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公开(公告)号：CN102687075B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201080060219.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN102713758A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060221.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN102695987A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080060384.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。
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公开(公告)号：CN102695770A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080060217.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 提供了一种用于封装材料的透光树脂组合物，包括通过将由化学式1表示的第一硅化合物和包含由化学式2表示的化合物的第二硅化合物共聚而获得的聚硅氧烷。还提供了包含通过将所述透光树脂组合物硬化而获得的封装材料的电子装置。
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公开(公告)号：CN102432841A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110306447.8
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了萘主链聚合物和含有该萘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式B表示的萘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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公开(公告)号：CN101770175A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215519.0
申请日：2009-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。
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公开(公告)号：CN100433444C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510108659.X
申请日：2002-05-10
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/052 , H01M10/0567
Abstract: 提供一种锂二次电池的非水电解液。该电解液包括：锂盐，非水溶剂，以及选自通式(1)～(6)所示的有机化合物，其中R1～R12各自独立选自：伯、仲和叔烷基，烯基，以及芳基；X是氢或卤素；并且n和m分别为0～3的数值。R9-SO3-Si(CmH2m+1)3(3)CnX2n+1-SO3-Si(CmH2m+1)3(4)。
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公开(公告)号：CN1822423A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510108659.X
申请日：2002-05-10
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/052 , H01M10/0567
Abstract: 提供一种锂二次电池的非水电解液。该电解液包括：锂盐，非水溶剂，以及选自通式(1)～(6)所示的有机化合物，其中R1～R12各自独立选自：伯、仲和叔烷基，烯基，以及芳基；X是氢或卤素；并且n和m分别为0～3的数值。
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公开(公告)号：CN101452208B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200810185741.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/028 , H01L21/82 , H01L27/146
CPC classification number: G03F7/033
Abstract: 本发明提供了一种用于垫片保护层的光敏树脂组合物以及利用该光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。该组合物包括(A)碱溶性树脂、(B)活性不饱和化合物、(C)光引发剂以及(D)溶剂。(A)碱溶性树脂包括这样的共聚物，该共聚物包括5至50wt％的具有以下化学式1的构成单元、1至25wt％的具有以下化学式2的构成单元以及45至90wt％的具有以下化学式3的构成单元，并且提供了一种利用光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。在下述化学式中，R11至R13、R21至R24以及R31至R33与在具体实施方式中所定义的相同。用于垫片保护层的光敏树脂组合物具有良好的图案化和蚀刻性能以及耐化学性，因此可以提供没有下部外敷层的图像传感器，。
