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公开(公告)号：CN117750794B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410194116.7
申请日：2024-02-21
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种马赛克钙钛矿‑晶硅太阳电池组件及其制备方法，组件包括：钙钛矿太阳电池层、晶硅太阳电池层和互连背板，其中，钙钛矿太阳电池层包括呈阵列分布的若干钙钛矿太阳电池单元；晶硅太阳电池层包括若干电极导电单元，若干电极导电单元一一对应的电学耦合在若干钙钛矿太阳电池单元上，部分电极导电单元靠近钙钛矿太阳电池单元的一侧电学耦合有晶硅太阳电池以形成马赛克图案，晶硅太阳电池与钙钛矿太阳电池单元之间光学耦合；互连背板表面的互连结构与若干电极导电单元电学耦合。该组件中，晶硅太阳电池可以相对自由地与任意钙钛矿太阳电池单元进行光学耦合，大大提升了马赛克图案设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN117673185A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410149750.9
申请日：2024-02-02
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/048 , H01L31/18 , H10K39/15 , H10K39/18 , H10K30/88 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K71/00 , D03D15/50 , D03D15/533
摘要： 本发明公开了一种包芯纱工艺封装的叠层电池组件，包括叠层子电池、导电纤维芯线和外包透明纤维，其中，叠层子电池通过导电纤维芯线依次串联，得到叠层电池组件，前一个叠层子电池的阴极通过导电纤维芯线与后一个叠层子电池的阳极连接；外包透明纤维以包芯纱工艺，包覆在叠层电池组件的外部，以对叠层电池组件进行封装；位于叠层电池组件两端的导电纤维芯线从外包透明纤维两端伸出。本发明通过包芯纱工艺，将微型的叠层子电池串联后，利用外包透明纤维直接封装成一定长度的可纺纱线，可以将光伏发电集成于可穿戴织物的纱线，实现光伏组件的高效可穿戴集成。
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公开(公告)号：CN116885010B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311155038.1
申请日：2023-09-08
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H03K19/0185 , H03K3/356 , H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种P型DSOI FinFET器件和抗单粒子效应反相器，该P型DSOI FinFET器件包括衬底层，设置于衬底层上的第二埋氧层，设置于第二埋氧层上的绝缘体上硅，设置于绝缘体上硅上的第一埋氧层，设置于第一埋氧层上表面的两端的源极和漏极，设置于第一埋氧层的上表面且位于源极和漏极之间的栅极，分别垂直且间隔设置于第一埋氧层上的数条鳍，且数条鳍贯穿源极、栅极和漏极，设置于鳍和栅极之间的栅氧化层，本发明的P型DSOI FinFET器件可以有效控制第一埋氧层的内部电场，具有较好抗单粒子效应的能力。
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公开(公告)号：CN116916720A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310881589.X
申请日：2023-07-18
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明提出了一种基于倒置两步法的CsPbBr3太阳电池制备方法，实现步骤为：在透明导电衬底上沉积电子传输层和CsBr；生成CsPbBr3吸光层；生成空穴传输层；生成氧化钼缓冲层；获取制备结果。本发明首先在透明导电衬底上沉积n型半导体氧化物作为电子传输层，并在形成的电子传输层上沉积CsBr薄膜，然后在CsBr薄膜上沉积PbBr2薄膜，经过退火结晶，形成CsPbBr3钙钛矿层，这种倒置两步法由于CsBr层的密度与CsPbBr3层的密度相近，在沉积的过程中所形成的两个薄膜体积变化较小，能够降低晶格畸变并使CsBr和PbBr2反应更充分，能够降低载流子的复合，进而有效提高了CsPbBr3太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116546830A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310454106.8
申请日：2023-04-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H10K30/82 , H10K30/80 , H10K30/88 , H10K30/85 , H10K30/86 , H10K85/50 , H10K39/10 , H10K71/00
摘要： 本发明涉及一种基于双面半透明钙钛矿的太阳能电池模组及制备方法，太阳能电池模组包括透明玻璃衬底层、第一透明电极层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、缓冲层、第二透明电极层和封装保护及减反射层。本发明可以减少钙钛矿吸光层、空穴传输层等的横向离子扩散，进而提高太阳能电池模组的工作稳定性。本发明的封装保护及减反射层不仅能保护太阳能电池模组减少水汽的侵害，稳定太阳电池的结构，而且通过封装保护及减反射层中的减反射作用，可以增强太阳能电池模组对光的利用率。
