高度与第二导电体的顶面高度一致或大致一致。
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公开(公告)号：CN111788697B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980016069.4
申请日：2019-02-21
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H10B41/00 , H10B43/00
摘要： 提供一种抑制特性波动、元件劣化、形状异常或导致绝缘击穿的带电现象的半导体装置。一种半导体装置，在同一平面上包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括晶体管，第二区域包括伪晶体管，晶体管包括第一布线层、配置在第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在半导体层的上方的第二布线层及配置在第二布线层的上方的第三布线层，并且，伪晶体管的面积与选自第一布线层、第二布线层、半导体层及第三布线层中之一个或多个相同。
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公开(公告)号：CN117321761A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280034038.3
申请日：2022-04-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L25/065 , H10B80/00
摘要： 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：设置有具有驱动第一存储单元的功能的第一外围电路的第一衬底；以及包括第二衬底及具有第一存储单元的第一元件层的第一存储单元层。第一存储单元包括第一晶体管及第一电容器。第一晶体管包括沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。第一存储单元层在垂直或大致垂直于第一衬底的表面的方向上层叠设置于第一衬底上。第二衬底包括用来进行第一存储单元中的数据写入或读出的电路。第一外围电路与第一存储单元通过设置在第二衬底及第一元件层中的第一贯通电极电连接。
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公开(公告)号：CN117280467A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280034039.8
申请日：2022-04-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/088
摘要： 提供一种能够进行多点测量的半导体装置。半导体装置包括第一层及第一层上的第二层。第一层包括第一复用器、第二复用器、与第一复用器电连接的m个(m为1以上的整数)模拟开关、与第二复用器电连接的n个(n为1以上的整数)模拟开关，第二层包括m×n个晶体管。m个模拟开关都与n个晶体管电连接，n个模拟开关都与m个晶体管电连接。
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