-
公开(公告)号：CN111384161B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201911147141.5
申请日：2019-11-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 高桥新之助
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供了适合于减少基极电阻以及基极集电极间结电容并能够实现高频区域中的性能改善的双极晶体管。在基板上的基极台面上配置发射极台面以及基极电极。基极电极上的基极布线经过基极开口与基极电极连接。发射极台面包括具有在一个方向上较长的平面形状的多个发射极指。发射极指包括第一、第二发射极指，基极开口从第一发射极指的一个端部在长边方向上拉开间隔地配置，而未被配置于使第二发射极指在长边方向上延长的区域。第二发射极指的基极开口侧的端部比第一发射极指的基极开口侧的端部更向长边方向突出。
-
公开(公告)号：CN118369766A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081611.6
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管和半导体装置。形成有台面结构，该台面结构包含层叠在基板上的集电极层、基极层以及发射极层。在台面结构上配置有与发射极层电连接的发射极电极。并且，在台面结构上配置有与基极层电连接的基极电极。集电极电极配置为在俯视时包围台面结构，集电极电极与集电极层电连接。发射极电极包含第一部分和第二部分。在俯视时，基极电极包围发射极电极的第一部分，发射极电极的第二部分包围基极电极。
-
公开(公告)号：CN111725207A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010195743.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
-
公开(公告)号：CN111384161A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911147141.5
申请日：2019-11-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 高桥新之助
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供了适合于减少基极电阻以及基极集电极间结电容并能够实现高频区域中的性能改善的双极晶体管。在基板上的基极台面上配置发射极台面以及基极电极。基极电极上的基极布线经过基极开口与基极电极连接。发射极台面包括具有在一个方向上较长的平面形状的多个发射极指。发射极指包括第一、第二发射极指，基极开口从第一发射极指的一个端部在长边方向上拉开间隔地配置，而未被配置于使第二发射极指在长边方向上延长的区域。第二发射极指的基极开口侧的端部比第一发射极指的基极开口侧的端部更向长边方向突出。
-
公开(公告)号：CN119452568A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050116.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 钳位电路连接在高频信号所通过的节点与接地电位之间。钳位电路具备连接为多级的多个钳位元件。多个钳位元件中的每一个若被施加上升沿电压以上的电压则导通。多个钳位元件中的至少一个由包含双极晶体管和连接在基极‑集电极间的基极‑集电极间电阻元件的电阻连接型晶体管构成。
-
公开(公告)号：CN112531022B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010985508.7
申请日：2020-09-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L23/34
Abstract: 本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
-
公开(公告)号：CN114520224A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111273521.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种包含多个半导体元件，且适合小型化的半导体装置。在基板的一个面上在一个方向上排列配置多个晶体管，各晶体管相互并联连接。多个晶体管分别包含从基板侧开始依次层叠的集电极层、基极层以及发射极层。在多个晶体管中相互相邻的两个晶体管之间的区域中的至少一个区域分别配置有无源元件。在多个晶体管中的每个晶体管的集电极层与基板之间配置有与集电极层电连接的集电极电极。
-
公开(公告)号：CN108735812B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201810373479.1
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供一种能使漏电流降低的半导体装置。配置于半导体基板上的半导体层包括活性区域和在俯视时包围活性区域的元件隔离区域。在活性区域形成有场效应晶体管。彼此分离的多个保护环电极经由元件隔离区域对活性区域的电位造成影响。在半导体层、场效应晶体管以及保护环电极上形成有层间绝缘膜。形成于层间绝缘膜上的保护环连接布线对多个保护环电极进行相互电连接。
-
公开(公告)号：CN111725207B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010195743.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
-
公开(公告)号：CN114639723A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111533698.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L27/06 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够抑制形成在发射极与基极之间的寄生电容的功率放大器。功率放大器是具有基板、和在基板的主面依次层叠的发射极层、基极层及集电极层的功率放大器，具有：绝缘物，与发射极层相邻地设置；发射极电极，设置在发射极层及绝缘物与基板之间；基极电极，与基极层电连接；以及集电极电极，与集电极层电连接，在与基板的主面垂直的方向上，在基板与基极电极之间设置有发射极电极、绝缘物以及基极层。
