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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107835741B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201680035703.5
申请日：2016-06-13
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 马丁·B·沃克 , 托马斯·J·梅茨勒 , 赛缪尔·J·卡彭特 , 丹尼斯·泰尔齐奇 , 米切尔·T·诺曼森 , 苏曼·K·帕特尔 , 米哈伊尔·L·佩库洛夫斯基 , 唐纳德·G·皮特森 , 特里·O·科利尔
IPC: B32B3/10 , B32B3/30 , B32B5/02 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B15/04 , B32B15/08 , B32B17/06 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/12 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B29/00 , G02B6/00
Abstract: 本公开涉及分段式转印带(100)和非分段式转印带(800)，所述转印带包括至少一个图形层。所述转印带包括可移除模板层(110)；转印层(180)，所述转印层包括具有至少一个第一图形层(140)的回填层(120)，和粘合剂层(150)。分段式转印带还包括在分段式转印带中的至少一个转印型区段(185)、至少一个非转印型区段(187)，并且包括至少一个切口(190)。本公开还提供光学组件，例如微光学组件，所述光学组件可由包括至少一个图形层的所述转印带制造。本公开还提供形成所述转印带的方法以及制作所述微光学组件的方法。
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公开(公告)号：CN107820461B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201680035855.5
申请日：2016-06-13
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 马丁·B·沃克 , 托马斯·J·梅茨勒 , 赛缪尔·J·卡彭特 , 丹尼斯·泰尔齐奇 , 米切尔·T·诺曼森 , 苏曼·K·帕特尔 , 米哈伊尔·L·佩库洛夫斯基 , 唐纳德·G·皮特森
IPC: B32B3/10 , B32B3/30 , B32B5/02 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B15/04 , B32B15/08 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/12 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B29/00 , B32B37/12 , B32B38/00 , B32B38/04 , B32B38/18 , B44C1/16
Abstract: 本公开涉及可用于仅转印转印带的区段的一部分的分段式转印带及其制备方法。所述分段式转印带包括具有结构化表面的可移除模板层；包括回填层和粘合剂层的转印层，其中所述回填层具有结构化第一主表面；在所述转印层中形成的至少一个可转印区段；在所述转印层中形成的至少一个不可转印区段，所述至少一个不可转印区段包括粘合剂表面，其中钝化层设置于所述至少一个不可转印区段的粘合剂表面的至少一部分上；以及从所述粘合剂层的第一主表面延伸并进入所述可移除模板层的至少一部分中的至少一个截口。本公开还提供了微光学组件以及由所述分段式转印带制备微光学组件的方法。
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公开(公告)号：CN101688999A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021676.1
申请日：2008-05-28
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/1303 , G02F1/133305 , G02F1/133351 , G02F1/136286 , G02F2001/133354 , G02F2202/28
Abstract: 本发明公开的液晶盒制品包括设置在第一聚合物型基底和第二聚合物型基底之间的液晶材料层。第一聚合物型基底包括：多条第一平行导电线路，其沿第一方向延伸并设置在液晶材料层和第一基底之间；和第一隔离衬片，其设置在第一聚合物型基底上。第二聚合物型基底包括多条第二平行导电线路，其沿与第一方向正交的第二方向延伸并设置在液晶材料层和第二基底之间。第一聚合物型基底还包括可移除的部分，其可与第一隔离衬片一起从第一聚合物型基底分离，以暴露液晶材料层或第二平行导电线路的一部分。
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公开(公告)号：CN107835741A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680035703.5
申请日：2016-06-13
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 马丁·B·沃克 , 托马斯·J·梅茨勒 , 赛缪尔·J·卡彭特 , 丹尼斯·泰尔齐奇 , 米切尔·T·诺曼森 , 苏曼·K·帕特尔 , 米哈伊尔·L·佩库洛夫斯基 , 唐纳德·G·皮特森 , 特里·O·科利尔
IPC: B32B3/10 , B32B3/30 , B32B5/02 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B15/04 , B32B15/08 , B32B17/06 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/12 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B29/00 , G02B6/00
Abstract: 本公开涉及分段式转印带(100)和非分段式转印带(800)，所述转印带包括至少一个图形层。所述转印带包括可移除模板层(110)；转印层(180)，所述转印层包括具有至少一个第一图形层(140)的回填层(120)，和粘合剂层(150)。分段式转印带还包括在分段式转印带中的至少一个转印型区段(185)、至少一个非转印型区段(187)，并且包括至少一个切口(190)。本公开还提供光学组件，例如微光学组件，所述光学组件可由包括至少一个图形层的所述转印带制造。本公开还提供形成所述转印带的方法以及制作所述微光学组件的方法。
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公开(公告)号：CN107820461A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201680035855.5
申请日：2016-06-13
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 马丁·B·沃克 , 托马斯·J·梅茨勒 , 赛缪尔·J·卡彭特 , 丹尼斯·泰尔齐奇 , 米切尔·T·诺曼森 , 苏曼·K·帕特尔 , 米哈伊尔·L·佩库洛夫斯基 , 唐纳德·G·皮特森
IPC: B32B3/10 , B32B3/30 , B32B5/02 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B15/04 , B32B15/08 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/12 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B29/00 , B32B37/12 , B32B38/00 , B32B38/04 , B32B38/18 , B44C1/16
Abstract: 本公开涉及可用于仅转印转印带的区段的一部分的分段式转印带及其制备方法。所述分段式转印带包括具有结构化表面的可移除模板层；包括回填层和粘合剂层的转印层，其中所述回填层具有结构化第一主表面；在所述转印层中形成的至少一个可转印区段；在所述转印层中形成的至少一个不可转印区段，所述至少一个不可转印区段包括粘合剂表面，其中钝化层设置于所述至少一个不可转印区段的粘合剂表面的至少一部分上；以及从所述粘合剂层的第一主表面延伸并进入所述可移除模板层的至少一部分中的至少一个截口。本公开还提供了微光学组件以及由所述分段式转印带制备微光学组件的方法。
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