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公开(公告)号：CN101252100B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810017836.7
申请日：2008-03-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/762 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上先淀积隔离介质薄膜，根据设计掩膜对隔离介质薄膜进行选择性刻蚀，去掉介质膜露出衬底表面的区域即窗口区为器件的有源区，有源区以外保留隔离介质薄膜。然后采用MOCVD技术继续进行GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构生长，只在窗口区生长出AlGaN/GaN异质结构，介质薄膜区表面只有GaN和AlGaN多晶颗粒，这样就形成了有源区绝缘隔离，即器件隔离和材料生长是同时完成的。本发明可用于制作高性能的异质结构器件和大功率器件等。
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公开(公告)号：CN101252100A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810017836.7
申请日：2008-03-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/762 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上先淀积隔离介质薄膜，根据设计掩膜对隔离介质薄膜进行选择性刻蚀，去掉介质膜露出衬底表面的区域即窗口区为器件的有源区，有源区以外保留隔离介质薄膜。然后采用MOCVD技术继续进行GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构生长，只在窗口区生长出AlGaN/GaN异质结构，介质薄膜区表面只有GaN和AlGaN多晶颗粒，这样就形成了有源区绝缘隔离，即器件隔离和材料生长是同时完成的。本发明可用于制作高性能的异质结构器件和大功率器件等。
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公开(公告)号：CN101252088B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810017835.2
申请日：2008-03-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小，可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通过在AlN成核层和GaN外延层生长之后，在二次GaN外延层和AlGaN层生长之前，采用刻蚀台面的方法，使台面侧面上的异质结材料沿着非极化方向生长，从而极大的减弱了台面侧面上的异质结材料中的二维电子气密度。这样，将器件的栅极制作在台面的侧面上，当栅极上没有加电压时，导电沟道不会导通或者弱导通；当栅极上外加一定正偏压时，导电沟道导通。本发明可用于高温高频大功率场合、大功率开关以及数字电路中。
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公开(公告)号：CN101252088A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810017835.2
申请日：2008-03-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种新型增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小。可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通过在AlN成核层和GaN外延层生长之后，在二次GaN外延层和AlGaN层生长之前，采用刻蚀台面的方法，使台面侧面上的异质结材料沿着非极化方向生长，从而极大的减弱了台面侧面上的异质结材料中的二维电子气密度。这样，将器件的栅极制作在台面的侧面上，当栅极上没有加电压时，导电沟道不会导通或者弱导通；当栅极上外加一定正偏压时，导电沟道导通。本发明可用于高温高频大功率场合、大功率开关以及数字电路中。
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