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公开(公告)号：CN107004595A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083740.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0271 , G03F7/0035 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/115 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76897 , H01L23/528 , H01L2224/16225
Abstract: 描述了用于化学辅助图案化的光可界定的对准层和用于形成化学辅助图案化的光可界定的对准层的方案。本发明的实施例可以包括在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料。然后可以曝光所述CAR材料以形成经曝光的抗蚀剂部分。曝光可以在CAR材料的经曝光的部分中产生与转换组分相互作用的酸，以在经曝光的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。
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公开(公告)号：CN107004595B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201480083740.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 描述了用于化学辅助图案化的光可界定的对准层和用于形成化学辅助图案化的光可界定的对准层的方案。本发明的实施例可以包括在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料。然后可以曝光所述CAR材料以形成经曝光的抗蚀剂部分。曝光可以在CAR材料的经曝光的部分中产生与转换组分相互作用的酸，以在经曝光的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。
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公开(公告)号：CN107004634B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201480083608.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 本发明的实施例包括一种互连结构和用于形成这种结构的方法。在实施例中，所述互连结构可以包括层间电介质(ILD)，其中第一硬掩模层在所述ILD的顶表面之上。某些实施例包括所述ILD中的一条或多条第一互连线、以及置于所述第一互连线的每者上方的第一电介质盖。例如，所述第一电介质盖的表面可以接触第一硬掩模层的顶表面。实施例还可以包括在所述ILD中的以与所述第一互连线交替的图案布置的一条或多条第二互连线。在实施例中，在所述第二互连线的每者的顶表面之上形成第二电介质盖。例如，所述第二电介质盖的表面接触第一硬掩模层的顶表面。
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公开(公告)号：CN107004635B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201480083628.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明的实施例包括微电子器件和形成这样的器件的方法。在实施例中，一种微电子器件包括被形成到互连层中的一个或多个预图案化特征，具有形成在预图案化特征中的一个或多个的第一壁和第二壁之上的共形阻挡层。光致抗蚀剂层可以形成在所述阻挡层之上以及在预图案化特征中的一个或多个内，并且导电过孔可以形成在预图案化特征中的至少一个中。
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公开(公告)号：CN107004635A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083628.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明的实施例包括微电子器件和形成这样的器件的方法。在实施例中，一种微电子器件包括被形成到互连层中的一个或多个预图案化特征，具有形成在预图案化特征中的一个或多个的第一壁和第二壁之上的共形阻挡层。光致抗蚀剂层可以形成在所述阻挡层之上以及在预图案化特征中的一个或多个内，并且导电过孔可以形成在预图案化特征中的至少一个中。
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公开(公告)号：CN107004634A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083608.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 本发明的实施例包括一种互连结构和用于形成这种结构的方法。在实施例中，所述互连结构可以包括层间电介质(ILD)，其中第一硬掩模层在所述ILD的顶表面之上。某些实施例包括所述ILD中的一条或多条第一互连线、以及置于所述第一互连线的每者上方的第一电介质盖。例如，所述第一电介质盖的表面可以接触第一硬掩模层的顶表面。实施例还可以包括在所述ILD中的以与所述第一互连线交替的图案布置的一条或多条第二互连线。在实施例中，在所述第二互连线的每者的顶表面之上形成第二电介质盖。例如，所述第二电介质盖的表面接触第一硬掩模层的顶表面。
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公开(公告)号：CN106663599A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480081348.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70 , G03F7/0035 , G03F7/094 , G03F7/2039 , G03F7/70466 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/76816
Abstract: 讨论了涉及多通道图案化光刻的技术、使用这样的技术形成的器件结构和器件。这样的技术包括利用非反射辐射使设置在格栅图案之上的抗蚀剂层曝光以在格栅图案的沟槽内生成增强的曝光部分，以及使抗蚀剂层显影以在格栅图案的沟槽内形成具有图案结构的图案层。
