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公开(公告)号：CN117054717A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311014569.9
申请日：2023-08-11
Applicant: 清华大学
IPC: G01R15/18 , G06F30/367 , H01F5/02 , G01R19/00
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件开关瞬态电流测量技术领域，特别涉及一种基于小负载电阻的罗氏线圈高频带宽拓展方法及装置，其中，方法包括：构建负载电阻小于预设电阻的罗氏线圈，其中，罗氏线圈在预设第一自积分频率以上和在预设第一自谐振频率以下均呈现自积分特性；利用运算放大器构建有源同相积分器，以在低频至预设第一自谐振频率的频率区间内增益电流；将有源同相积分器与罗氏线圈并联，以根据预设满足条件对罗氏线圈的输出信号进行抵抗电磁干扰调理，以扩展高频带宽上限。该方法基于小负载电阻的自积分罗氏线圈，能够提高罗氏线圈的自谐振频率和高频带宽上限，并增强调理电路抵抗电磁干扰的能力。本发明主要应用于低跨阻放大系数罗氏线圈领域。
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公开(公告)号：CN116488628A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310395006.2
申请日：2023-04-13
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/687 , H03K17/04
Abstract: 本申请公开了一种SiC MOSFET栅极驱动器，属于电子电路技术领域，包括：弱电侧单元用于驱动器中驱动单元的整体供电，以及建立控制器与驱动单元间的通信，并在驱动单元反馈短路故障时，对驱动信号实施闭锁；隔离单元用于从弱电侧单元取电并向驱动单元供电，以及建立弱电侧单元与驱动单元间的通信；驱动单元用于实时监测SiC MOSFET器件的状态，并根据SiC MOSFET器件的状态对SiC MOSFET器件进行短路保护和串扰抑制。可以在不影响SiC MOSFET器件的正常通断的同时，为器件提供可靠的短路保护功能与防串扰功能，实现SiC MOSFET器件的智能驱动。
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公开(公告)号：CN116990577A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310862607.X
申请日：2023-07-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及电子电路技术领域，特别涉及一种功率半导体器件电流测量装置、系统及方法，其中，装置包括：第一检测模块，用于在功率半导体器件的待测电流激励时，检测待测电流的第一频段信息产生的第一电压信号；第二检测模块，用于在功率半导体器件的待测电流激励时，检测待测电流的第二频段信息产生的第二电压信号，其中，第一频段信息的频率大于第二频段信息的频率；组合模块，用于对第一电压信号和第二电压信号进行信号调制与组合得到组合电压信号；测量设备，用于根据组合电压信号确定待测电流的电流值。解决了相关技术中，对功率半导体瞬态电流的测量集成度低，无法同时实现宽频带、高精度、几何干涉少、插入阻抗低和电气隔离等指标的问题。
