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公开(公告)号:CN115188820A
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202210806660.3
申请日:2022-07-08
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L21/335
摘要: 本发明公开了一种基于InN/AlGaN/GaN异质结的p沟道金属氧化物半导体场效应管及制备方法,主要解决现有p沟道MOSFET器件空穴迁移率和二维空穴气浓度低的问题。其自下而上包括:衬底层(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、p型层(5)、SiO2栅介质层(6),该介质层左右两端分别设有源极(7)和漏极(8),中间刻蚀有栅凹槽,栅凹槽处设有栅极(9),其特征在于,AlGaN势垒层与p型层之间增设有未掺杂的InN沟道层(4),以提升二维空穴气浓度和空穴迁移率,且p型层采用InN材料,以提升空穴迁移率,本发明提升了器件的工作频率和输出功率,可用于GaN基功率集成电路和互补逻辑电路。