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公开(公告)号：CN117832063A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014454.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种制备纯硅涂层的方法以及基底涂层复合结构、晶圆片，通过在基底表面形成二维半导体材料层；将二维半导体材料层表面浸入具有硅源的液体环境，利用所述二维半导体材料层吸附硅源，使得在富硅的环境下在所述二维半导体材料层表面形成纯硅涂层。二维半导体材料的引入一方面可以填补基底表面的凹坑，另一方面可以显著降低纯硅涂层表面的孪晶数量，提升涂层质量。
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