公开(公告)号：CN104779291A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510016305.6

申请日：2015-01-13

Applicant: 株式会社索思未来

Inventor： 松浦克好 ,  有吉润一

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0738 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供了一种半导体集成电路装置及其制造方式。该装置包括第一绝缘栅极晶体管，其包括：第一导电类型的第一阱区、第一栅电极、第一导电类型的第一沟道掺杂区、第二导电类型的第一延伸区、第一源极区和第二源极区以及第二导电类型的第一镇流电阻，该第一镇流电阻的峰值杂质浓度低于第一延伸区的峰值杂质浓度，并且第一镇流电阻的深度大于第一延伸区的深度。采用本申请的方案，使得由镇流电阻引起的泄露电流减少，同时，泄露电流的不一致性减小。并且，使该镇流电阻的峰值杂质浓度小于延伸区中的峰值杂质浓度，并且镇流电阻的深度大于延伸区的深度。