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公开(公告)号：CN115696937A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211281110.0
申请日：2022-10-19
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法，包括：获取衬底；在其上制备SU‑8/PMMA层得到SU‑8/PMMA/衬底基底；去除SU‑8/PMMA/衬底基底中多个区域的SU‑8/PMMA层得到多个狭缝状三维空间；在多个狭缝状三维空间中，利用过饱和MAPbI3溶液以及顶部覆盖刮刀移动的方式生长钙钛矿单晶阵列；去除阵列中间隔的SU‑8/PMMA层，在形成的狭缝状三维空间中再次生长钙钛矿单晶阵列，得到一层完整的钙钛矿单晶薄膜；基于至少一层钙钛矿单晶薄膜，在表面上制备电极得到X射线探测器。本发明能生长大尺寸、厚度均匀可控、高质量的钙钛矿单晶薄膜，制备大面积、高性能X射线探测器。
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公开(公告)号：CN115483232A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211060654.4
申请日：2022-08-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；金属电极，位于衬底的一侧，且阵列排布；金属走线，位于衬底的一侧，与金属电极位于同层，且金属电极通过金属走线电连接；保护层，位于金属电极和金属走线背离衬底的一侧；在采用激光刻蚀过程中，保护层用于保护金属电极和金属走线；光吸收层，位于保护层背离衬底的一侧。本申请可实现在激光刻蚀的过程中对金属电极和金属走线进行保护，拓宽了激光刻蚀阵列的工艺窗口，提高了光电探测器阵列的探测精度。
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公开(公告)号：CN114914362A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210590796.5
申请日：2022-05-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种高效稳定钛矿太阳能电池的制备方法，在钛矿太阳能电池制备过程中，通过在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加剂制备的钙钛矿薄膜作为钙钛矿吸光层，钝化缺陷添加剂的小分子结构包括羰基、氨基、苯环和氟基。其中羰基能与钙钛矿溶液中配位不足的Pb2+离子结合，或者是与其他缺陷态的阳离子结合，形成刘易斯络合物，从而钝化薄膜缺陷；氟基团有着较强的疏水性，可以提高钙钛矿太阳能器件的稳定性，并且是钙钛矿层与空穴传输层之间有效电荷的传输通道；而氨基提高了C＝O和Pb2+的配位能力，减少晶粒表面的缺陷，提高钙钛矿成膜质量，并且氨基与碘化物结合可以抑制离子迁移，进一步增强钝化效果。
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公开(公告)号：CN111834487B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010725697.4
申请日：2020-07-24
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器及制备方法，依次在处理好的FTO导电玻璃衬底上旋涂TiO2溶胶前驱体，得到致密的TiO2电子传输层；然后利用溶液法生长微米级的CsPbIxCl3‑x钙钛矿纳米线，并制备光电探测器。器件结构自上而下包括玻璃衬底、FTO电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和电极。本发明基于CsPbIxCl3‑x纳米线碳基钙钛矿光电探测器同时具有高灵敏度，快速响应和良好的稳定性，在300～520nm范围内具皮秒级的暗电流和0.2A/W的优异光电探测度。
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公开(公告)号：CN114361340A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111425930.8
申请日：2021-11-22
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于纳米金刚石的杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括：获取导电衬底并清洗，所述导电衬底包括玻璃衬底和透明氧化物底电极；在所述透明氧化物底电极上生长包含纳米金刚石颗粒的改进型电子传输层；在所述改进型电子传输层上生长杂化钙钛矿吸光层；在所述杂化钙钛矿吸光层上生长包含纳米金刚石颗粒的改进型空穴传输层；在所述改进型空穴传输层上生长界面顶电极。本发明在钙钛矿太阳能电池的基础上，采用纳米金刚石材料来散热，可改善器件各层的导热率，在不破坏原有器件整体光伏结构和性能的同时，提升了整体器件的热稳定性。
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