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公开(公告)号:CN117650210A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202311844706.1
申请日:2023-12-29
申请人: 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要: 本发明公开了一种具有应力释放层的LED外延结构,包括衬底、以及依次生长于衬底之上的缓冲层、UGaN层、NGaN层、应力释放层、MQW层、EBL层和P层,所述应力释放层是由自下而上依次生长的InGaN层、停顿层和GaN盖帽层重复交叠组成的周期性复合层。本LED外延结构的生长方法使应力释放层中InGaN/停顿层/GaN结构循环生长,利用停顿层高温烘烤InGaN层,使In析出或者逃逸形成空位pits,进一步阻断底层衍生的位错,生成多层叠加Pits,有利于应力释放,提升上层晶格质量,且电流扩散效果好、利于大电流通过,从而提升光效。