公开(公告)号：CN112466769B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202011311567.2

申请日：2020-11-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  马晓华 ,  龚星星 ,  张豪 ,  王冲 ,  吕玲 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测试结构，即位于栅极和漏极之间势垒层中的一系列欧姆接触电极，然后将被测HEMT器件加上关态偏置，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以待测欧姆电极与栅极距离的差值，即得到沟道电场强度分布。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析器件耐压特性与提高器件可靠性提供重要依据。

公开(公告)号：CN112466770A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011314832.2

申请日：2020-11-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  马晓华 ,  龚星星 ,  张豪 ,  王冲 ,  曹艳荣 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供一种基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法，主要解决器件源漏沟道区不同位置处热电子效应难以定量表征的问题。其实现方案是在待测异质结器件上制备辅助测试结构形成测试图形。即位于源极和漏极之间势垒层中的一系列规格一致的欧姆接触电极，然后对被测异质结器件施加热电子应力，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以其导通电流，即得到异质结器件沟道区不同位置处的沟道电阻，进而得到沟道区不同位置处的热电子数量。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续提高器件可靠性提供重要依据。

公开(公告)号：CN112466770B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202011314832.2

申请日：2020-11-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  马晓华 ,  龚星星 ,  张豪 ,  王冲 ,  曹艳荣 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供一种基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法，主要解决器件源漏沟道区不同位置处热电子效应难以定量表征的问题。其实现方案是在待测异质结器件上制备辅助测试结构形成测试图形。即位于源极和漏极之间势垒层中的一系列规格一致的欧姆接触电极，然后对被测异质结器件施加热电子应力，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以其导通电流，即得到异质结器件沟道区不同位置处的沟道电阻，进而得到沟道区不同位置处的热电子数量。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续提高器件可靠性提供重要依据。

公开(公告)号：CN112466769A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011311567.2

申请日：2020-11-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郑雪峰 ,  马晓华 ,  龚星星 ,  张豪 ,  王冲 ,  吕玲 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测试结构，即位于栅极和漏极之间势垒层中的一系列欧姆接触电极，然后将被测HEMT器件加上关态偏置，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以待测欧姆电极与栅极距离的差值，即得到沟道电场强度分布。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析器件耐压特性与提高器件可靠性提供重要依据。