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公开(公告)号：CN118951898A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411441937.2
申请日：2024-10-16
申请人： 天通控股股份有限公司 , 天通凯巨科技有限公司
IPC分类号： B24B1/00 , B24B29/02 , B24B41/06 , C11D1/00 , C11D3/04 , C11D3/38 , C11D3/60 , C09J7/38 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J7/35 , C09J4/02 , C09J4/06 , C09J7/25
摘要： 本发明属于晶片材料加工技术领域，具体涉及一种大尺寸钽酸锂晶片单面抛光加工固定方法，包括如下步骤：将晶片和陶瓷盘分别进行清洗；将晶片和陶瓷盘烘干，并将双面胶带背面的压敏胶贴于陶瓷盘表面；将晶片贴于双面胶带正面的热解粘胶，并加压固定；抛光加工；陶瓷盘加热后取出晶片，最终得到表面无损伤的大尺寸钽酸锂晶片。本发明通过采用双面胶带粘贴晶片，并配合设计抛光加工参数，保证了粘贴强度、稳定性以及晶片的抛光质量，有效解决了现有单面抛光工艺中大尺寸晶片固定时晶片易损伤、抛光后取片困难的问题。
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公开(公告)号：CN117219502A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311467975.0
申请日：2023-11-07
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种键合晶片的单面减薄方法，包括下列步骤：a) 将晶片与载片进行键合后形成键合晶片，对键合晶片中的晶片层进行单面减薄，减薄后进行清洗；b) 预烘后，在晶片层的减薄面上涂覆正性光刻胶，之后经过前烘、对准、曝光、后烘、显影，通过显影去除键合晶片中间区域光刻胶，保留晶片外侧圆周上的光刻胶；c) 对键合晶片进行化学腐蚀后，进行超声波清洗；d) 采用激光裂片去除光刻胶涂覆区域的外环键合晶片部分，再进行超声波振洗，将键合晶片中部区域与光刻胶涂覆区域的外环键合晶片部分振洗至分离。本发明既能满足键合晶片的超薄化需求，又能避免键合晶片减薄后表面损伤和脆性断裂、键和结构破坏的问题。
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公开(公告)号：CN117066978A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311330667.3
申请日：2023-10-16
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，包括如下步骤：将钽酸锂晶片与其它晶片键合形成键合晶片；使用减薄机对键合晶片进行粗减薄加工；使用干法刻蚀去除键合晶片表面损伤层及残余应力；使用减薄机对键合晶片进行精减薄加工；使用干法刻蚀去除键合晶片表面损伤层及残余应力；通过飞秒激光扫描键合晶片进行最终减薄。本发明通过设置逐级减薄配合干法刻蚀的方法可以更加精确地控制晶片的减薄厚度和过程，避免加工中因应力集中或应力过大导致晶片边缘翘曲和碎裂，提高加工效率，保证加工质量，降低加工成本。
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公开(公告)号：CN115938718B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310218332.6
申请日：2023-03-09
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： H01F17/04 , H01F27/255 , H01F27/36 , H01F27/34 , H01F1/147 , H01F27/32 , H01F27/28 , H01F27/30 , H01F41/02 , H01F41/04 , H01F41/12 , H01F41/00
摘要： 本发明公开了一种直插式一体成型共烧电感及其制备方法，该电感由软磁金属粉末、倒U形铜导体两部分组成，铜导体两端伸出粉末外，其余部分埋于粉末中，该电感制备方法的步骤为：（1）软磁金属粉末的预处理；（2）将铜导体埋入处理后的金属粉末中，使用1700‑2100MPa高压进行压制成型；（3）使用还原气氛对步骤（2）得到的产品进行梯度退火处理；（4）将退火后的产品含浸于树脂溶液内，经过洗涤、烘烤后得到直插式一体成型共烧电感。该电感不仅具有一体成型电感的高磁屏蔽性能、生产高机械化、高性能均一性的优点，而且兼备了磁粉心材料的高密度、低损耗的优点。
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公开(公告)号：CN115938718A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310218332.6
申请日：2023-03-09
申请人： 天通控股股份有限公司
IPC分类号： H01F17/04 , H01F27/255 , H01F27/36 , H01F27/34 , H01F1/147 , H01F27/32 , H01F27/28 , H01F27/30 , H01F41/02 , H01F41/04 , H01F41/12 , H01F41/00
