一种基于微球结构的MEMS惯性开关
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117116704A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310918076.1

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于微球结构的MEMS惯性开关,包括:盖板、微球、底座,盖板上设置有微球通道,微球表面导电,底座中底座体中心设置有凹型半球状的平衡陷阱,在平衡陷阱周围有若干导通陷阱,导通陷阱上设置有两个陷阱电极,相邻两个导通陷阱之间设置有焊盘,焊盘与相邻的陷阱电极电性连接。当微球在外界加速度作用下,从平衡陷阱中通过微球通道的引导跃至任一导通陷阱的两个陷阱电极的间隔上时,MEMS惯性开关中与导通陷阱相邻的两个焊盘通过微球形成导通状态。本方案各部分之间采用纯机械结构,通过结构之间的配合感知外界加速度,同时满足阈值可调、面内万向性、抗高过载、抗电磁干扰、导通时间长、接触电阻小、导通接触稳定可靠、双稳态的特性。

    基于光-机-电-热多物理场耦合的MEMS耐高温压力传感器

    公开(公告)号:CN115342954B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202211009968.1

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 一种基于光‑机‑电‑热多物理场耦合的MEMS耐高温压力传感器,包括安装在封装壳内的传感器芯片,传感器芯片变形信号输出和固定在封装壳内的耐高温光纤连接,传感器芯片电信号输出和封装壳上的耐高温引线连接;传感器芯片包括基底,基底上依次设有绝缘层、底电极、压电薄膜、测温元件和顶电极,基底的反射膜和耐高温光纤端面构成F‑P腔;利用压电薄膜实现了高温环境下压力峰值与压力脉宽的测量,通过对比压电薄膜与F‑P腔获得的压力值,实现了压力峰值自校准,通过测温元件获得了压力测量环境的温度值,实现对F‑P腔测压的温度补偿;本发明具有体积小、耐高温、宽量程、高频响、高精度等特点,适用高温恶劣环境中微小尺度下高压的动态测量。

    一种具有电磁屏蔽功能的高透光柔性锰铜计

    公开(公告)号:CN112945446B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202110135812.7

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 一种具有电磁屏蔽功能的高透光柔性锰铜计,包括基底,基底上设有敏感元件和电极,敏感元件的输入端和输出端分别连接两个电极,敏感元件和电极的表面上设有封装层;敏感元件采用锰铜箔制成,厚度为5μm;电极与敏感元件为一体式结构且由同一锰铜箔通过激光雕刻或化学腐蚀工艺制成;基底和封装层均为三明治结构:中间层为25μm厚的PI/纳米银线复合薄膜,上层和下层是1μm厚的陶瓷薄膜,通过MEMS溅射工艺形成于中间层表面;基底、封装层、电极以及敏感元件通过热压封装工艺形成锰铜计;本发明能够屏蔽电磁辐射干扰且可避免高压旁路效应,具有耐高温、高透光性、响应快、柔性化、薄膜化以及适用于微尺度装药爆压测量等特点。

    一种PMMA基石墨烯爆压测试传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN111637801B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202010438318.3

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 一种PMMA基石墨烯爆压测试传感器及其制造方法,传感器包括基底,基底上通过转移工艺设有第一氮化硼,第一氮化硼上通过转移工艺设有石墨烯,石墨烯两端通过MEMS工艺溅射有电极,石墨烯上通过转移工艺设有第二氮化硼,第二氮化硼上设有封装层;本发明通过MEMS技术实现了氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结敏感元件的微型化,使其适用于微尺度装药爆轰压力的测量;通过基底背面曝光及显影工艺,实现了PMMA基底上电极的图形化,避免了对基底的破坏;利用不同的目标衬底进行捞取,实现了石墨烯以及氮化硼的转移,简化了传感器的制作流程;传感器具有敏感元件尺寸小、响应快、灵敏度高、量程大、精度高等特点,能够适用于微尺度装药爆轰压力的测量。

    一种具有电磁屏蔽功能的高透光柔性锰铜计

    公开(公告)号:CN112945446A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110135812.7

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 一种具有电磁屏蔽功能的高透光柔性锰铜计,包括基底,基底上设有敏感元件和电极,敏感元件的输入端和输出端分别连接两个电极,敏感元件和电极的表面上设有封装层;敏感元件采用锰铜箔制成,厚度为5μm;电极与敏感元件为一体式结构且由同一锰铜箔通过激光雕刻或化学腐蚀工艺制成;基底和封装层均为三明治结构:中间层为25μm厚的PI/纳米银线复合薄膜,上层和下层是1μm厚的陶瓷薄膜,通过MEMS溅射工艺形成于中间层表面;基底、封装层、电极以及敏感元件通过热压封装工艺形成锰铜计;本发明能够屏蔽电磁辐射干扰且可避免高压旁路效应,具有耐高温、高透光性、响应快、柔性化、薄膜化以及适用于微尺度装药爆压测量等特点。

