-
公开(公告)号：CN113678572A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080028260.3
申请日：2020-04-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种寿命长的发光器件。提供一种可靠性高的发光器件。该发光器件中依次层叠有第一电极、第一发光层、第一层、第二层、第三层、第二发光层以及第二电极。第一层包含第一有机化合物及第一物质。第二层包含第二有机化合物。第三层包含第二物质。第一有机化合物是电子传输材料。第一物质是金属盐、金属氧化物或有机金属盐。第二有机化合物是电子传输材料。第二物质是电子注入材料。第一物质在第二层中的浓度低于在第一层中的浓度。
-
公开(公告)号：CN115719570A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211465529.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/302 , G09F9/33 , G09F9/35 , G09F9/37 , G02B26/02 , H05B33/12 , H05B33/02 , H05B33/06
Abstract: 显示面板包括多个发光元件。来自第一发光元件的发光的CIE1931色度坐标x大于0.680且为0.720以下，CIE1931色度坐标y为0.260以上且0.320以下。来自第二发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.130以上且0.250以下，CIE1931色度坐标y大于0.710且为0.810以下。在来自第三发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.120以上且0.170以下，CIE1931色度坐标y为0.020以上且小于0.060。
-
公开(公告)号：CN110073511A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201780077274.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有高发光效率的可靠性高的发光元件。发光元件包括含有第一有机化合物及客体材料的发光层。上述第一有机化合物具有取代或未取代的咔唑骨架。在上述发光层中，上述第一有机化合物中的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的烃基取代物的相对于第一有机化合物的重量比大于0且为0.1以下。
-
公开(公告)号：CN109952814A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780070753.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 显示面板包括多个发光元件。来自第一发光元件的发光的CIE1931色度坐标x大于0.680且为0.720以下，CIE1931色度坐标y为0.260以上且0.320以下。来自第二发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.130以上且0.250以下，CIE1931色度坐标y大于0.710且为0.810以下。在来自第三发光元件的发光的CIE1931色度坐标x为0.120以上且0.170以下，CIE1931色度坐标y为0.020以上且小于0.060。
-
公开(公告)号：CN118159088A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410266723.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/35 , H10K59/12 , H10K59/80 , H10K50/805
Abstract: 本发明提供一种视角宽的显示装置。提供一种实现广色域的显示的显示装置。一种包括第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的显示装置。各发光元件包括一对电极及发光层。一对电极的一个包括反射电极，另一个包括半透射·半反射电极。各发光元件的发光层互不相同。第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下。第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下。第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是第一峰值波长和第二峰值波长之间的波长。关于一对电极间的距离，第一发光元件最长，第二发光元件第二长。
-
公开(公告)号：CN108598107B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810163989.6
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种视角宽的显示装置。提供一种实现广色域的显示的显示装置。一种包括第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的显示装置。各发光元件包括一对电极及发光层。一对电极的一个包括反射电极，另一个包括半透射·半反射电极。各发光元件的发光层互不相同。第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下。第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下。第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是第一峰值波长和第二峰值波长之间的波长。关于一对电极间的距离，第一发光元件最长，第二发光元件第二长。
-
公开(公告)号：CN110073511B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201780077274.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有高发光效率的可靠性高的发光元件。发光元件包括含有第一有机化合物及客体材料的发光层。上述第一有机化合物具有取代或未取代的咔唑骨架。在上述发光层中，上述第一有机化合物中的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的烃基取代物的相对于第一有机化合物的重量比大于0且为0.1以下。
-
公开(公告)号：CN111183709A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880059333.8
申请日：2018-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种光提取效率高的发光元件。在一对电极之间包括发光层的发光元件中，在发光层和阳极之间或在发光层和阴极之间包括含有有机化合物及无机化合物的低折射率层，从发光层提取的光的波长下的低折射率层的折射率为1.80以下。
-
公开(公告)号：CN117715451A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311459457.4
申请日：2018-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种光提取效率高的发光元件。在一对电极之间包括发光层的发光元件中，在发光层和阳极之间或在发光层和阴极之间包括含有有机化合物及无机化合物的低折射率层，从发光层提取的光的波长下的低折射率层的折射率为1.80以下。
-
公开(公告)号：CN111183709B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880059333.8
申请日：2018-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种光提取效率高的发光元件。在一对电极之间包括发光层的发光元件中，在发光层和阳极之间或在发光层和阴极之间包括含有有机化合物及无机化合物的低折射率层，从发光层提取的光的波长下的低折射率层的折射率为1.80以下。(56)对比文件JP 2004004610 A,2004.01.08JP 2004079422 A,2004.03.11JP 2006135101 A,2006.05.25JP 2007036175 A,2007.02.08US 2014131680 A1,2014.05.15US 2015008409 A1,2015.01.08US 2015041795 A1,2015.02.12US 2015287928 A1,2015.10.08
