公开(公告)号：CN113594235A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110856403.6

申请日：2021-07-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  淡一涛 ,  王小虎 ,  杜鸣 ,  曹艳荣 ,  吕玲 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种抗单粒子烧毁的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极(7)，源极的右侧设有与源极之间的间距为1～5μm的p‑GaN层(4)，该p‑GaN层上方设有栅极(8)，该栅极上连接有栅场板(9)，该漏极的左侧设有与漏极相连的阶梯型漏极场板(10)，该阶梯型漏极场板(10)由m个阶梯场板组成。本发明由于采用阶梯型的漏极场板结构，有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。

公开(公告)号：CN111063806A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911300093.9

申请日：2019-12-16

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 习鹤 ,  朱伟佳 ,  张春福 ,  吕玲 ,  曹艳荣

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积 Base衍生物有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。本发明公开的太阳能电池工艺简单，成本较低；同时，制备的太阳能电池具有较高的转化率和稳定性。

公开(公告)号：CN107394022B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710610925.1

申请日：2017-09-05

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  杜金娟 ,  许晟瑞 ,  吕玲 ,  郝跃 ,  李培咸 ,  陶鸿昌 ,  林志宇 ,  张金风

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中多量子阱包括五个周期，Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制，以获得不同波长的LED，之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层，在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽，使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内，以提高p型GaN和量子阱的接触面积，有利于空穴的注入，本发明提高了发光效率，可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。

公开(公告)号：CN107481928A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710611423.0

申请日：2017-07-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  杜金娟 ,  许晟瑞 ,  郝跃 ,  吕玲 ,  李培咸 ,  陶鸿昌 ,  林志宇 ,  张金风

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872

摘要： 本发明公开了一种基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的漏电高的问题。其自上而下包括：衬底(1)，重掺杂n型非极性GaN外延层(2)和轻掺杂n型非极性GaN层(3)，且重掺杂n型非极性GaN外延层(2)上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极(4)，轻掺杂n型非极性GaN层(3)上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极(5)，衬底(1)选用非极性GaN体材料，本发明利用非极性GaN体材料衬底中位错密度小，且位错横向生长的特点，减少了漏电通道的形成，降低了器件的泄漏电流，提高器件的性能，可用作高频、低压、大电流整流二极管或小信号检波。

公开(公告)号：CN107302033A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710471829.3

申请日：2017-06-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毕臻 ,  杨晓东 ,  张进成 ,  张春福 ,  吕玲 ,  林志宇

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0735

摘要： 本发明公开了一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池，包括n-Si衬底和InGaN/GaN层，InGaN/GaN层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构和p-GaN层，p-GaN层表面为纳米陷光结构；p-GaN层和n-GaN层表面引出Ni/Cr/Au欧姆电极。本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有陷光结构的InGaN/GaN电池原型器件，包括表面条栅结构和周期性纳米阵列，实现表面高减反特性；由于采用了纳米陷光结构，有利于增加入射光程，增加光程和有效光吸收，产生更多的光生载流子，提高电池的光电流和转换效率。

公开(公告)号：CN106684515A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611185444.2

申请日：2016-12-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 吕玲 ,  王少波 ,  杜林 ,  马晓华 ,  张进成 ,  曹艳荣 ,  习鹤 ,  郝跃

IPC分类号： H01P3/08 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC分类号： H01P3/08 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00015 ,  H01P3/081

摘要： 本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基片和下硅基片；倒置层位于上硅基片的上表面；微带线包括下金属层和上金属层，上金属层固定在倒置层中，下金属层制备在上金属层的下表面，并暴露在腔体中；腔体刻蚀在上硅基片之内，位于微带线正下方，并将微带线悬空；金属接地层位于腔体的下方，并嵌入在上硅基片和下硅基片之间。本发明制作方法的加工精度高，实现了一种低损耗，加工简单的毫米波传输线结构。

公开(公告)号：CN101252088A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810017835.2

申请日：2008-03-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进城 ,  郑鹏天 ,  郝跃 ,  董作典 ,  王冲 ,  张金风 ,  吕玲 ,  秦雪雪

IPC分类号： H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种新型增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小。可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通过在AlN成核层和GaN外延层生长之后，在二次GaN外延层和AlGaN层生长之前，采用刻蚀台面的方法，使台面侧面上的异质结材料沿着非极化方向生长，从而极大的减弱了台面侧面上的异质结材料中的二维电子气密度。这样，将器件的栅极制作在台面的侧面上，当栅极上没有加电压时，导电沟道不会导通或者弱导通；当栅极上外加一定正偏压时，导电沟道导通。本发明可用于高温高频大功率场合、大功率开关以及数字电路中。

公开(公告)号：CN113594236B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110856863.9

申请日：2021-07-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  淡一涛 ,  王小虎 ,  杜鸣 ,  吕玲 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极(7)，源极的右侧设有与源极之间距离为1～5μm的p‑GaN层(4)，该p‑GaN层上方设有栅极(8)，该栅极上连接有栅场板(9)，该漏极的左侧设有与漏极相连的n型半导体漏极场板(10)，该n型半导体漏极场板与势垒层之间的距离为10～100nm。本发明有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。

公开(公告)号：CN116722040A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310545127.0

申请日：2023-05-15

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 曹艳荣 ,  马毛旦 ,  吕航航 ,  王志恒 ,  张新祥 ,  陈川 ,  吴琳姗 ,  吕玲 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，包括：依次位于SiC衬底层上的AlN成核层和GaN缓冲层；N+GaN区，位于GaN缓冲层中；GaN凸台，位于GaN缓冲层上，且其紧接N+GaN区；源电极和漏电极，分别位于GaN缓冲层两端的表面；AlGaN势垒层，位于源电极和漏电极之间的GaN缓冲层、GaN凸台和N+GaN区上；SiN钝化层，位于源电极和漏电极之间的AlGaN势垒层上；栅电极，贯穿SiN钝化层位于AlGaN势垒层上，且与GaN凸台正相对；其中，N+GaN区，位于漏电极和栅电极之间的GaN缓冲层中。本发明是一种新型的增强型GaN基HEMT器件结构，具有较高的器件性能。

公开(公告)号：CN114496934A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210090171.2

申请日：2022-01-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 武玫 ,  李仕明 ,  杨凌 ,  王平 ,  侯斌 ,  张濛 ,  吕玲 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L27/088

摘要： 本发明公开了一种GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，并在AlGaN势垒层上生长SiN介质层和金刚石层；刻蚀去除部分金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HEMT器件的第一源、漏电极；对金刚石层进行氢终端处理，并在氢终端金刚石上制作MOSFET器件的第二源、漏电极；在氢终端金刚石上沉积Al2O3，形成栅介质层；在SiN介质层上制作HEMT器件的第一栅电极；在栅介质层上制作MOSFET器件的第二栅电极。本发明实现了n型GaN HEMT与p型金刚石MOSFET两种器件的异质集成，有利于减小器件体积，提高集成度，为高温CMOS应用提供解决方案；同时调制了GaN HEMTs的热产生分布，提升器件散热能力。