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公开(公告)号：CN104183507B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201410226146.8
申请日：2014-05-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法，以稳定地除去在密封步骤中在树脂提供路线中形成的树脂主体。引线框架在其子浇道部分中具有子通孔。在子浇道部分沿其延伸的第一方向上，子通孔具有位于主浇道部分一侧的第一部分和相对于第一部分位于浇口部分一侧的第二部分。在平面图中，子通孔的在第一方向上的开口宽度大于子通孔的在与第一方向垂直的第二方向上的开口宽度。在平面图中，子通孔的在第二方向上的开口宽度从第一部分向浇口部分一侧的第二部分的末端部分逐渐减小。
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公开(公告)号：CN104465414A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410658118.3
申请日：2010-06-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/495 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/268 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L21/561 , H01L21/4803 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/49517
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝，该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法，通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时，对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。
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公开(公告)号：CN104465414B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201410658118.3
申请日：2010-06-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56 , B23K26/402
CPC classification number: H01L21/268 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝，该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法，通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时，对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。
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公开(公告)号：CN104183507A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410226146.8
申请日：2014-05-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/22 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49565 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/2732 , H01L2224/27436 , H01L2224/29083 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/49173 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/013 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法，以稳定地除去在密封步骤中在树脂提供路线中形成的树脂主体。引线框架在其子浇道部分中具有子通孔。在子浇道部分沿其延伸的第一方向上，子通孔具有位于主浇道部分一侧的第一部分和相对于第一部分位于浇口部分一侧的第二部分。在平面图中，子通孔的在第一方向上的开口宽度大于子通孔的在与第一方向垂直的第二方向上的开口宽度。在平面图中，子通孔的在第二方向上的开口宽度从第一部分向浇口部分一侧的第二部分的末端部分逐渐减小。
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公开(公告)号：CN102473651B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201080030507.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L21/268 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝，该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法，通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时，对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。
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公开(公告)号：CN102473651A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030507.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L21/268 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝，该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法，通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时，对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。
