-
公开(公告)号：CN115332333A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211010681.0
申请日：2022-08-23
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/205 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，主要解决现有HEMT器件中异质结界面处由于极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：GaAs衬底(1)、AlGaAs沟道层(2)、ScAlN势垒层(3)；该ScAlN势垒层的两端设有漏极(4)和源极(5)，中间设有栅极(6)，其漏、栅电极之间和源、栅电极之间淀积有Si3N4钝化层(7)。本发明选用AlGaAs材料作为沟道层并选用ScAlN超宽禁带材料作为势垒层，增大了ScAlN/AlGaAs异质结中的极化效应和带隙差，使整体二维电子气2DEG密度能维持在较高水平，可用来制备高频、大功率微波器件。
-
公开(公告)号：CN114975623A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210658275.9
申请日：2022-06-10
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/51 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有HEMT器件势垒层Al组分及二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)和势垒层(4)，该势垒层的两端分别设有漏源电极(6，7)，中间设有栅电极(8)，势垒层未淀积电极的位置处为栅介质层(5)，其上设有Si3N4钝化层(9)，该势垒层采用AlGaSbN材料，以增加Al组分，实现与GaN缓冲层(3)的晶格匹配；该栅介质层采用SiO2材料，以减小栅极漏电。本发明提升了二维电子气的浓度和工作效率，可用来制作GaN基高压大功率电子器件和射频电子器件。
-
公开(公告)号：CN111816739B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010826165.X
申请日：2020-08-17
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN113862780A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110939567.5
申请日：2021-08-16
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： C30B25/12 , C30B25/16 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种应用于MOCVD设备的可伸缩基座，所述基座包括：基体、压力传感器、伸缩杆、控制装置；其中，所述基体包括母材和涂层；所述基体内部均匀的分布多个伸缩杆；所述压力传感器位于所述伸缩杆顶部；所述控制装置位于所述基体底部中间；所述控制装置内部署有数据处理模块；所述控制装置、压力传感器和伸缩杆部署有通信模块。所述基座能够根据压力信息进行智能伸缩，能够解决在外延生长时由于温度升高导致衬底与基座发生分离的现象，能够保证基座与衬底实时保持贴合状态，从而使衬底各处能够均匀加热，使衬底各处的温度均匀分布，以提高外延生长得到的半导体材料的晶体薄膜质量。
-
公开(公告)号：CN111816739A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010826165.X
申请日：2020-08-17
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN114864766A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210657492.6
申请日：2022-06-10
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED及制备方法，主要解决现有红光LED高In组分InGaN生长困难，In原子偏析严重，量子限制斯塔克效应显著，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/GaN多量子阱(4)、电子阻挡层(6)和p型层(7)，该p型层上设有正电极(8)，该n型GaN层上设有负电极(9)，该多量子阱与电子阻挡层之间溅射有金属In层(5)，通过热扩散，使得多量子阱层中In组分增加，发射波长变长。本发明提高了发光二极管效率，可用于制作高效率的发射红光器件，实现氮化物的全色显示。
-
公开(公告)号：CN115763606A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211029746.6
申请日：2022-08-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法，主要解决现有三结GaInP/GaAs/Ge电池入射光波长的利用率低及光电转换效率有限的问题。其自下而上包括：Ge吸收层、Si吸收层、GaAs吸收层、InGaN吸收层、GaN吸收层、AlGaN吸收层、金刚石吸收层。该InGaN吸收层采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料；该AlGaN吸收层采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料；该所有吸收层采用材料的禁带宽度从上至下依次减小，以提高入射光波长的吸收效率。本发明采用多结光电转换结构，增加了P‑N结数，降低了能量损耗，提升了光电转换效率，可用于制作高光电转化效率的太阳能电池。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.085 秒)