    一种基于电容耦合的微小飞片速度测量装置

    公开(公告)号:CN115267244A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202211009971.3

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 一种基于电容耦合的微小飞片速度测量装置,包括飞片,飞片飞过测速管内部,测速管外表面设有输入电极和输出电极,输入电极输入信号由激励源提供,输出电极输出信号与信号处理单元连接,信号处理单元输出信号与数据采集模块连接,数据采集模块输出信号与上位机连接;输入电极与输出电极通过绝缘的壳体与管孔内空气介质耦合形成电容C,当采用激励源给输入电极施加交流激励电压信号时,输出电极上的交流信号则会反映出被飞片影响的电介质电导率信息,通过分析电导率信息即可得到飞片速度;本发明结构简单、成本较低、精度较高,能够适用于微小飞片速度的非接触式测量。

    一种基于力致发光材料的冲击压力测试装置及方法

    公开(公告)号:CN113188696A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110385473.8

    申请日:2021-04-10

    Abstract: 一种基于力致发光材料的冲击压力测试装置及方法,包括压力产生装置,压力产生装置与阻抗匹配材料底平面接触,阻抗匹配材料上平面和斜面上设有力致荧光材料;力致荧光材料与线性光纤阵列相对,线性光纤阵列输出和光分路器输入连接,光分路器输出通过光纤和光电探测器输入连接,光电探测器输出通过同轴电缆和示波器输入连接;压力产生装置生成的爆轰波或冲击波传播至阻抗匹配材料,在力致荧光材料上产生光信号,线性光纤阵列接收的光信号通过光分路器和光纤传输至光电探测器,光电探测器将光信号转换成电信号,电信号通过同轴电缆传输至示波器,示波器将电信号显示于屏幕上;本发明无需电极引线,且可避免瞬态高温和电磁辐射对信号的干扰。

    一种将石墨烯转移至有机玻璃衬底的方法

    公开(公告)号:CN111620330A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010438315.X

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 一种将石墨烯转移至有机玻璃衬底的方法,先在金属箔上生长单层石墨烯;再将石墨烯/金属箔置于载体之间将金属箔压平;然后在石墨烯表面旋涂一层光刻胶,进行固化;再配制金属箔的刻蚀液,将光刻胶/石墨烯/金属箔置于刻蚀液中对金属箔进行刻蚀;然后用PMMA目标衬底捞取光刻胶/石墨烯,将光刻胶/石墨烯释放至去离子水中进行漂洗,漂洗完后将光刻胶/石墨烯/PMMA目标衬底置于实验台上吹干;然后将光刻胶/石墨烯/PMMA目标衬底置于热板上烘干;对光刻胶进行紫外线曝光;接着利用显影液进行显影,然后用去离子水进行漂洗,最后烘干,完成将石墨烯转移至PMMA目标衬底;本发明简单易行,成功率高,且不会残留光刻胶杂质。

    一种基于力致发光材料的冲击压力测试装置及方法

    公开(公告)号:CN113188696B

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202110385473.8

    申请日:2021-04-10

    Abstract: 一种基于力致发光材料的冲击压力测试装置及方法,包括压力产生装置,压力产生装置与阻抗匹配材料底平面接触,阻抗匹配材料上平面和斜面上设有力致荧光材料;力致荧光材料与线性光纤阵列相对,线性光纤阵列输出和光分路器输入连接,光分路器输出通过光纤和光电探测器输入连接,光电探测器输出通过同轴电缆和示波器输入连接;压力产生装置生成的爆轰波或冲击波传播至阻抗匹配材料,在力致荧光材料上产生光信号,线性光纤阵列接收的光信号通过光分路器和光纤传输至光电探测器,光电探测器将光信号转换成电信号,电信号通过同轴电缆传输至示波器,示波器将电信号显示于屏幕上;本发明无需电极引线,且可避免瞬态高温和电磁辐射对信号的干扰。

    基于光-机-电-热多物理场耦合的MEMS耐高温压力传感器

    公开(公告)号:CN115342954A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202211009968.1

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 一种基于光‑机‑电‑热多物理场耦合的MEMS耐高温压力传感器,包括安装在封装壳内的传感器芯片,传感器芯片变形信号输出和固定在封装壳内的耐高温光纤连接,传感器芯片电信号输出和封装壳上的耐高温引线连接;传感器芯片包括基底,基底上依次设有绝缘层、底电极、压电薄膜、测温元件和顶电极,基底的反射膜和耐高温光纤端面构成F‑P腔;利用压电薄膜实现了高温环境下压力峰值与压力脉宽的测量,通过对比压电薄膜与F‑P腔获得的压力值,实现了压力峰值自校准,通过测温元件获得了压力测量环境的温度值,实现对F‑P腔测压的温度补偿;本发明具有体积小、耐高温、宽量程、高频响、高精度等特点,适用高温恶劣环境中微小尺度下高压的动态测量。

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