公开(公告)号：CN104388898A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410570903.3

申请日：2014-10-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 何云斌 ,  黎明锴 ,  邰佳丽 ,  程海玲 ,  张蕾 ,  周桃生

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0296 ,  H01L33/28

CPC classification number: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01L31/02963 ,  H01L33/285

Abstract: 本发明公开一种MgZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法，通过Mg与S同时掺杂ZnO，调节MgZnOS中Mg与Zn、O与S的比例形成全新的MgZnOS四元ZnO合金半导体材料，使得该类宽禁带半导体的带隙在更宽范围内(2.94eV～3.95eV)可调，可用于紫外发光器件或光探测器件。本发明MgZnOS单晶材料为世界上首次成功合成，制备MgZnOS四元ZnO合金半导体材料对于开发波长可调的紫外光电器件具有非常重要的意义。此MgZnOS四元ZnO合金半导体材料可采用常规脉冲激光烧蚀沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单，易于控制。

公开(公告)号：CN104388898B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410570903.3

申请日：2014-10-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 何云斌 ,  黎明锴 ,  邰佳丽 ,  程海玲 ,  张蕾 ,  周桃生

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0296 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开一种MgZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法，通过Mg与S同时掺杂ZnO，调节MgZnOS中Mg与Zn、O与S的比例形成全新的MgZnOS四元ZnO合金半导体材料，使得该类宽禁带半导体的带隙在更宽范围内(2.94eV～3.95eV)可调，可用于紫外发光器件或光探测器件。本发明MgZnOS单晶材料为世界上首次成功合成，制备MgZnOS四元ZnO合金半导体材料对于开发波长可调的紫外光电器件具有非常重要的意义。此MgZnOS四元ZnO合金半导体材料可采用常规脉冲激光烧蚀沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单，易于控制。