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公开(公告)号：CN109582493A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810997735.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 在一个实施例中，一种装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个相变存储器(PCM)单元；以及控制器，其用于确定独立于来自主机设备的读取命令读取由多个PCM单元存储的数据；并且响应于确定独立于来自主机设备的读取命令读取由多个PCM单元存储的数据，对多个PCM单元执行虚拟读取操作，并对多个PCM单元执行附加读取操作。
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公开(公告)号：CN109584920A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810993816.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0035 , G11C29/028 , G11C2013/005 , G11C2213/71 , G11C7/14 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3404
Abstract: 在一个实施例中，一种装置包括：第一存储器阵列，包括多个相变存储器(PCM)单元；以及控制器，用于至少部分地基于对第一存储器阵列的至少一部分执行的写入次数来跟踪第一循环计数度量；以及基于第一循环计数度量来调节对第一存储器阵列的PCM单元执行的读取操作期间施加的分界电压。
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公开(公告)号：CN108701100A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014585.4
申请日：2017-03-06
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G11C13/0033 , G06F13/1668 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069
Abstract: 公开和描述了用于校正非易失性存储器设备中的阈值电压漂移的装置、系统和方法。在一个示例中，通过基于时间的漂移补偿方案或基于干扰的漂移补偿方案生成补偿的分界电压，并且使用补偿的电压阈值来执行对非易失性存储器的读取和写入操作。
