用于EUV光源的集光器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102256429A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110094574.6

    申请日:2004-04-07

    IPC分类号: H05G2/00 G03F7/20 G21K1/06

    摘要: 揭示一种从EUV光源EUV集光器反射表面去除碎片的方法与设备,反射表面含第一材料,碎片含第二材料和/或第二材料的化合物。该系统与方法包括一受控的溅射离子源,该溅射离子源包括含溅射离子材料原子的气体;和一把溅射离子材料的原子激发成电离态的激发机构,电离态被选成具有围绕选定能量峰的分布,对第二材料具有高的溅射概率,而对第一材料具有极低的溅射概率。激发机构包括一RF或微波感应机构。气体保持于部分决定选定能量峰的压力,激发机构产生溅射离子材料的离子流入量,从反射器表面形成第二材料的原子溅射密度,它等于或超过第二材料等离子体碎片原子的流入速率。对指定的反射表面期望寿命选择溅射速率。反射表面可被覆盖。集光器包括椭圆镜与包含径向延伸沟道的碎片屏。第一材料是钼,第二材料为锂,离子材料为氦,系统具有从反射表面蒸发第二材料的加热器,激发机构在点火时刻之间连接反射表面,反射表面有阻挡层。集光器是组合了掠入射角反射器壳体的球面镜,通过对反射器壳体上的多层堆选用层材料,壳体可用作光谱滤波器。溅射可结合加热,后者去除锂,前者去除锂化合物,可用等离子体生成的离子作溅射而不用受激的气体原子。

    用于EUV光源的集光器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1771072A

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:CN200480009342.4

    申请日:2004-04-07

    IPC分类号: A61N5/00

    摘要: 揭示一种从EUV光源EUV集光器反射表面去除碎片的方法与设备,反射表面含第一材料,碎片含第二材料和/或第二材料的化合物。该系统与方法包括一受控的溅射离子源,该溅射离子源包括含溅射离子材料原子的气体;和一把溅射离子材料的原子激发成电离态的激发机构,电离态被选成具有围绕选定能量峰的分布,对第二材料具有高的溅射概率,而对第一材料具有极低的溅射概率。激发机构包括一RF或微波感应机构。气体保持于部分决定选定能量峰的压力,激发机构产生溅射离子材料的离子流入量,从反射器表面形成第二材料的原子溅射密度,它等于或超过第二材料等离子体碎片原子的流入速率。对指定的反射表面期望寿命选择溅射速率。反射表面可被覆盖。集光器包括椭圆镜与包含径向延伸沟道的碎片屏。第一材料是钼,第二材料为锂,离子材料为氦,系统具有从反射表面蒸发第二材料的加热器,激发机构在点火时刻之间连接反射表面,反射表面有阻挡层。集光器是组合了掠入射角反射器壳体的球面镜,通过对反射器壳体上的多层堆选用层材料,壳体可用作光谱滤波器。溅射可结合加热,后者去除锂,前者去除锂化合物,可用等离子体生成的离子作溅射而不用受激的气体原子。