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公开(公告)号：CN111710784A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010558370.2
申请日：2020-06-18
申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L51/48
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿悬浊态前驱液及成膜方法，包括：步骤1、制备两亲性表面活性剂调控的新型悬浊态碘化铅前驱液；步骤2、制备钙钛矿悬浊态前驱液；步骤3、使用旋涂、刮涂或喷涂方式制备介孔碘化铅薄膜。本发明的有益效果是：本发明提供了一种制备孔隙率较高且薄膜表面活性可控的介孔碘化铅薄膜的方法和钙钛矿悬浊态前驱液的成膜方法，便于得到充分反应的钙钛矿薄膜，为钙钛矿太阳能电池的普及奠定一定的硬件上的基础；制得的钙钛矿薄膜更加致密，晶体结晶性显著提高，减少了薄膜内的缺陷态密度，所制备器件的性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN111710784B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010558370.2
申请日：2020-06-18
申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿悬浊态前驱液及成膜方法，包括：步骤1、制备两亲性表面活性剂调控的新型悬浊态碘化铅前驱液；步骤2、制备钙钛矿悬浊态前驱液；步骤3、使用旋涂、刮涂或喷涂方式制备介孔碘化铅薄膜。本发明的有益效果是：本发明提供了一种制备孔隙率较高且薄膜表面活性可控的介孔碘化铅薄膜的方法和钙钛矿悬浊态前驱液的成膜方法，便于得到充分反应的钙钛矿薄膜，为钙钛矿太阳能电池的普及奠定一定的硬件上的基础；制得的钙钛矿薄膜更加致密，晶体结晶性显著提高，减少了薄膜内的缺陷态密度，所制备器件的性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN111710785B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202010558936.1
申请日：2020-06-18
申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明涉及一种无针孔大面积可控生长钙钛矿成膜工艺，包括：步骤1、制备低表面能材料衬底；步骤2、采用热蒸发沉积PbI2层；步骤3、采用旋涂法在PbI2薄膜上旋涂MAI/FAI的异丙醇溶液。本发明的有益效果是：本发明提供了一种用于大面积热蒸镀、改善薄膜质量的低表面能材料，降低成核活化能的同时增强PbI2层的沉积；采用的旋涂工艺使反应完全进行，更好地覆盖底层粗糙表面，低表面能添加剂的使用更好地匹配衬底与钙钛矿层的极性，有效避免了由于局部亲疏水性的改变引入的缩孔现象，在提高成膜质量的同时，有效调控晶体质量，实现可控的大面积致密无针孔成膜技术。
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公开(公告)号：CN111710785A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010558936.1
申请日：2020-06-18
申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明涉及一种无针孔大面积可控生长钙钛矿成膜工艺，包括：步骤1、制备低表面能材料衬底；步骤2、采用热蒸发沉积PbI2层；步骤3、采用旋涂法在PbI2薄膜上旋涂MAI/FAI的异丙醇溶液。本发明的有益效果是：本发明提供了一种用于大面积热蒸镀、改善薄膜质量的低表面能材料，降低成核活化能的同时增强PbI2层的沉积；采用的旋涂工艺使反应完全进行，更好地覆盖底层粗糙表面，低表面能添加剂的使用更好地匹配衬底与钙钛矿层的极性，有效避免了由于局部亲疏水性的改变引入的缩孔现象，在提高成膜质量的同时，有效调控晶体质量，实现可控的大面积致密无针孔成膜技术。
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公开(公告)号：CN116406173A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310264574.9
申请日：2023-03-20
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明提供一种钙钛矿半透明电池及其制备方法，钙钛矿半透明电池包括层叠设置的透明顶电极和溅射缓冲层，所述透明顶电极的材质为透明导电氧化物薄膜，所述溅射缓冲层的材质为CrOx薄膜，1≤x≤3。本发明在透明顶电极和下层材料之间引入一层CrOx薄膜作为溅射缓冲层，可以有效阻挡透明导电氧化物薄膜沉积过程中产生的溅射损伤，同时CrOx薄膜具有很好的透过性，可以提高电荷在空穴传输层或者钙钛矿层与透明顶电极之间的传输，从而提高钙钛矿半透明器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN117729820A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311846735.1
