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公开(公告)号：CN117865057A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311260035.4
申请日：2023-09-27
申请人： 浙江大学 , 浙江大学绍兴研究院 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种反射型原子气室制作方法及其光路结构，设计的气室结构属于双腔室结构，在硅片中湿法腐蚀形成存储腔室和光学腔室，两腔室之间由沟道连接，碱金属释放剂填充入存储腔室中，通过与玻璃片阳极键合实现密封，为提高反射率，在光学腔反射侧壁上溅射金属。之后，基于该气室结构设计了一种光路结构，激光器射出的激光由第一反射镜调整，射入探测器的激光由第二反射镜调整，射入和射出气室的激光由反射棱镜调整。与传统的透射型气室相比，反射型气室极大地延长了光与原子相互作用的距离，使其不受硅片厚度的限制，改善了原子器件的灵敏度和稳定性。
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公开(公告)号：CN116835521A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310893480.8
申请日：2023-07-20
申请人： 浙江大学 , 浙江大学绍兴研究院 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC分类号： B81B7/02 , B81B7/00 , B81C1/00 , G01P15/125
摘要： 本发明公开了一种低噪声MEMS加速度计，通过大尺寸质量块、多组串联折叠梁、带空腔的上下玻璃盖板结构，增大了敏感质量、降低了谐振频率、提高了品质因子，实现了低热机械噪声的加速度计；同时，本发明提出的基于三角形电极的位移‑电容传感阵列，优化了单位面积内的电极排布方式，提高了电容传感灵敏度。本发明通过深反应离子刻蚀技术实现了低噪声的质量‑弹簧振子结构，通过热压键合和胶键合的方式实现了玻璃‑硅‑玻璃的三明治加速度计结构，提高了MEMS加速度计的性能。
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公开(公告)号：CN112596158A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011526413.5
申请日：2020-12-22
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本发明公开了一种硅基磁光非互易脊形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：脊形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的脊形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易脊形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI脊形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN111487717A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386136.6
申请日：2020-05-09
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN117446743A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311183867.0
申请日：2023-09-14
申请人： 浙江大学 , 浙江大学绍兴研究院 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于MEMS技术的芯片级碱金属原子气室及制作方法，原子气室是通过玻璃‑硅‑玻璃三层密封形成的长方体结构，硅与玻璃均通过阳极键合密封连接，在硅表面刻蚀有矩形凹槽结构，在凹槽结构中开设有两个圆形通孔结构分别作为原子气室的第一腔室和第二腔室，第一腔室用于存放可以通过化学反应生成碱金属原子的反应物，第一腔室和第二腔室之间通过凹槽结构连通。本发明旨在提供一种基于MEMS技术的芯片级碱金属原子气室的制作方法，实现对任意深度硅通孔结构的加工，弥补采用MEMS湿法或干法加工工艺制作原子气室时在深硅通孔结构加工上的不足，并且这种制作方法制作成本低、通用性强，还能实现原子气室的小型化批量生产。
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公开(公告)号：CN113391396B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110637036.0
申请日：2021-06-08
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC分类号： G02B6/134
摘要： 本发明公开了一种在玻璃基片背面采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括：将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层；通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理，在背面带有内阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的内阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。
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公开(公告)号：CN116393183A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310245299.6
申请日：2023-03-15
申请人： 浙江大学 , 浙江大学绍兴研究院 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于声子晶体结构进行粒子分选的微流控装置，其包括压电叉指换能器结构，使用超声耦合胶粘接在压电叉指换能器结构上层的声子晶体结构，声子晶体结构包围的体声波反射区域，体声波反射区域内的微流道结构，微流道结构上方的封装层，封装层内的一个微流道入口和三个微流道出口。本发明公开了基于声子晶体结构进行粒子分选的微流控装置，具有高通量和低剪切力的特点，大量分选的同时不会损伤分选样本中微粒的生物活性。本发明中，仅使用单个声波的激励装置即压电叉指换能器结构实现粒子分选，然后使用超声波耦合胶将上层的声子晶体结构粘接在压电叉指换能器上，有效控制声波的同时减少了叉指换能器的数量。
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公开(公告)号：CN112596157A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011526381.9
申请日：2020-12-22
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN112596157B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011526381.9
申请日：2020-12-22
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN117192632A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311079533.9
申请日：2023-08-25
申请人： 浙江大学 , 浙江大学绍兴研究院 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种对称式MEMS重力仪的加工方法，其中包括中心质量块、外边框、一组正刚度屈曲梁和一组负刚度屈曲梁。屈曲梁一端连接中心质量块，另一端连接外边框，外边框为屈曲梁提供固定支撑，中心质量块受外界加速度作用产生相对于外边框的位移，外边框可限制中心质量块的位移范围。两组屈曲梁采用正负刚度补偿原理，使对称式MEMS重力仪具有准零刚度特性和极低的谐振频率。对称式MEMS重力仪具有体积小，成本低等优势。
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