先进工艺CMOS集成电路多层互连的热等效电路简化方法

    公开(公告)号:CN117787192A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311829583.4

    申请日:2023-12-27

    IPC分类号: G06F30/394 G06F30/398

    摘要: 本发明涉及一种先进工艺CMOS集成电路多层互连的热等效电路简化方法,通过绘制先进工艺CMOS集成电路多层互连三维模型的结构剖面图;根据内部热流传递规律绘制初步简化的热流传递示意图,再绘制初步简化热等效电路;对结构进行热仿真和结果可视化处理;结合可视化热仿真结果与传热学原理对初步简化的热流传递示意图进行分析和再次简化得到结构的热流传递简化图;根据该热流传递简化图对结构的初步简化的热等效电路分析和再次简化,并根据热仿真结果验证和优化得到最终的热等效电路。本发明能够将与集成电路与相关的复杂热传导问题转化为电学问题,极大程度地提高工程中解决先进工艺CMOS集成电路多层互连结构的热学问题的效率。

    一种计算先进工艺CMOS集成电路互连层纵向温度分布的方法

    公开(公告)号:CN117709293A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311716372.X

    申请日:2023-12-13

    IPC分类号: G06F30/398 G06F117/12

    摘要: 本发明提供了一种计算先进工艺CMOS集成电路互连层纵向温度分布的方法,将层间介质层中所有热流方向均视为向下平行传递;水平方向上对模型各层进行了区域划分,各区域仅接收并传递全局互连线向水平面的投影与该区域向水平面投影能够重合的这一部分全局互连线产生的热量;热流在经过互连线时所产生的温升被忽略掉。然后计算出各互连层每个区域的温升后,按照其横向几何尺寸占比将温升进行加权,得到最终仅需几何尺寸和热源功耗即可快速地近似计算任意两层互连层之间温升的方法。因此本发明可以降低计算互连层之间温升的难度和成本,并保证了计算准确率。