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公开(公告)号：CN110676271B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910863315.1
申请日：2017-01-06
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 本技术涉及能够提高特性的摄像器件和电子设备。固体摄像器件包括：光电转换部，设置于半导体基板，对入射的光进行光电转换；蛾眼部，由形成在半导体基板的光入射侧的面上的凹凸构成，在观察与从光入射侧朝向光电转换部的方向大致平行的横截面时，朝向光电转换部侧突出的凹部具有曲率或者为多边形的形状；以及在所述蛾眼部的与所述光电转换部相反侧相邻地设置的区域，并且所述区域具有与所述半导体基板的折射率不同的折射率。本技术可以应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN106229323A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610628567.2
申请日：2012-02-23
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/146 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入
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公开(公告)号：CN105405856A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510701319.1
申请日：2012-02-23
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/146 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。
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公开(公告)号：CN108463887B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201780006725.3
申请日：2017-01-06
申请人： 索尼公司
摘要： 本技术涉及能够提高特性的摄像器件和电子设备。固体摄像器件包括：光电转换部，设置于半导体基板，对入射的光进行光电转换；蛾眼部，由形成在半导体基板的光入射侧的面上的凹凸构成，在观察与从光入射侧朝向光电转换部的方向大致平行的横截面时，朝向光电转换部侧突出的凹部具有曲率或者为多边形的形状；以及在所述蛾眼部的与所述光电转换部相反侧相邻地设置的区域，并且所述区域具有与所述半导体基板的折射率不同的折射率。本技术可以应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN110676271A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910863315.1
申请日：2017-01-06
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 本技术涉及能够提高特性的摄像器件和电子设备。固体摄像器件包括：光电转换部，设置于半导体基板，对入射的光进行光电转换；蛾眼部，由形成在半导体基板的光入射侧的面上的凹凸构成，在观察与从光入射侧朝向光电转换部的方向大致平行的横截面时，朝向光电转换部侧突出的凹部具有曲率或者为多边形的形状；以及在所述蛾眼部的与所述光电转换部相反侧相邻地设置的区域，并且所述区域具有与所述半导体基板的折射率不同的折射率。本技术可以应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN108463887A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201780006725.3
申请日：2017-01-06
申请人： 索尼公司
摘要： 本技术涉及能够提高特性的摄像器件和电子设备。固体摄像器件包括：光电转换部，设置于半导体基板，对入射的光进行光电转换；蛾眼部，由形成在半导体基板的光入射侧的面上的凹凸构成，在观察与从光入射侧朝向光电转换部的方向大致平行的横截面时，朝向光电转换部侧突出的凹部具有曲率或者为多边形的形状；以及在所述蛾眼部的与所述光电转换部相反侧相邻地设置的区域，并且所述区域具有与所述半导体基板的折射率不同的折射率。本技术可以应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN102386194A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110245628.4
申请日：2011-08-24
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/225
CPC分类号： H01L31/02164 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14685 , H01L31/02016 , H01L31/0232
摘要： 本发明公开了一种固体摄像元件、固体摄像元件的制造方法、固体摄像装置和摄像装置。所述固体摄像元件包括具有进行入射光的光电转换的受光部的半导体基板；形成于所述半导体基板的表面上的氧化物层；形成于所述氧化物层的上层的遮光层，并且在所述遮光层与所述氧化物层之间形成有粘着层；布置于所述氧化物层与所述粘着层之间的氧供给层，并且所述氧供给层是由显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小的材料形成的。所述固体摄像装置包括所述固体摄像元件和光学系统。所述摄像装置包括所述固体摄像元件、光学系统和信号处理部。本发明能够避免界面损坏并且能够在不降低可靠性和粘着性的前提下抑制暗电流。
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公开(公告)号：CN101989611A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010239532.2
申请日：2010-07-27
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14689
摘要： 本发明提供一种固态摄像元件及其制造方法以及摄像装置，该固态摄像元件包括：半导体层，其中形成用于执行光电转换的光敏二极管；第一膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有光敏二极管的区域中的半导体层上；第二膜，包含负固定电荷，并且利用物理气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第一膜上；以及第三膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在其中包含负固定电荷的第二膜上。
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公开(公告)号：CN105355639B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510717533.6
申请日：2011-08-24
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/77 , H04N5/225
CPC分类号： H01L31/02164 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14685 , H01L31/02016 , H01L31/0232
摘要： 本发明公开了一种固体摄像元件、固体摄像元件的制造方法、固体摄像装置和摄像装置。所述固体摄像元件包括：半导体基板，所述半导体基板包括用于对入射光进行光电转换的受光部；第一氧化物层，所述第一氧化物层形成在所述半导体基板的表面上；以及第二氧化物层，所述第二氧化物层位于所述第一氧化物层和平坦化膜之间，其中，所述第二氧化物层的形成材料的氧化焓小于所述第一氧化物层的形成材料的氧化焓。所述固体摄像装置包括所述固体摄像元件和光学系统。所述摄像装置包括所述固体摄像元件、光学系统和信号处理部。本发明能够避免界面损坏并且能够在不降低可靠性和粘着性的前提下抑制暗电流。
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