申请日：2023-12-29
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明公开了一种2D钙钛矿层的制备方法、钙钛矿太阳能电池及钙钛矿晶硅叠层电池，其中2D钙钛矿层的制备方法具体包括如下步骤：S1、采用热蒸镀方法制备基底层；S2、在步骤S1制得的基底层上旋涂有机阳离子溶液，经过退火结晶处理后得到2D钙钛矿层，本发明通过碘化铅辅助成膜法制备2D钙钛矿层，并应用到叠层器件当中，与现有技术相比，本发明具有如下优点：适用于叠层器件当中，能够在绒面上制备的3D钙钛矿表面制备高质量2D层，解决现有工艺存在的问题。
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公开(公告)号：CN117410373A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311219714.7
申请日：2023-09-21
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H10K39/15
摘要： 本发明提供一种晶硅底电池及其制备方法和叠层电池，制备方法包括以下步骤：准备硅片，在硅片正面生长正面超薄氧化硅层；以笑气和硅烷为反应气体，采用等离子体增强的化学气相沉积法在正面超薄氧化硅层表面沉积p型掺氧非晶硅层；在硅片背面生长背面超薄氧化硅层；在背面超薄氧化硅层表面沉积n型非晶硅层；高温结晶退火，形成p型掺氧多晶硅层和n型多晶硅层；进行加氢处理；制备正面透明导电氧化物层；制备背面金属电极。本发明在非晶硅沉积过程中原位引入氧元素，以p型掺氧多晶硅层与超薄氧化硅组成晶硅底电池的正面TOPCon结构，有利于提高TOPCon结构的长波光子透过率，从而提高晶硅底电池的短路电流密度。
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公开(公告)号：CN118338748A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410303092.4
申请日：2024-03-18
申请人： 云南大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H10K71/60 , H10K71/40 , H10K71/00 , H10K30/40 , H10K30/50 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/24 , C23C14/18 , C23C16/455
摘要： 本发明提供了一种真空沉积的双电子传输层及钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括：步骤S1，将第一ITO导电玻璃置入原子层沉积系统中，沉积得到第一电子传输层；步骤S2，于第一电子传输层顶端沉积第二电子传输层；步骤S3，将前驱体溶液滴加至第二电子传输层的顶端得到钙钛矿薄膜；步骤S4，于钙钛矿薄膜上制备得到钙钛矿活性层；步骤S5，退火后转移至旋涂仪上旋转并在旋转过程中将spiro‑OMeTAD溶液滴加至钙钛矿活性层顶端的中间位置得到空穴传输层；步骤S6，于空穴传输层顶端制备得到第二ITO导电玻璃，随后于第二ITO导电玻璃顶端制备得到Au电极，以得到钙钛矿太阳能电池。有益效果是本发明能够改善SnO2薄膜的导电性能，提高钙钛矿太阳电池的开路电压和短路电流密度。
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公开(公告)号：CN111540834A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010301221.8
申请日：2020-04-16
申请人： 浙江浙能技术研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿太阳电池阳极修饰方法，包括步骤：S1、清洗透明导电玻璃；S2、在透明导电玻璃上制备厚度为1～300nm的电子传输层。本发明的有益效果是：该种钙钛矿太阳电池的阳极修饰方法克服了银等背电极材料在正置结构钙钛矿太阳电池中的功函不匹配和寿命不长的问题，提升电池在工作条件下的电流和电压，提高光电转化效率，实现采用银等背电极的钙钛矿电池的高效率；阻挡钙钛矿自身的卤素与银电极的反应，提高器件稳定性，延长电池的使用寿命。针对插入层的材料、厚度以及制备方法等问题进行工艺优化；该方法与原有电池制备工艺兼容，有助于提高钙钛矿太阳电池效率，降低生产成本，利于推进钙钛矿太阳电池的商业化。
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