-
公开(公告)号：CN105814757A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480065956.8
申请日：2014-12-02
Applicant: IPG光子公司
IPC: H01S3/067
Abstract: 本发明激光器在所述激光器壳体内配置有多个带有尾纤的多模(MM)二极管激光器，其中每个二极管激光器在被保持在20℃?25℃的室温下接收直流输入电流。二极管激光器均被配置为在优化工作范围内操作于期望波长下操作，在所述优化工作范围内所述二极管激光器在63％到75％之间的WPE范围操作。将在每个二极管激光器中输入的直流电流选择为低于所述二极管激光器的效率曲线上的阈值，在所述阈值之后在二极管激光器的输出功率继续增加时二极管激光器的效率开始降低。激光器还配置有包括有源光纤介质的光纤增益块，其中用累计泵浦输出来对所述有源光纤介质进行泵浦，所述有源光纤介质用于在优化工作范围内发射波长是期望波长并且功率范围在几百瓦至几十千瓦甚至几百千瓦之间的激光输出。相应的MM二极管激光器和光纤增益块的优化工作范围相互匹配，以便实现相应效率最大值的叠加，提供高至55％的整体最大系统效率。
-
公开(公告)号：CN104185931A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201280067650.7
申请日：2012-12-19
Applicant: IPG光子公司
Inventor： 瓦伦丁·盖庞特瑟夫 , 瓦伦丁·弗明 , 米哈伊尔·阿布拉莫夫 , 安东·费林
CPC classification number: G02B6/03694 , G02B6/14 , H01S3/0405 , H01S3/042 , H01S3/067 , H01S3/06708 , H01S3/06733 , H01S3/08045 , H01S3/094007
Abstract: 包层吸收器单元设置在大功率光纤激光器系统的无源光纤上，并且操作为俘获和去除沿无源光纤的包层传播的高阶模式。模式吸收器具有由一个或多个液态金属及其合金制成的合成物，所述合成物被放置于在无源光纤的护套中形成的开口中。所述合成物配置为从包层去除具有预定光功率的MM光，所述预定光功率在比损坏吸收器的阈值温度低的温度下加热所述合成物。
-
公开(公告)号：CN104094483A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280062664.X
申请日：2012-12-19
Applicant: IPG光子公司
Inventor： 瓦伦丁·盖庞特瑟夫 , 瓦伦丁·弗明 , 米哈伊尔·阿布拉莫夫 , 安东·费林
CPC classification number: G02B6/03694 , G02B6/14 , H01S3/042 , H01S3/06745 , H01S3/06754 , H01S3/08045
Abstract: 包层吸收器单元被设置在大功率光纤激光器系统的无源光纤上，并且操作为俘获和去除沿光纤的波导包层传播的模式。模式吸收器配置有这样的优选长度，使得可以以局部化方式，在整个长度上基本上均匀地去除所述包层光。以均匀方式去除包层光的吸收器包括注入了漫射体的基质材料。
-
公开(公告)号：CN105814757B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201480065956.8
申请日：2014-12-02
Applicant: IPG光子公司
IPC: H01S3/067
Abstract: 本发明激光器在所述激光器壳体内配置有多个带有尾纤的多模(MM)二极管激光器，其中每个二极管激光器在被保持在20℃‑25℃的室温下接收直流输入电流。二极管激光器均被配置为在优化工作范围内操作于期望波长下操作，在所述优化工作范围内所述二极管激光器在63％到75％之间的WPE范围操作。将在每个二极管激光器中输入的直流电流选择为低于所述二极管激光器的效率曲线上的阈值，在所述阈值之后在二极管激光器的输出功率继续增加时二极管激光器的效率开始降低。激光器还配置有包括有源光纤介质的光纤增益块，其中用累计泵浦输出来对所述有源光纤介质进行泵浦，所述有源光纤介质用于在优化工作范围内发射波长是期望波长并且功率范围在几百瓦至几十千瓦甚至几百千瓦之间的激光输出。相应的MM二极管激光器和光纤增益块的优化工作范围相互匹配，以便实现相应效率最大值的叠加，提供高至55％的整体最大系统效率。
-
公开(公告)号：CN105027367A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480012460.4
申请日：2014-03-06
Applicant: IPG光子公司
Inventor： 瓦伦丁·弗明 , 米哈伊尔·阿布拉莫夫 , 安东·费林 , 伊格尔·山马尔特瑟夫 , 瓦伦丁·盖庞特瑟夫