摘要： 本发明公开了一种直插式一体成型共烧电感及其制备方法，该电感由软磁金属粉末、倒U形铜导体两部分组成，铜导体两端伸出粉末外，其余部分埋于粉末中，该电感制备方法的步骤为：（1）软磁金属粉末的预处理；（2）将铜导体埋入处理后的金属粉末中，使用1700‑2100MPa高压进行压制成型；（3）使用还原气氛对步骤（2）得到的产品进行梯度退火处理；（4）将退火后的产品含浸于树脂溶液内，经过洗涤、烘烤后得到直插式一体成型共烧电感。该电感不仅具有一体成型电感的高磁屏蔽性能、生产高机械化、高性能均一性的优点，而且兼备了磁粉心材料的高密度、低损耗的优点。
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公开(公告)号：CN115816678A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211664748.2
申请日：2022-12-23
申请人： 天通控股股份有限公司 , 天通银厦新材料有限公司
摘要： 本发明涉及晶棒切割技术领域，尤其是一种用于晶棒切割的晶棒自动定位系统及方法，该系统包括自动旋转定位装置、晶向自动检测装置和自动晶向校准装置；所述自动旋转定位装置包括自上而下依次相连的自动旋转基准块固定架、基准块、树脂片和待切晶块；连杆、电流表、角度调节器、固定架、接收器和X射线发射管共同组成晶向自动检测装置；校准装置、电机和连接装置组成自动晶向校准装置。该系统实现了线切多边形形状晶块及晶向自检校准功能；不仅减少了重复粘胶定向过程，还能对待切晶块的晶向进行检测并校准，降低了晶向报废率，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN115420745A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211290390.1
申请日：2022-10-21
申请人： 天通控股股份有限公司 , 天通银厦新材料有限公司
摘要： 本发明提供一种蓝宝石晶棒缺陷自动检测系统及检测方法，该检测系统包括晶棒自动传送装置、晶棒自动旋转装置、晶棒缺陷检测装置和缺陷晶棒自动推出装置。该检测方法包括晶棒自动上下料及传送方法、晶棒自动旋转方法、晶棒缺陷检测方法和缺陷晶棒自动推出方法。该检测系统及检测方法可广泛应用于蓝宝石晶棒检测领域，实现晶棒缺陷识别、分类及尺寸的计算，增强缺陷检测准确性，可完全替代人工作业，提高生产效率与品质，并且可实现多尺寸（2‑10英寸）蓝宝石晶棒缺陷的检测。
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公开(公告)号：CN114472341B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210407079.4
申请日：2022-04-19
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法。包括：将铌酸锂晶片进行氟化氢铵浸泡清洗；将晶片进行有机溶剂清洗液超声清洗；将晶片进行去离子水冲洗；将晶片进行双面毛刷刷洗；将晶片进行单面毛刷刷洗，最终可以得到一种碎片率低、洁净度高的铌酸锂晶片。
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公开(公告)号：CN114133233A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202210113738.3
申请日：2022-01-30
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种高频高Bs复合铁氧体材料，其制备方法为1）分别制备锰锌铁氧体和镍锌铁氧体的预烧料，2）分别砂磨并加入辅助成分；3）分别进行二次预烧；4）分别通过砂磨和高能球磨制备成锰锌微米级磁粉和镍锌纳米级磁粉；5）在砂磨机中混合均匀后压制成型；6）在气氛炉中烧结。本发明通过主成分、辅助成分、助熔剂及其他掺杂成分的配方设计，并结合二次预烧、砂磨和高能球磨、混合等工艺设计，最终形成了内层是MnZnFeO4外层是NiZnFeO4的晶粒壳层结构，外层的NiZnFeO4结构增大了晶界电阻率，内层的MnZnFeO4结构又增大了晶粒的饱和磁通密度，最终制备了一种高频高Bs的复合铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN113716950B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111279412.X
申请日：2021-11-01
申请人： 天通控股股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种低温烧结柔性磁片及其制备方法，主要通过高能球磨机获得纳米级的铁氧体磁粉，并在其中掺杂玻璃粉，最终使其在较低温度下烧结得到结构致密的产品。因所用粉料粒径均匀度高，样品电磁性能的一致性也高。且低温下烧结不仅避免了烧结时磁片上下层粘连的问题，同时起到减少能耗、降低生产成本的作用。本发明主要步骤为原料混合，2）预烧，3）高能球磨，4）制浆，5）流延，6）烧结，7）覆膜裂片。最终得到一种低损耗高Bs、同时韧性强的磁片。
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