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公开(公告)号：CN105008877A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010005.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 红外线传感器的制造方法包括下述工序：在第1区域上形成温差电堆支撑层的工序；在其上表面上形成温差电堆(24)的工序；然后，在第2区域上形成电路元件的工序；以覆盖所述第1和第2区域的方式形成上部层(41)的工序；将上部层(41)向下挖到中途的工序；通过进一步将上部层(41)向下挖而形成蚀刻孔(38)的工序；以及经过蚀刻孔(38)对半导体基板(1)的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和温差电堆(24)从半导体基板(1)悬起，由此形成传感器部(2)的工序。传感器部(2)的上表面(2u)位于比所述第2区域中的上部层(41u)的上表面低的位置。
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公开(公告)号：CN107925748A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201780002917.7
申请日：2017-02-21
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04N7/18 , A61B5/107 , A61G12/00 , G06T1/00 , G06T7/60 , G08B21/02 , G08B25/00 , G08B25/04 , G09G5/00
Abstract: 显示控制装置(10)具有图像获取部(11)、姿势推定部(12)、控制部(13)。图像获取部(11)获取由设置在室内的红外线阵列传感器(21a、21b)检测的红外线图像(G1)。姿势推定部(12)基于图像获取部(11)中获取的红外线图像(G1)，推定在室内(30)的被护理者(P1)的姿势。控制部(13)控制显示装置(22)，使得虚拟图像(D1)叠加显示在红外线图像(G1)上，该虚拟图像(D1)简易地示出姿势推定部(12)中推定的被护理者(P1)的姿势。
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公开(公告)号：CN106413545A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580022460.7
申请日：2015-04-22
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 公立大学法人兵库县立大学
CPC classification number: G06T7/0012 , A61B5/107 , A61B5/11 , A61B5/1115 , A61B5/1116 , A61B5/1117 , G06K9/00335 , G06K9/00362 , G06K9/4604 , G06K9/52 , G06K2009/4666 , G06T7/60 , G06T2207/10048 , G06T2207/30004
Abstract: 图像取得部(15)取得来自设置于室内的图像传感器(2、3)的图像数据。存储部(6)存储表示人体的姿势的转变模型的信息、和表示转变模型中的各个姿势下的图像数据的检查区域的检查信息。姿势估计部(5)参照表示转变模型的信息和检查信息，计算图像数据的检查区域中的统计量，并基于统计量，根据之前时刻的人体的姿势，估计当前时刻的人体的姿势。
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公开(公告)号：CN106413545B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580022460.7
申请日：2015-04-22
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 公立大学法人兵库县立大学
CPC classification number: G06T7/0012 , A61B5/107 , A61B5/11 , A61B5/1115 , A61B5/1116 , A61B5/1117 , G06K9/00335 , G06K9/00362 , G06K9/4604 , G06K9/52 , G06K2009/4666 , G06T7/60 , G06T2207/10048 , G06T2207/30004
Abstract: 图像取得部(15)取得来自设置于室内的图像传感器(2、3)的图像数据。存储部(6)存储表示人体的姿势的转变模型的信息、和表示转变模型中的各个姿势下的图像数据的检查区域的检查信息。姿势估计部(5)参照表示转变模型的信息和检查信息，计算图像数据的检查区域中的统计量，并基于统计量，根据之前时刻的人体的姿势，估计当前时刻的人体的姿势。
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公开(公告)号：CN106416237A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580005315.8
申请日：2015-02-13
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: A61B5/1117 , A61B5/0059 , A61B5/0075 , A61B5/0077 , A61B5/1115 , A61B5/1128 , A61B5/6889 , A61B5/7282 , A61B2503/08 , A61B2576/00 , G06K9/00771 , G06T7/254 , G06T2207/30196 , G06T2207/30232 , G08B21/043 , G08B21/0476 , H04N7/18
Abstract: 位置确定部(4)根据上方摄像数据和侧方摄像数据确定监视对象者的水平方向的位置和铅直方向的最高位置，该上方摄像数据是通过由设置在监视区域的上方的上方图像传感器(2)拍摄监视区域而得到的，该侧方摄像数据是通过由设置在监视区域的侧方的侧方图像传感器(3)拍摄监视区域而得到的。动作判定部(5)根据水平方向的位置和铅直方向的最高位置，判定与监视对象者的摔倒相关的动作状态。
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公开(公告)号：CN105008876A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009824.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: G01J5/12 , G01J5/023 , G01J5/046 , G01J2005/123
Abstract: 红外线传感器(101)具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部(3)；以及传感器部(2)，其以将传感器开口部(3)的内周的第1部位(61)和第2部位(62)之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿传感器开口部(3)。传感器部(2)在真空中被密封。传感器部(2)的中央部(4)被配置为能够接受来自观测对象的红外线。传感器部(2)具有将中央部(4)与第1部位(61)及第2部位(62)之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。
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公开(公告)号：CN107925748B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201780002917.7
申请日：2017-02-21
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04N7/18 , H04N5/33 , A61B5/107 , A61G12/00 , G06T1/00 , G06T7/60 , G08B21/02 , G08B25/00 , G09G5/00
Abstract: 显示控制装置(10)具有图像获取部(11)、姿势推定部(12)、控制部(13)。图像获取部(11)获取由设置在室内的红外线阵列传感器(21a、21b)检测的红外线图像(G1)。姿势推定部(12)基于图像获取部(11)中获取的红外线图像(G1)，推定在室内(30)的被护理者(P1)的姿势。控制部(13)控制显示装置(22)，使得虚拟图像(D1)叠加显示在红外线图像(G1)上，该虚拟图像(D1)简易地示出姿势推定部(12)中推定的被护理者(P1)的姿势。
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公开(公告)号：CN106416237B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201580005315.8
申请日：2015-02-13
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 本发明提供监视装置、监视系统、监视方法，位置确定部(4)根据上方摄像数据和侧方摄像数据确定监视对象者的水平方向的位置和铅直方向的最高位置，该上方摄像数据是通过由设置在监视区域的上方的上方图像传感器(2)拍摄监视区域而得到的，该侧方摄像数据是通过由设置在监视区域的侧方的侧方图像传感器(3)拍摄监视区域而得到的。动作判定部(5)根据水平方向的位置和铅直方向的最高位置，判定与监视对象者的摔倒相关的动作状态。
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公开(公告)号：CN105008876B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480009824.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: G01J5/12 , G01J5/023 , G01J5/046 , G01J2005/123
Abstract: 红外线传感器(101)具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部(3)；以及传感器部(2)，其以将传感器开口部(3)的内周的第1部位(61)和第2部位(62)之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿传感器开口部(3)。传感器部(2)在真空中被密封。传感器部(2)的中央部(4)被配置为能够接受来自观测对象的红外线。传感器部(2)具有将中央部(4)与第1部位(61)及第2部位(62)之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。
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公开(公告)号：CN105008877B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480010005.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 红外线传感器的制造方法包括下述工序：在第1区域上形成温差电堆支撑层的工序；在其上表面上形成温差电堆(24)的工序；然后，在第2区域上形成电路元件的工序；以覆盖所述第1和第2区域的方式形成上部层(41)的工序；将上部层(41)向下挖而形成蚀刻孔(38)的工序；以及经过蚀刻孔(38)对半导体基板(1)的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和温差电堆(24)从半导体基板(1)悬起，由此形成传感器部(2)的工序。传感器部(2)的上表面(2u)位于比所述第2区域中的上部层(41u)的上表面低的位置。(41)向下挖到中途的工序；通过进一步将上部层
