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公开(公告)号：CN118858311A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310493052.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 陈鹏州
IPC: G01N21/95 , G01N21/956 , G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种检测设备和检测方法，检测设备包括光源、相机和处理器；光源包括第一明场光源、第一暗场光源和第二暗场光源；第一明场光源发出的第一入射光与晶圆表面的法线的夹角为第一入射角α，第一暗场光源发出的第二入射光与晶圆表面的法线的夹角为第二入射角β，第二暗场光源发出的第三入射光与晶圆表面的法线的夹角为第三入射角γ；第一入射角α、第二入射角β和第三入射角γ互不相同。采用上述技术方案，可有效增强初始图像中橘皮类瑕疵的对比度，提高初始图像的清晰度，有利于橘皮类瑕疵的检出，并提高橘皮类瑕疵检出的准确性。
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公开(公告)号：CN118747751A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410967258.2
申请日：2024-07-18
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 王世恩
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，提供一种晶圆表面图像处理方法、装置、设备和介质，该方法包括：S1，获取暗场下包含晶圆表面的原始灰度图像，生成原始背景图像；S2，使用频域降噪对所述原始灰度图像进行背景亮度均匀性校正，以获得第一灰度图像；S3，使用高斯滤波对所述第一灰度图像进行卷积处理，以获得第二灰度图像；S4，基于所述第二灰度图像中像素点的灰度值，使用灰度值线性变换对所述原始背景图像进行增益处理，以获得第三灰度图像；S5，第三灰度图像使用直方图均衡化对所述第三灰度图像进行图像增强处理，以获得第四灰度图像；S6，对所述第四灰度图像使用频域滤波，以获取方向性滤除高频噪声的输出图像。
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公开(公告)号：CN118125084A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410283716.0
申请日：2024-03-13
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 贾俊伟
Abstract: 本申请实施例公开了一种工件交接位置补偿方法、装置、电子设备及介质。该方法包括：控制检测平台中的工件台向预交接区的第一位置移动，并控制携带待测工件的版叉向预交接区的第二位置移动；通过检测平台上的探测装置对所述版叉与所述工件台的相对位置偏差进行检测；其中，所述探测装置为固定于检测平台上能够对移动至预交接区的第二位置处的版叉进行探测的装置；根据所述相对位置偏差对所述工件台的位置和/或版叉的位置进行调整，以使工件台和版叉进行交接。上述方案对版叉和工件台位置的偏差进行精准检测，并根据相对位置偏差对工件台和/或版叉的位置进行调整消除偏差，保证了工件精准完成对接。
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公开(公告)号：CN112948084B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202110236051.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 伊凯
Abstract: 本申请公开了一种任务调度方法及系统，涉及数据处理技术领域，通过合理调度待检测任务，使得待检测任务可以及时得到处理，从而可以满足缺陷检测过程中产生的大数据量的计算要求。该任务调度方法可以应用于包括主服务器和至少一个从服务器的服务器集群，包括：主服务器获取待检测任务；主服务器根据自身的主性能参数和至少一个从服务器的从性能参数，确定目标服务器；主性能参数用于表征主服务器在当前时刻处理待检测任务所需的时长，从性能参数用于表征从服务器在当前时刻处理待检测任务所需的时长；主服务器根据确定的目标服务器对待检测任务进行调度。
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公开(公告)号：CN117705808A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311710581.3
申请日：2023-12-13
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 李杰
Abstract: 本发明公开了一种光学检测装置及其最佳焦面确定方法、介质，光学检测装置至少包括照明模块、载物台、干涉模块、目标区域选择模块和成像模块；该光学检测装置的最佳焦面确定方法包括调试阶段、训练阶段和检测阶段；在调试阶段，控制照明模块出射照明光束时，调整载物台的位置以及目标区域选择模块的位置，以使样本位于成像模块的视野中心以及目标区域选择模块的中心与视野中心重合；在训练阶段，样本位于成像模块的视野中心以及目标区域选择模块的中心与视野中心重合之后，获取光学检测装置的系统聚焦偏差；在检测阶段，根据系统聚焦偏差和干涉模块获取的干涉信号，确定最佳焦面，以提高最佳焦面的确定速率和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117607163A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311619724.X
