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公开(公告)号：CN219371054U
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202221585302.6
申请日：2021-09-29
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本实用新型提供一种激光诱导向前转移系统与基板及显示器的制造系统，用于显示器的像素间距并非排列于蓝宝石基板上的光器件的间距的整数倍的情况。根据形成于蓝宝石基板上的光器件(2)的排列间距(3、4)、及计划向载体基板(6)上移载的光器件的排列间距(5、7)，决定供体基板与受体基板的移动速度之比，与所述供体基板的移动同步地进行激光诱导向前转移，即激光转印，由此将蓝宝石基板上的光器件以与显示器的像素间距相同的排列间距向载体基板移载。
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公开(公告)号：CN218951491U
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202222440438.4
申请日：2022-09-15
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46
摘要： 本实用新型是一种成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜装置进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾；以及所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件，能够将所述基板载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置与所述喷出方向以外的位置。由此，提供一种以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜、用于使所述结晶性氧化物膜成膜的成膜装置，所述结晶性氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好。
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公开(公告)号：CN215932363U
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202121082154.1
申请日：2021-05-20
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 簗瀬优
IPC分类号： G03F1/64
摘要： 本实用新型的课题在于提供一种减少附着于防护薄膜框架的表面的异物落下的防护薄膜框架、及使用所述框架的防护薄膜。本实用新型提供一种防护薄膜框架，其为框状的防护薄膜框架，包括防护薄膜框架本体、及被覆所述防护薄膜框架本体的绝缘层；以及提供一种防护薄膜，其包括所述防护薄膜框架、及经由粘合剂或粘接剂而设置于所述防护薄膜框架的上端面的防护薄膜膜片；且提供一种带防护薄膜的曝光原版、曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。
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公开(公告)号：CN215449882U
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202120288860.5
申请日：2021-02-02
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 簗瀬优
摘要： 本实用新型的目的在于提供一种防止源自框架的散射光、且附着于框架表面的异物检查容易的防护薄膜框架及组件、曝光原版、装置与系统及制造系统。一种防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域；以及一种防护薄膜组件，包括所述防护薄膜框架作为结构要素。
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公开(公告)号：CN217948254U
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202220519843.2
申请日：2022-03-10
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/455
摘要： 本实用新型的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜，所述成膜装置包括：雾化部，将所述原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，供给载气，所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾；成膜部，在内部包括载置所述基板的载置部，将由所述载气搬送的所述雾供给至所述基板上；以及排气部，从所述成膜部排出废气，且在所述成膜部内的所述载置部的上方进而包括：喷嘴，向所述基板上供给所述雾；以及顶板，将从所述喷嘴供给的所述雾进行整流。由此，提供一种能够应用雾CVD法、能够形成膜厚的面内均一性优异的膜的成膜系统及成膜装置。
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公开(公告)号：CN216980602U
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202122368647.8
申请日：2021-09-29
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本实用新型提供一种激光诱导向前转移系统与装置、基板及显示器的制造系统，用于显示器的像素间距并非排列于蓝宝石基板上的光器件的间距的整数倍的情况。根据形成于蓝宝石基板上的光器件(2)的排列间距(3、4)、及计划向载体基板(6)上移载的光器件的排列间距(5、7)，决定供体基板与受体基板的移动速度之比，与所述供体基板的移动同步地进行激光诱导向前转移，即激光转印，由此将蓝宝石基板上的光器件以与显示器的像素间距相同的排列间距向载体基板移载。
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公开(公告)号：CN221421215U
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202220709474.3
申请日：2022-03-30
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/34
摘要： 本实用新型是一种层叠结构体，包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，本实用新型提供一种包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体、半导体装置以及所述层叠结构体的制造系统，所述结晶性氧化物膜在适用于半导体装置的情况下，半导体特性优异。
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公开(公告)号：CN219591348U
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202222549967.8
申请日：2022-09-27
申请人： 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L33/00 , H01L21/78 , H01L21/428
摘要： 本实用新型包括一种剥离系统及制造系统。接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具有机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至接合型晶片，由此来使固化型接合材和/或与固化型接合材接触的元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使固化型接合材和/或元件结构部的表面分解，从而使元件结构部与支撑体分离。本实用新型的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。
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公开(公告)号：CN217781272U
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202220709479.6
申请日：2022-03-30
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人和歌山大学
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/34
摘要： 本实用新型为一种成膜系统，其进行结晶性氧化物膜的成膜包括：原料溶液制造部，制造用于进行雾化的原料溶液且为包含含有金属元素的溶质与溶媒的原料溶液；雾化部，将所制造的所述原料溶液喷雾化或液滴化而生成雾；搬送部，通过载气来将所述雾搬送至成膜部；以及成膜部，从喷嘴向基板上供给所述雾，并在所述基板上进行热处理而进行成膜，并且所述原料溶液制造部包括搅拌部件，所述搅拌部件在将包含金属元素的溶质混合于溶媒中并加以搅拌时，将温度设为30℃以上来进行搅拌。由此，可提供一种成膜速度优异的、即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时也能够进行膜中组成的再现性优异的成膜的成膜系统。
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公开(公告)号：CN218146932U
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202220709419.4
申请日：2022-03-30
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 桥上洋
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/34
摘要： 本实用新型提供一种能够稳定地形成结晶取向性优异且高品质的刚玉型结晶薄膜，具有刚玉型结晶结构的半导体膜，的厚膜的层叠体的制造系统、层叠体以及半导体装置。所述层叠体包括具有刚玉型结晶结构的半导体膜，所述层叠体的制造系统包括：将基体载置于载台的机构；对所述基体进行加热的机构；使成膜用原料溶液雾化的机构；使所述雾化的成膜用原料溶液与载气混合而形成混合气体的机构；以及将所述混合气体供给至所述基体进行成膜的机构，将所述载台的与所述基体的接触面、以及所述基体的与所述载台的接触面的表面粗糙度Ra设为0.5μm以下。
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