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公开(公告)号：CN106785916B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710108949.7
申请日：2017-02-27
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及电吸收调制激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器及其制造方法。其中所述激光器部分的衬底上刻制有光栅结构，所述光栅结构的两侧制作有选择生长图形，所述选择生长图形上和电吸收调制器部分中对应延伸自所述生长图形区域外延生长有多量子阱有源区；其中，所述多量子阱有源区呈台面结构；所述激光器部分和电吸收调制器部分还包括掺铁InP层、n型InP层、P型InP包层和P型掺杂InP欧姆接触层；所述n型InP层和P型InP包层各自分别位于所述台面结构的两侧。本发明实施例不仅通过所述掺铁InP层实现了光场限制，改善芯片的远场发散角特性；而且，掺铁掩埋还能有效提高调制器高速频响特性。
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公开(公告)号：CN106207752A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610787924.X
申请日：2016-08-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/12 , H01S5/223 , H01S5/343
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种Si基大功率激光器及其制备方法。其中，制造方法包括在Si衬底上刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层，其中，第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度；在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层；在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层，完成激光器外延工艺。本发明采用图形沟槽衬底、高深宽比限制和低温低压生长多层缓冲层结构，有效的解决了Si/InP的晶格失配位错的产生和反相畴在垂直方向上向外延层的延伸，从而得到高质量的InP外延层和激光器结构。
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公开(公告)号：CN106207751B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610845797.4
申请日：2016-09-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基于光学介质膜钝化的垂直腔面激光器及其制备方法。其中本发明在于利用光学介质膜作为DBR反射镜材料，并且作为激光器腔面的钝化介质膜。光学介质膜取代传统的DBR反射膜，能有效的降低垂直腔激光器的串联电阻、吸收损耗和界面损耗，从而改善激光器的热特性。光学介质膜同样是很好的电介质薄膜，用它来做激光器的表面钝化，既简化了工艺，节省了钝化成本，又能有效的保护激光器的腔面，改善激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106444296B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610932799.7
申请日：2016-10-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及激光器光刻技术领域，提供了一种基于微纳结构的光刻方法。所述方法包括根据光刻的图案和微纳材料，设定激光器；动态调整激光器的光功率和/或脉冲时间；选择第一腐蚀剂，刻蚀微纳材料层中晶化区域；选择第二腐蚀剂，刻蚀沉积态的微纳材料和基座，在基座上形成相应三维图形。本发明实施例利用基于微纳材料(也称为相变材料)的热光刻技术实现了一种快速制备三维微纳结构的方法，能够实现连续作业，性价比高，操作简单，对环境要求宽松，并且可以在系统上增加微透镜阵列以增加产出率，实用性强。
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公开(公告)号：CN106654856A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710113863.3
申请日：2017-02-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18313
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面激光器及其制作方法。该激光器衬底1、N型分布布拉格反射镜组2、有源区3、氧化限制层4、P面电极5、光学膜6、第二光栅层7和BCB钝化层8；其中，所述氧化限制层4上设置有通过氧化形成的第一光栅；所述P型分布布拉格反射镜组6的出光面上刻蚀制作有第二光栅。本发明实施例通过氧化形成的第一光栅的引入，实现有源区电流的各向异性注入，有效的缓解载流子注入各向同性所带来的各种问题，如空间烧孔现象等，同时第二光栅的引入进一步的缓解输出光的多模和散射问题，实现在颈向的自聚偏振光输出。
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公开(公告)号：CN106253055B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610742142.4
申请日：2016-08-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/34
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于侧向P‑I‑N结构的电吸收激光器及其制造方法。其中，调制器和激光器生长于同一衬底上，激光器的量子阱区是由一个或者多个量子阱垂直叠加生长而成；调制器的量子阱区是由一个或者多个量子阱侧向叠加生长而成，其中，调制器的量子阱区在垂直方向上的各量子阱宽度和激光器的量子阱区在垂直方向上的各量子阱叠加高度相同；调制器的P电极接触层和N电极接触层位于调制器的量子阱区的左右两侧，与调制器的量子阱区构成侧向P‑I‑N结构。本发明的调制器采用侧向P‑I‑N结构，其供电方式为侧向供电，避免了衬底参与到电流注入过程，因此，可以有效的减少寄生电容的产生，改善调制带宽。
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公开(公告)号：CN108089351A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711325585.4
申请日：2017-12-13
申请人： 武汉电信器件有限公司 , 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明涉及一种电极制作方法，属于光通信技术领域，具体是涉及一种用于光波导加热电极的制作方法。本发明利用双靶共溅射以及金属剥离技术在SiO2光波导上形成TixWyNz加热电极，将所述的TixWyNz图形放入400℃的N2环境退火4小时，随后二次利用溅射金属剥离技术制作出导电电极。相比传统的Ti加热电极，本发明利用双靶反应溅射法制作的TixWyNz加热电极有较高的电阻率高、较低的电阻温度系数和可调控的应力，从而减小了光波导芯片尺寸，提高了光波导芯片的热稳定性。
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公开(公告)号：CN106207751A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610845797.4
申请日：2016-09-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/187
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基于光学介质膜钝化的垂直腔面激光器及其制备方法。其中本发明在于利用光学介质膜作为DBR反射镜材料，并且作为激光器腔面的钝化介质膜。光学介质膜取代传统的DBR反射膜，能有效的降低垂直腔激光器的串联电阻、吸收损耗和界面损耗，从而改善激光器的热特性。光学介质膜同样是很好的电介质薄膜，用它来做激光器的表面钝化，既简化了工艺，节省了钝化成本，又能有效的保护激光器的腔面，改善激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106099639A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610740283.2
申请日：2016-08-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： H01S5/125
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种多波长阵列激光器及其制造方法和使用方法。所述激光器包括至少两个DBR激光器，DBR激光器包括有源区结构和光栅区结构，DBR激光器的光栅区结构包括一个或者多个光栅区，各光栅区相隔指定长度；其中，采用具有相同光栅周期的光栅构成各DBR中的光栅区；在各DBR激光器中，由各自的一光栅区长度和相应光栅区相隔的一指定长度所构成的取样长度值，是根据该DBR激光器所要激射的波长所确定。本发明通过对光栅进行不同周期的取样制作，使得不同DBR激光器的激射波长不同，实现低成本的多波长阵列激光器，通过取样光栅设计及有源区设计，可以使得激光器阵列中各个激光器性能具备高度的一致性。
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公开(公告)号：CN106654856B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710113863.3
申请日：2017-02-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面激光器及其制作方法。该激光器衬底1、N型分布布拉格反射镜组2、有源区3、氧化限制层4、P面电极5、光学膜6、第二光栅层7和BCB钝化层8；其中，所述氧化限制层4上设置有通过氧化形成的第一光栅；所述P型分布布拉格反射镜组6的出光面上刻蚀制作有第二光栅。本发明实施例通过氧化形成的第一光栅的引入，实现有源区电流的各向异性注入，有效的缓解载流子注入各向同性所带来的各种问题，如空间烧孔现象等，同时第二光栅的引入进一步的缓解输出光的多模和散射问题，实现在颈向的自聚偏振光输出。
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