申请日：2023-11-29
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于点扫描探测器的晶圆检测方法、装置和设备，晶圆检测方法包括：控制转台带动晶圆旋转，同时控制点扫描探测器对晶圆进行扫描；根据转台的旋转角度、点扫描探测器与转台的旋转中心的位置关系、以及点扫描探测器的扫描结果，获取墨卡托视角采样图；获取墨卡托视角采样图中的晶圆的边缘点的墨卡托视角坐标；将边缘点的墨卡托视角坐标转换为以旋转中心为原点的物理坐标；根据各边缘点的物理坐标，确定晶圆的圆心位置和边缘位置。采用上述技术方案，可以简易、精确地检测出晶圆的圆心位置和边缘位置。
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公开(公告)号：CN117542789A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311492450.2
申请日：2023-11-10
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 李炳然
IPC: H01L21/687 , G01C9/00
Abstract: 本发明属于半导体设备技术领域，公开了一种垂直度调整装置及垂直度调整方法。该垂直度调整装置包括第一调整环和第二调整环，第一调整环和第二调整环均具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面为倾斜面，第一调整环的第一表面和第二调整环的第一表面相互贴合，且第一调整环和第二调整环能相对转动，第一调整环和第二调整环的侧面均设置有多个间隔设置的计量部。本发明提供的垂直度调整方法采用上述的垂直度调整装置。本发明提供的垂直度调整装置，通过转动第一调整环和第二调整环，使贴合后的第一调整环的第二表面和第二调整环的第二表面之间产生倾角，即补偿角，以此来补偿结构的垂直度偏差，操作便捷，可靠性强。
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公开(公告)号：CN117288757A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311243750.7
申请日：2023-09-25
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 杨朝兴
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明实施例公开了一种缺陷检测装置及缺陷检测方法，该缺陷检测装置包括光源模块、标定散射片、相机和计算机模块；其中，光源模块用于向待检测物体表面的预设区域照射入射光，以经待检测物体表面的预设区域中的目标区域后形成第一散射光；光源模块还用于向待检测物体表面的预设区域照射入射光，以经标定散射片后形成第二散射光；相机位于第一散射光和第二散射光的传播光路上，相机用于接收第一散射光和第二散射光，并对应转化为第一光强分布函数和第二光强分布函数；计算机模块与相机电连接，计算机模块用于根据第二光强分布函数以及标准光强分布函数，确定光强分布校正函数，并根据光强分布校正函数对第一光强分布函数进行校正。
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公开(公告)号：CN116709038A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310655545.5
申请日：2023-06-05
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
Inventor： 鲁文明
Abstract: 本发明公开了一种成像系统。该成像系统包括：成像设备、上位机和外部设备；成像设备包括相机、图像采集卡和电池，相机连接图像采集卡，电池分别连接相机和图像采集卡；图像采集卡包括图像处理单元、无线通信单元和同步单元，无线通信单元分别连接图像处理单元和同步单元，无线通信单元用于接收上位机下发的同步指令并输出；图像处理单元用于将同步指令发送至相机；同步单元用于根据同步指令触发外部设备，使外部设备和相机同步运行。本发明中，运动时成像设备内的线缆不会出现形变，避免了线缆形变扰动干扰相机等成像部件的情况；上位机通过无线通信单元传输同步指令，使外部设备和相机同步运行，可以提高追焦速度和精度。由此提高成像精度。
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公开(公告)号：CN113075219B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110313256.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 上海御微半导体技术有限公司
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开一种调平调焦装置，包括置物平台和调平调焦机构，调平调焦机构包括支撑座和至少三个驱动组件，至少三个驱动组件在支撑座上围绕垂直于支撑座的轴线设置，置物平台位于调平调焦机构的上方并分别连接至少三个驱动组件的输出端，驱动组件能驱动置物平台沿竖直方向做直线运动。通过控制其中一个或两个驱动组件驱动置物平台沿竖直方向做直线运动，可实现置物平台上的待检测物料的调平；通过控制所有驱动组件同时驱动置物平台沿竖直方向做直线运动，可实现置物平台上的待检测物料的调焦，以保证待检测物料的被检测面平行高倍显微镜的焦平面，解决了待检测物料的微小缺陷检测过程中出现的被检测面与高倍显微镜焦平面的不平行而造成的离焦问题。
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