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公开(公告)号：CN100477240C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200410083451.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/14609 , H01L27/14665 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。
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公开(公告)号：CN1052564C
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN94102771.6
申请日：1994-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L27/1277 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。
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公开(公告)号：CN87106283A
公开(公告)日：1988-03-23
申请号：CN87106283
申请日：1987-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/0245 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/482 , C23C16/488 , C23C16/517 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/31608 , H01L21/31612 , Y10S148/017 , Y10S148/043 , Y10S148/045 , Y10S438/905
Abstract: 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。
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公开(公告)号：CN102683386A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210058573.0
申请日：2012-02-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/10873 , H01L27/1156 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1113409C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN98103874.3
申请日：1994-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
CPC classification number: H01L27/1277 , Y10S148/016 , Y10S438/982
Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。
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公开(公告)号：CN1108804A
公开(公告)日：1995-09-20
申请号：CN94109084.1
申请日：1994-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1277 , Y10S148/016 , Y10S438/982
Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同，从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。
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公开(公告)号：CN1612351A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410083451.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/14609 , H01L27/14665 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。
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公开(公告)号：CN102683386B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201210058573.0
申请日：2012-02-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/10873 , H01L27/1156 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1054942C
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN94109084.1
申请日：1994-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC: H01L21/00 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1277 , Y10S148/016 , Y10S438/982
Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进行确定TFT的性能。
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公开(公告)号：CN1206225A
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：CN98103874.3
申请日：1994-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1277 , Y10S148/016 , Y10S438/982
Abstract: 一种有源矩陈和液晶显示器,其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT,其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说,令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。