CPC classification number: H01S3/06708 , H01S3/005 , H01S3/0407 , H01S3/067 , H01S3/06745 , H01S3/06754 , H01S3/094007 , H01S3/094019 , H01S3/094053 , H01S3/094069 , H01S3/09408 , H01S3/09415 , H01S3/10
Abstract: 一种大功率光纤激光器系统包括：配置为在自由空间上延伸的光纤放大器的增量器、泵浦源以及包括反射元件的激光头，其中反射元件接收泵浦光并沿反向传播方向向增量器的输出端反射。增量器配置有同心且共同延伸的截锥形多模(“MM”)纤芯以及围绕纤芯的包层。所述纤芯包括模式变换区域，模式变换区域在小直径SM输入纤芯端和大直径MM输出纤芯端之间扩展，并配置使得当从输入纤芯端相输出纤芯端传播单模(“SM”)信号光时基本抑制对高阶模的放大。激光头分别从对应泵浦光传输光纤和信号光纤的端面接收输出。泵浦源构造为具有围绕增量器布置的多个独立子泵浦源。激光头支持分段式反射镜，所述分段式反射镜配置为沿反向传播方向将来自对应子泵浦源的泵浦光反射到增量器的输出端，其中增量器配置为发射基本为SM的高达MW功率等级的已放大信号光。
-
公开(公告)号：CN105027367B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201480012460.4
申请日：2014-03-06
Applicant: IPG光子公司
Inventor： 瓦伦丁·弗明 , 米哈伊尔·阿布拉莫夫 , 安东·费林 , 伊格尔·山马尔特瑟夫 , 瓦伦丁·盖庞特瑟夫
CPC classification number: H01S3/06708 , H01S3/005 , H01S3/0407 , H01S3/067 , H01S3/06745 , H01S3/06754 , H01S3/094007 , H01S3/094019 , H01S3/094053 , H01S3/094069 , H01S3/09408 , H01S3/09415 , H01S3/10
Abstract: 一种大功率光纤激光器系统包括：配置为在自由空间上延伸的光纤放大器的增量器、泵浦源以及包括反射元件的激光头，其中反射元件接收泵浦光并沿反向传播方向向增量器的输出端反射。增量器配置有同心且共同延伸的截锥形多模(“MM”)纤芯以及围绕纤芯的包层。所述纤芯包括模式变换区域，模式变换区域在小直径SM输入纤芯端和大直径MM输出纤芯端之间扩展，并配置使得当从输入纤芯端相输出纤芯端传播单模(“SM”)信号光时基本抑制对高阶模的放大。激光头分别从对应泵浦光传输光纤和信号光纤的端面接收输出。泵浦源构造为具有围绕增量器布置的多个独立子泵浦源。激光头支持分段式反射镜，所述分段式反射镜配置为沿反向传播方向将来自对应子泵浦源的泵浦光反射到增量器的输出端，其中增量器配置为发射基本为SM的高达MW功率等级的已放大信号光。
-
公开(公告)号：CN104185931B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201280067650.7
申请日：2012-12-19
Applicant: IPG光子公司
Inventor： 瓦伦丁·盖庞特瑟夫 , 瓦伦丁·弗明 , 米哈伊尔·阿布拉莫夫 , 安东·费林
CPC classification number: G02B6/03694 , G02B6/14 , H01S3/0405 , H01S3/042 , H01S3/067 , H01S3/06708 , H01S3/06733 , H01S3/08045 , H01S3/094007
Abstract: 包层吸收器单元设置在大功率光纤激光器系统的无源光纤上，并且操作为俘获和去除沿无源光纤的包层传播的高阶模式。模式吸收器具有由一个或多个液态金属及其合金制成的合成物，所述合成物被放置于在无源光纤的护套中形成的开口中。所述合成物配置为从包层去除具有预定光功率的MM光，所述预定光功率在比损坏吸收器的阈值温度低的温度下加热所述合成物。
-
公开(公告)号：CN104094483B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201280062664.X
申请日：2012-12-19
Applicant: IPG光子公司
Inventor： 瓦伦丁·盖庞特瑟夫 , 瓦伦丁·弗明 , 米哈伊尔·阿布拉莫夫 , 安东·费林
CPC classification number: G02B6/03694 , G02B6/14 , H01S3/042 , H01S3/06745 , H01S3/06754 , H01S3/08045
Abstract: 包层吸收器单元被设置在大功率光纤激光器系统的无源光纤上，并且操作为俘获和去除沿光纤的波导包层传播的模式。模式吸收器配置有这样的优选长度，使得可以以局部化方式，在整个长度上基本上均匀地去除所述包层光。以均匀方式去除包层光的吸收器包括注入了漫射体的基质材料。
