公开(公告)号：CN108508014A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810272335.7

申请日：2018-03-29

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 李华青 ,  刘智敏

IPC分类号： G01N21/84 ,  G01N21/88 ,  G01N21/956

摘要： 本发明提供了一种光阻涂覆性能的检测方法，将涂覆了光阻的衬底放置进光刻机中，所述光刻机的对准系统检测所述图形的灰阶度，得到所述图形的灰阶度波形，再对所述灰阶度波形进行一阶求导，以得到所述灰阶度波形的一阶倒数波形，再通过所述一阶倒数波形能够得到所述衬底的对比度，所述衬底的对比度能够整体反应出所述衬底上涂覆的光阻的好坏，进而判断所述衬底上涂覆的光阻是否合格，由于所述图形的灰阶度是由所述光刻机提供的，而在所述衬底上涂覆光阻后必然是需要通过所述光刻机进行曝光的，在不增加工艺流程及时间的基础上，能够及时的检测出所述衬底上涂覆的光阻是否有缺陷，进而避免了产品报废，提高了器件的良率。

公开(公告)号：CN105336637A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510615736.4

申请日：2015-09-24

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 刘智敏

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： 本发明提出了一种量测晶圆变形的方法，通过监测晶圆上对准图形在热处理后的变形量，来表征热处理制程前后的晶圆形变，达到对热处理制程形变参数监测的目的，从而能够判断晶圆在热处理后的变形程度，使热处理对晶圆造成形变处于可控的范围。

公开(公告)号：CN104167375A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410400727.9

申请日：2014-08-14

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 刘智敏

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： 本发明涉及半导体缺陷分析领域，尤其涉及一种量测宽度的方法，该方法应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，首先在EBR/WEE交界区域选取若干厚度量测点，然后对这些厚度量测点进行测量，由第一个厚度达到正常值的位置坐标计算出该量测点距离晶边的距离，这个距离就是EBR/WEE在所选区域的量测值。该方法操作简单，操作性低，两侧结果重复性高，误差较小，且量测结果可实时经由统计过程控制系统管控。

公开(公告)号：CN107748484A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201711176226.7

申请日：2017-11-22

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 刘智敏

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70558 ,  G03F7/70616

摘要： 本发明提供一种最小曝光能量的测量方法，测量方法包括：步骤S1、提供一晶圆，于晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个区域分别对应一唯一的时间段；步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的光阻层进行显影，以形成对应每个区域的图形；步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个时间段的图形，并处理得到每个时间段和相应的图形的对应关系及最小曝光能量。本发明的有益效果：无需曝光机支持即可得到光刻胶的最小曝光能量，根据得出的最小曝光能量能够优化硅片边缘曝光制程的照明条件，从而避免光刻胶残留的产生。