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公开(公告)号:CN117038702A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202310888993.X
申请日:2023-07-19
摘要: 本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件,包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极,源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置,且SiO2纳米核置于源接触电极、栅电机和漏接触电极中心部位,源区位于源接触电极与SiO2纳米核之间。本发明提出的环状二维MoS2晶体管器件结构结合了二维半导体材料高的载流子迁移率及环栅晶体管器件优异的栅控能力,同时利用环形结构提高沟道有效宽度Weff,从而在不牺牲器件所占面积的情况下达到提高驱动电流的目的,本发明对于继续缩小晶体管器件的尺寸,延续摩尔定律的生命具有重要的意义。