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公开(公告)号：CN109216307A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810690827.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法，该方法确保提高的可靠性，允许进一步小型化，以及抑制在制造成本上的增加。该半导体器件包括：在在半导体衬底的上方形成的多层布线层的最上层布线层中形成的焊盘电极；以覆盖该焊盘电极的方式形成的表面保护膜；在所述表面保护膜中以部分暴露所述焊盘电极的方式形成的开口；以及，在暴露于开口底部处的焊盘电极上方形成导电层。在焊盘电极上方形成的导电层的厚度小于在焊盘电极上方形成的表面保护膜的厚度。
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公开(公告)号：CN106558566A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610825014.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 利根川丘
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/31 , H01L21/31056 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/44 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/4827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/1095 , H01L29/417 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/031 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/03522 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05017 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2924/05042 , H01L2924/0509 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/1203 , H01L2924/1206 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/059 , H01L2924/0103 , H01L2924/00 , H01L24/02 , H01L2224/02125 , H01L2224/03013 , H01L2224/03019 , H01L2224/04
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。半导体装置被配置为具有设置在互连上方并且具有开口的保护膜和设置在开口中的镀敷膜。将狭缝设置在开口的侧面中，并且将镀敷膜还配置在狭缝中。由此，将镀敷膜设置在开口的侧面中，并且镀敷膜还生长在狭缝中。这导致了在随后的镀敷膜的形成期间的长的镀敷溶液渗透路径。因此，在互连(焊盘区)中不容易形成腐蚀部分，即使形成了腐蚀部分，狭缝的部分也作为牺牲物先于互连(焊盘区)被腐蚀，使得可以抑制腐蚀部分向互连(焊盘区)中的扩展。
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公开(公告)号：CN108091627A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201710726836.3
申请日：2017-08-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 利根川丘
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的可靠性。以覆盖源电极(SE)以及栅电极GE的方式形成绝缘膜(PA)，在该绝缘膜(PA)形成有使源电极(SE)的一部分露出的开口部(OPS)和使栅电极(GE)的一部分露出的开口部(OPG)。在从开口部(OPS)露出的源电极(SE)上形成有镀覆层(PLS)，在从开口部(OPG)露出的栅电极(GE)上形成有镀覆层(PLG)。利用从开口部(OPS)露出的部分的源电极(SE)和镀覆层(PLS)，形成源极焊盘(PDS)，利用从开口部(OPG)露出的部分的栅电极(GE)和镀覆层(PLG)，形成栅极焊盘(PDG)。栅极焊盘用的开口部(OPG)的面积比源极焊盘用的开口部(OPS)的面积小，镀覆层(PLG)的厚度比镀覆层(PLS)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN102208348A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110078804.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L21/76814 , H01L29/41725 , H01L29/665 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。该方法包括：在硅区和绝缘膜上方形成金属膜；在含有氧作为主要成分的氧气氛下实施第一热处理，以通过使金属膜与硅区反应而在硅区中形成第一硅化物膜，以及同时通过从金属膜的表面侧对金属膜的整个表面进行氧化来形成金属氧化物；以及使用化学制品来选择性地去除金属氧化物和未反应的金属膜。
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公开(公告)号：CN109216307B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201810690827.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法，该方法确保提高的可靠性，允许进一步小型化，以及抑制在制造成本上的增加。该半导体器件包括：在在半导体衬底的上方形成的多层布线层的最上层布线层中形成的焊盘电极；以覆盖该焊盘电极的方式形成的表面保护膜；在所述表面保护膜中以部分暴露所述焊盘电极的方式形成的开口；以及，在暴露于开口底部处的焊盘电极上方形成导电层。在焊盘电极上方形成的导电层的厚度小于在焊盘电极上方形成的表面保护膜的厚度。
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公开(公告)号：CN108091627B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201710726836.3
申请日：2017-08-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 利根川丘
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的可靠性。以覆盖源电极(SE)以及栅电极GE的方式形成绝缘膜(PA)，在该绝缘膜(PA)形成有使源电极(SE)的一部分露出的开口部(OPS)和使栅电极(GE)的一部分露出的开口部(OPG)。在从开口部(OPS)露出的源电极(SE)上形成有镀覆层(PLS)，在从开口部(OPG)露出的栅电极(GE)上形成有镀覆层(PLG)。利用从开口部(OPS)露出的部分的源电极(SE)和镀覆层(PLS)，形成源极焊盘(PDS)，利用从开口部(OPG)露出的部分的栅电极(GE)和镀覆层(PLG)，形成栅极焊盘(PDG)。栅极焊盘用的开口部(OPG)的面积比源极焊盘用的开口部(OPS)的面积小，镀覆层(PLG)的厚度比镀覆层(PLS)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN111354626B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201911255593.5
申请日：2019-12-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 利根川丘
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了具有形成在电极垫上的镀层的半导体器件的可靠性。制造半导体器件的方法包括以下步骤：在镀镍溶液中，在以第一速度移动半导体晶片之后，通过以第二速度移动半导体晶片，以在电极垫上形成镀层，第一速度高于第二速度。在以第一速度移动半导体晶片之后，在不将半导体晶片从镀镍溶液中取出的情况下，以第二速度移动半导体晶片。
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公开(公告)号：CN111354626A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911255593.5
申请日：2019-12-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 利根川丘
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了具有形成在电极垫上的镀层的半导体器件的可靠性。制造半导体器件的方法包括以下步骤：在镀镍溶液中，在以第一速度移动半导体晶片之后，通过以第二速度移动半导体晶片，以在电极垫上形成镀层，第一速度高于第二速度。在以第一速度移动半导体晶片之后，在不将半导体晶片从镀镍溶液中取出的情况下，以第二速度移动半导体晶片。
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公开(公告)号：CN109427876A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810953004.X
申请日：2018-08-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/285
Abstract: 为了提高半导体器件的可靠性。提供了半导体器件及其制造方法，该半导体包括：焊盘电极，形成在半导体衬底之上，并且包括第一导电膜和形成在第一导电膜之上的第二导电膜；以及镀膜，形成在第二导电膜之上，并且用于耦合至外部连接端子(TR)。第一导电膜和第二导电膜主要包含铝。第一导电膜的表面上的晶体表面不同于第二导电膜的表面上的晶体表面。
