一种导体变径对接焊接工艺

    公开(公告)号:CN114700751B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210310830.9

    申请日:2022-03-28

    IPC分类号: B23P23/04 H01R43/02

    摘要: 本发明公开了一种导体变径对接焊接工艺,包括以下步骤:导体预处理,使得陆缆的大导体和海缆的小导体实现外露;导体翻层,使得大导体分为中心层和外周层,再将大导体的外周层再进行翻层处理形成第一外周层和第二外周层;导体切割处理,使得大导体的中心层端部和小导体的端部对齐后形成V字口;导体焊接,第一次焊接:在V字口处进行第一次焊接,第二次焊接:将大导体的第二外周层下翻,再在第二外周层的端口处进行第二次焊接,第三次焊接:将大导体第一外周层下翻,再在第一外周层的端口处进行第三次焊接。本发明提供一种导体变径对接焊接工艺,大导体和小导体之间连接稳定,而且便于接头处后续的工艺的处理。

    一种超高压直流525kV绕包熔融式软接头的制作工艺

    公开(公告)号:CN115149469B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202210748244.2

    申请日:2022-06-29

    IPC分类号: H02G1/14 H02G1/16

    摘要: 本发明公开了一种超高压直流525kV绕包熔融式软接头的制作工艺,包括以下步骤:a.电缆预处理;b.导体恢复;c.电缆加热校直,d.反应力锥制作,e.内屏蔽层恢复,将半导电尼龙布均匀绕包在接头处导体线芯外,然后将内屏蔽套纵向包覆在半导电尼龙布外,再将内屏蔽套加热熔融成型;f.绝缘层恢复,内屏蔽层恢复后,将绝缘带均匀绕包在内屏蔽层外;g.外屏蔽层恢复,再将外屏蔽套纵向包覆在绝缘带外,再进行加热,使得绝缘带和外屏蔽套同时熔融成型;h.金属屏蔽层恢复,然后把金属屏蔽套搭盖在电缆本体进行焊接恢复。本发明提供一种超高压直流525kV绕包熔融式软接头的制作工艺,既能够保证接头处的性能,使得能够承载525kV的电流,又能够缩短恢复时间。

    一种导体变径对接焊接工艺

    公开(公告)号:CN114700751A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210310830.9

    申请日:2022-03-28

    IPC分类号: B23P23/04 H01R43/02

    摘要: 本发明公开了一种导体变径对接焊接工艺,包括以下步骤:导体预处理,使得陆缆的大导体和海缆的小导体实现外露;导体翻层,使得大导体分为中心层和外周层,再将大导体的外周层再进行翻层处理形成第一外周层和第二外周层;导体切割处理,使得大导体的中心层端部和小导体的端部对齐后形成V字口;导体焊接,第一次焊接:在V字口处进行第一次焊接,第二次焊接:将大导体的第二外周层下翻,再在第二外周层的端口处进行第二次焊接,第三次焊接:将大导体第一外周层下翻,再在第一外周层的端口处进行第三次焊接。本发明提供一种导体变径对接焊接工艺,大导体和小导体之间连接稳定,而且便于接头处后续的工艺的处理。

    电缆软接头耐压局放测试装置和测试方法

    公开(公告)号:CN116298728A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310261987.1

    申请日:2023-03-17

    IPC分类号: G01R31/12 G01R31/20

    摘要: 本发明公开了一种电缆软接头耐压局放测试装置,包括绝缘水箱和检测装置,所述绝缘水箱内装有去离子水,所述检测装置包括包裹件和加压元件,电缆接头处伸入绝缘水箱内,并且去离子水将电缆接头处浸没,所述包裹件包括包覆于电缆接头处外周的半导电带层和包裹于半导电带层外周的铜带层,所述加压元件包括变压器,变压器通过高压线与铜带层电性连接,并且变压器连接有电源。本发明提供一种电缆软接头耐压局放测试装置和测试方法,测试方法简单,测试成本较低;而且软接头制作时容错率增加,提高效率。

    一种超高压直流525kV绕包熔融式软接头的制作工艺

    公开(公告)号:CN115149469A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210748244.2

    申请日:2022-06-29

    IPC分类号: H02G1/14 H02G1/16

    摘要: 本发明公开了一种超高压直流525kV绕包熔融式软接头的制作工艺,包括以下步骤:a.电缆预处理;b.导体恢复;c.电缆加热校直,d.反应力锥制作,e.内屏蔽层恢复,将半导电尼龙布均匀绕包在接头处导体线芯外,然后将内屏蔽套纵向包覆在半导电尼龙布外,再将内屏蔽套加热熔融成型;f.绝缘层恢复,内屏蔽层恢复后,将绝缘带均匀绕包在内屏蔽层外;g.外屏蔽层恢复,再将外屏蔽套纵向包覆在绝缘带外,再进行加热,使得绝缘带和外屏蔽套同时熔融成型;h.金属屏蔽层恢复,然后把金属屏蔽套搭盖在电缆本体进行焊接恢复。本发明提供一种超高压直流525kV绕包熔融式软接头的制作工艺,既能够保证接头处的性能,使得能够承载525kV的电流,又能够缩短恢复时间。

    一种特高压直流800kV电缆绕包熔融式软接头的制作工艺

    公开(公告)号:CN115133467A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210747904.5

    申请日:2022-06-29

    IPC分类号: H02G1/14 H02G1/12

    摘要: 本发明公开了一种特高压直流800kV电缆绕包熔融式软接头的制作工艺,包括以下步骤:a.电缆预处理;b.导体恢复,通过焊接使两段高压电缆的导体线芯焊接在一起;c.电缆加热校直;d.反应力锥制作;e.内屏蔽层恢复;f.绝缘层恢复;g.外屏蔽层恢复;h.电缆除气,外屏蔽层恢复后,将电缆接头处包覆封闭,进行除气工作;i.金属屏蔽层恢复,除气工作完成后,将半导电阻水带均匀绕包在外屏蔽层的外层,然后把金属屏蔽套搭盖在电缆本体进行焊接恢复。本发明提供一种特高压直流800kV电缆绕包熔融式软接头的制作工艺,结构简单,完善方便,恢复度高。

    一种66kV-500kV电缆中间绕包熔接式软接头的制作工艺

    公开(公告)号:CN114050518B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202111351875.2

    申请日:2021-11-16

    IPC分类号: H02G1/14

    摘要: 本发明公开了一种66kV‑500kV电缆中间绕包熔接式软接头的制作工艺,包括以下步骤:a.导体焊接,b.内屏蔽层恢复,手工将内衬半导电布于导体线芯处缠绕,然后将内屏蔽带材缠绕至内衬半导电布上,对内屏蔽带材进行加热,使得内屏蔽带材熔融成型;c.绝缘层恢复,手工将绝缘带于内屏蔽层处进行缠绕,对绝缘带进行加热,使得绝缘带熔融成型;d.外屏蔽层恢复,手工将外屏蔽带材于绝缘层处进行缠绕,对外屏蔽带材进行加热,使得外屏蔽带材熔融成型;e.金属屏蔽层恢复,首先将半导电阻水带缠绕至外屏蔽层外,安装铅套。本发明提供一种66kV‑500kV电缆中间绕包熔接式软接头的制作工艺,结构简单、成本低、质量高、制作方便,而且能够直接在户外应用。