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公开(公告)号：CN106914609B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710288405.3
申请日：2017-04-27
Applicant: 重庆大学 , 重庆硕龙科技有限公司
IPC: B22D41/015 , B22D27/04 , B22D11/16
Abstract: 本发明公开了一种铝合金熔体加热保温方法，包括加热保温铝合金熔体的步骤，该步骤中采用铝合金熔体加热保温装置来对熔体进行加热保温，铝合金熔体加热保温装置包括炉体、电加热元件、温控器和温度传感器；炉体的内部具有容腔，容腔构成熔体调温炉室；温度传感器安装在炉体上；其特征是：加热保温铝合金熔体的步骤还包括间接加热的步骤，间接加热的步骤包括利用炉体的炉衬的内侧面来形成加热面，加热面用于对熔体调温炉室内的铝合金熔体进行加热。本发明的铝合金熔体加热保温方法，具有实施简单方便，熔池受热和温度分布均匀，易于安装、更换电加热元件，方便熔池熔渣清除作业、安全可靠的优点。
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公开(公告)号：CN104300013A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410185529.5
申请日：2014-05-05
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0312 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n+型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，GeSn光吸收阵列的顶部为p+型GeSn金属接触阵列105，应变源阵列的顶部为p+型SiGe金属接触阵列106，第一电极107环绕在探测器的光照区金属接触阵列之上，第二电极108在n+型衬底之上。其中应变源阵列104的材料的晶格常数比光吸收阵列103的材料小，形成对光吸收区的应变，该应变在xy平面内为双轴张应变，在z方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使直接带隙EgΓ宽度减小，从而展宽探测器的光响应范围。
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公开(公告)号：CN103681868A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310752768.X
申请日：2013-12-31
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105）。源漏应变源（106）的晶格常数比源漏极区（101）大，形成对沟道区的应变，该应变在yz平面内为双轴张应变，在x方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使间接带隙结构利于转化为直接带隙结构，Γ点参与导电的电子数目大大增加，从而提高MOSFET性能。
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公开(公告)号：CN100438937C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02128122.X
申请日：2002-12-30
Applicant: 重庆大学
IPC: A61M31/00
Abstract: 本发明公开了一种微型药物释放装置，它由具有生物相容性、带有药物释放端口、表面光滑的壳体，封装固定在壳体内一端区域的永久磁体、封装固定在壳体另一端区域中的电源磁控开关电路，以及封装固定在两区域间、腔室内盛药物、释放口被阀门封闭的微型泵所组成；优点是：体积微小方便吞服，表面光滑不损伤消化道，装置外壳由生物相容性材料制作，不能引起不良放应，使用更加安全，装置中永久磁体，可以由监视器准确测出微型药物释放置在体内的位置，通过触发控制装置，可以实现药物准确的在特定地点快释放。
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公开(公告)号：CN106895700B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710131325.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 重庆大学 , 重庆硕龙科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铝合金熔化方法，包括获取熔化炉，并采用熔化炉来熔化铝料的步骤：熔化炉包括具有外壳的保温室，保温室的内部形成有用于盛装铝合金熔体的熔池，保温室能够维持熔池内的铝合金始终处于熔融状态；保温室的侧壁上还设置有送料通道和取汤通道，且经倾斜角约为铝料安息角的送料通道的铝料能够在推板的作用下掉落至熔池内，取汤通道能够使得熔池内的铝合金熔体向外输出；还包括预加热铝料的步骤：其特征在于：铝料经送料通道掉落至熔池之前预加热至接近熔化状态的固态状。本发明的铝合金熔化方法能够降低铝合金熔化过程中氧化、烧损和卷气的发生率，提高铝液质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104300013B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410185529.5
申请日：2014-05-05
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n+型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，GeSn光吸收阵列的顶部为p+型GeSn金属接触阵列105，应变源阵列的顶部为p+型SiGe金属接触阵列106，第一电极107环绕在探测器的光照区金属接触阵列之上，第二电极108在n+型衬底之上。其中应变源阵列104的材料的晶格常数比光吸收阵列103的材料小，形成对光吸收区的应变，该应变在xy平面内为双轴张应变，在z方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使直接带隙EgΓ宽度减小，从而展宽探测器的光响应范围。
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公开(公告)号：CN1422595A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02128141.6
申请日：2002-12-27
Applicant: 重庆大学
IPC: A61B5/06
Abstract: 一种可吞入的消化道诊疗系统,包括可吞入装置[1]及体外监测控制装置[2],体外监测控制装置[2]包括位置指示信号源探测器[3]、控制信号发生装置[4]、图像工作站[5]、监视器[6]；可吞入装置[1]包括封装外壳[7]、控制信号接收装置[8]、动作控制装置[9]、电源[10]、活塞[11]、弹簧[12],储存仓[13]、通道装置[14]、位置指示信号源[15]；该系统可以实现在监测吞入装置在体内位置的同时可靠地指示动作完成情况,具有结构简单、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN106895700A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710131325.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 重庆大学 , 重庆硕龙科技有限公司
CPC classification number: F27B14/00 , F27B14/0806 , F27B14/143 , F27B2014/004 , F27B2014/0818 , F27B2014/146 , F27D13/00 , F27D17/004 , F27M2001/012 , F27M2003/13
Abstract: 本发明公开了一种铝合金熔化方法，包括获取熔化炉，并采用熔化炉来熔化铝料的步骤：熔化炉包括具有外壳的保温室，保温室的内部形成有用于盛装铝合金熔体的熔池，保温室能够维持熔池内的铝合金始终处于熔融状态；保温室的侧壁上还设置有送料通道和取汤通道，且经倾斜角约为铝料安息角的送料通道的铝料能够在推板的作用下掉落至熔池内，取汤通道能够使得熔池内的铝合金熔体向外输出；还包括预加热铝料的步骤：其特征在于：铝料经送料通道掉落至熔池之前预加热至接近熔化状态的固态状。本发明的铝合金熔化方法能够降低铝合金熔化过程中氧化、烧损和卷气的发生率，提高铝液质量。
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公开(公告)号：CN104267463B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410579910.X
申请日：2014-10-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种新型的正交狭缝光波导结构及制造方法,包括衬底(101)，位于衬底(101)上的单晶硅层(102)及位于单晶硅层(102)上的正交狭缝结构，正交狭缝结构包括：正交结构的狭缝区域(104，105，107)，位于狭缝区域(104，105，107)正交交汇的中心区域(108)及包围狭缝区域(104，105，107)的周围区域(103，106)，中心区域(108)的折射率小于狭缝区域(104，105，107)的折射率，周围区域(103，106)的折射率大于狭缝区域(104，105，107)的折射率。本发明实现光场在狭缝结构中传输时的二维限制，并且通过调整结构尺寸和狭缝区域的材料，可以实现波导的色散与非线性特性的有效调节。
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公开(公告)号：CN104300049B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410185612.2
申请日：2014-05-05
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n+型SiGe与p+型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四周区域，应变源势垒SiGe的一端为金属接触电极。应变源SiGe材料的晶格常数比有源区GeSn材料的小，从而对有源区GeSn材料形成沿z轴方向的单轴压应变，沿xy平面的双轴张应变，这种应变状态有利于GeSn材料从间接带隙变成直接带隙；通过GeSn与SiGe形成异质结量子阱结构，实现电子-空穴快速高效的辐射复合。这种结构能有效地将电子、空穴束缚在阱内，增大电子、空穴对的复合几率，从而提高发光器的发光效率。
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