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公开(公告)号：CN119446967A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411058813.6
申请日：2024-08-02
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明公开了一种臭氧水供应单元及包括该臭氧水供应单元的基板处理装置，其能够维持供应到基板的臭氧水的臭氧浓度稳定。该基板处理装置包括：腔室，该腔室用于使用包含臭氧水的液体对装载到处理空间中的基板进行液体处理；以及臭氧水供应单元，该臭氧水供应单元用于将臭氧水供应到处理空间，其中，臭氧水供应单元包括：臭氧水生成器，该臭氧水生成器用于生成臭氧水；臭氧水供应管线，该臭氧水供应管线用于将由臭氧水生成器生成的臭氧水供应到处理空间；以及冷却器，该冷却器设置在臭氧水供应管线中、以将流动通过臭氧水供应管线的臭氧水进行冷却。
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公开(公告)号：CN112151416A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010608751.7
申请日：2020-06-29
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思涉及一种用于处理基板的装置。在一实施方案中，所述装置包括：工艺腔室，其具有工艺空间，在所述工艺空间中用超临界状态的流体对所述基板进行处理；支承单元，其在所述工艺空间中支承所述基板；流体供应单元，其将所述流体供应到所述工艺空间中；填充构件，其设置为面对放置在所述工艺空间中的所述支承单元上的所述基板；以及测量单元，其测量所述工艺空间中的状态，所述测量单元设置在所述填充构件中。
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公开(公告)号：CN105551999A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510698174.4
申请日：2015-10-23
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: B08B3/102 , B08B3/024 , H01L21/67051 , H01L21/6715
Abstract: 公开了一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：一壳体，定义用于在其中处理一基板的一空间；一旋转头，在所述壳体中支撑和旋转所述基板；一喷射单元，包括一第一喷嘴构件，用于在放置于所述旋转头上的所述基板上喷射第一处理溶液；以及一控制器，控制所述喷射单元。所述控制器在将所述第一喷嘴构件在所述基板上方在基板的边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶液。所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一处理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液所在的一第二高度。
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公开(公告)号：CN116903082A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310121311.2
申请日：2023-02-15
Applicant: 细美事有限公司
IPC: C02F1/20
Abstract: 提供了一种能够快速且稳定地分解臭氧水的臭氧水分解装置及方法。该臭氧水分解装置包括：罐，配置成容纳臭氧水并分解臭氧水；第一供应单元，配置成将臭氧水供应到罐；第二供应单元，配置成将添加剂供应到罐，其中添加剂以预设的第一供应量或第二供应量供应；循环管线，配置成循环罐中的臭氧水；以及浓度计，安装在循环管线中，其中：使用循环管线循环臭氧水之后，使用浓度计测量臭氧水的臭氧浓度；随后基于臭氧水的测量到的臭氧浓度供应第一供应量或第二供应量的添加剂；以及随后循环臭氧水直至臭氧水的臭氧浓度达到预设的参考浓度。
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公开(公告)号：CN103447256B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310215581.6
申请日：2013-05-31
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/02052 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种清洁基板的设备和方法。所述设备包括：基板支撑单元，其用于支撑基板；容器，其环绕所述基板支撑单元且收集从所述基板洒出的有机溶剂；流体供应单元，其设在所述容器的一侧并向所述基板上喷洒带气泡的液体有机溶剂。所述流体供应单元包括：喷嘴头，将所述有机溶剂喷喷到所述基板上；有机溶剂供应线，从有机溶剂贮槽向所述喷嘴头提供所述有机溶剂；气泡供应元件，设在所述有机溶剂供应线上并向所述液体有机溶剂提供气泡。
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公开(公告)号：CN119108306A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410731764.1
申请日：2024-06-06
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种基板处理设备和基板处理方法，其能够在将化学品供应到基板的中心时通过防止溶解氧的量集中在基板的特定区域来将基板的蚀刻速率保持在预定范围内。用于处理基板的设备包括：腔室，其具有处理空间；支撑单元，其用于在所述处理空间中支撑和旋转基板；液体排出单元，其包括用于将处理液体以液相排出到由所述支撑单元支撑的基板上的喷嘴；以及液体供应单元，其用于向所述液体排出单元供应所述处理液体，其中，当从上方观察时，所述喷嘴与所述基板的中心间隔开，使得当所述处理液体被供应到由所述支撑单元旋转的所述基板时，所述处理液体不会被所述喷嘴喷射在与所述基板的中心重叠的位置处。
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公开(公告)号：CN117995710A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310063085.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明提供能够更有效地在工艺流体中分解臭氧的工艺流体处理器、晶圆清洗装置及半导体制造设备。根据本发明的在半导体制造设备中用于处理在晶圆的清洗中使用的工艺流体的工艺流体处理器包括：壳体，形成用于收容工艺流体的内部空间；喷雾喷嘴，将包括臭氧成分的工艺流体以雾形式向所述内部空间喷射；以及喷嘴加热部件，加热穿过所述喷雾喷嘴喷射的所述工艺流体。
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公开(公告)号：CN106206373A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610371482.0
申请日：2016-05-30
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B2203/0229 , C11D11/0047 , H01L21/67051 , H01L21/6875 , H01L21/67023 , H01L21/02057
Abstract: 一种用于处理衬底的装置包括：注射构件，其具有第一喷嘴和第二喷嘴，所述第一喷嘴配置成向安装在支撑单元上的衬底供应第一化学品，所述第二喷嘴配置成向安装在支撑单元上的衬底供应与第一化学品不同的第二化学品；和控制器，其配置成在供应第二化学品之前供应第一化学品并控制待供应的第一化学品，所述第一化学品根据安装在支撑单元上的衬底上的薄膜类型而不同。
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公开(公告)号：CN103681236A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310384963.1
申请日：2013-08-29
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供了一种基板处理方法。该基板处理方法可以包括：使用化学溶液处理基板；在使用所述化学溶液处理所述基板后，使用纯水冲洗所述基板；以及使用有机溶剂处理所述基板，其中，所述基板处理方法进一步包括在所述化学溶液处理和所述有机溶液处理之间用疏水膜涂覆所述基板。
