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公开(公告)号：CN1723171B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200480001829.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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公开(公告)号：CN100577560C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200480020244.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , C01B2202/34 , Y10T428/13
Abstract: 本发明提供碳纳米管的制造方法，其能够以高生产量和低缺陷发生率地大量生产DWCNT。在真空室(i)中，提供具有中空部(2a)的第一电极(2)和棒状第二电极(3)。惰性气体如氦气、氮气、或氩气被引入到该真空室(1)中，以保持其为不含氢气和氧气的气氛，并在该气氛中，在第一电极(2)和第二电极(3)之间产生电弧放电。由电弧放电产生的热适度地保留在第一电极(2)包围的内侧表面上，以将第一电极(2)表面保持在适于生产DWCNT(8)的温度。由此，丝状的DWCNT(8)能以催化剂(6)为起点连续性地无中断生产。
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公开(公告)号：CN101494240A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910118564.4
申请日：2005-08-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 黄厚金
IPC: H01L29/772 , H01L29/43 , B82B1/00 , C01B31/00
CPC classification number: D01F11/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , D01F11/14 , H01L51/0049 , H01L51/0508
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管及半导体器件。该场效应晶体管包括：源电极和漏电极以及栅。通过改变用作该源电极和漏电极之间的电流通路的沟道的电导率来控制电流，并且至少该沟道的材料是半导电碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1723171A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001829.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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公开(公告)号：CN1733594B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200510089317.8
申请日：2005-08-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 黄厚金
CPC classification number: D01F11/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , D01F11/14 , H01L51/0049 , H01L51/0508
Abstract: 本发明涉及碳纳米管及定位方法、晶体管及制造方法、半导体器件。本发明的碳纳米管包括裸碳纳米管和引入到该裸碳纳米管的至少一端的官能团。
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公开(公告)号：CN1903715B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610108111.X
申请日：2006-07-27
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 黄厚金
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , Y10S977/742 , Y10S977/75 , Y10S977/752
Abstract: 这里公开了一种非常容易、彻底地破坏金属性碳纳米管的方法。所述方法包括：以能量束(例如激光)照射半导电碳纳米管和金属性碳纳米管地混合体，由此有选择地破坏金属性碳纳米管或半导电碳纳米管。其中，所述能量束具有被金属性碳纳米管或半导电碳纳米管谐振吸收的能量成分。
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公开(公告)号：CN1823006A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020244.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , C01B2202/34 , Y10T428/13
Abstract: 本发明提供碳纳米管的制造方法，其能够以高生产量和低缺陷发生率地大量生产DWCNT。在真空室(i)中，提供具有中空部(2a)的第一电极(2)和棒状第二电极(3)。惰性气体如氦气、氮气、或氩气被引入到该真空室(1)中，以保持其为不含氢气和氧气的气氛，并在该气氛中，在第一电极(2)和第二电极(3)之间产生电弧放电。由电弧放电产生的热适度地保留在第一电极(2)包围的内侧表面上，以将第一电极(2)表面保持在适于生产DWCNT(8)的温度。由此，丝状的DWCNT(8)能以催化剂(6)为起点连续性地无中断生产。
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公开(公告)号：CN1733594A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510089317.8
申请日：2005-08-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 黄厚金
CPC classification number: D01F11/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , D01F11/14 , H01L51/0049 , H01L51/0508
Abstract: 本发明涉及碳纳米管及定位方法、晶体管及制造方法、半导体器件。本发明的碳纳米管包括裸碳纳米管和引入到该裸碳纳米管的至少一端的官能团。
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公开(公告)号：CN101618855A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150450.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了制造管状碳分子的方法和制造记录设备的方法。该制造管状碳分子的方法能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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公开(公告)号：CN1308229C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410055208.X
申请日：2004-06-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152
Abstract: 本发明提供了一种含氮碳质材料，其具有可替代富勒烯包合物的新结构，并发现可在大范围应用中使用，以及容易地制备该材料的方法。该含氮碳质材料包括多个由Cn代表的球形碳分子(其中n代表允许碳原子形成几何球形化合物的整数)和加合到至少部分所述球形碳分子内部或外部的氮原子(或其离子或自由基)。含氮碳质材料也包括通过氮原子或其离子或自由基连接在一起的多个球形碳分子。制备含氮碳质材料的方法包括在含氮气氛中用高频等离子体激发氮分子，从而形成氮原子的自由基或离子的步骤；将球形碳分子汽化的步骤；和使所述氮原子的自由基或离子与所述球形碳分子反应的步骤。
