一种用于溅射设备真空室壁的内衬膜及制备方法

    公开(公告)号:CN109719021A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201811638327.6

    申请日:2018-12-29

    发明人: 周利红 黄平建

    摘要: 本发明提供了一种用于溅射设备真空室壁的内衬膜及制备方法,所述内衬膜由基底层、离型层、胶粘层、薄膜层组成,所述胶粘层和所述薄膜层由可降解高分子材料组成。本发明制备的内衬膜用于保护溅射设备的真空室壁,使之免于在进行溅射工艺时被污染,使得所得真空室易于清洁,有效延长了溅射设备真空室的使用寿命,由于所用的制备材料由于主要是可降解高分子材料,所以能更为快捷再回收利用靶材材料,且不带入杂质,从而提高溅射靶材的利用率。

    一种缓解疲劳的药物及制备方法

    公开(公告)号:CN106924548A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710280800.7

    申请日:2017-04-26

    发明人: 汪晓莉

    摘要: 本发明“一种缓解疲劳的药物及制备方法”,属于中药组合物,是黑木耳母种以中药原料药混合物的中药水提取液为培养基的发酵产物;所述中药原料药混合物的重量份组份为:玛咖15~45份、枸杞子10~35份、西洋参5~15份、石斛25~35份、银耳15~35份、菊花10~30份。所述药物的制备方法是将黑木耳母种液接种到所述水提取液中发酵。本发明药物为中成药,对压力过大的人群具有整体调理作用,并能改善亚健康状况,提高免疫力并缓解疲劳的疗效。本发明药物为保健药,没有任何的毒副作用,可以当食品服用。

    圣诞树用装饰灯
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106907606A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201710288510.7

    申请日:2017-04-27

    发明人: 千恩惠 赵艳 朱婷

    摘要: 一种圣诞树用装饰灯,包括树灯主体(5)和控制系统(4),其中树灯主体包括树形支架(1)和发光灯串(2),树形支架(1)由支撑底座(1‑1),支撑杆(1‑2)、支撑杆顶部系绳环(1‑3)套接在支撑杆外周的环圈(1‑4)组成。控制系统(4)包括信号处理控制模块(4‑1)、电源模块(4‑2)、音频模块(4‑3)、通信模块(4‑4)、存储模块(4‑5)。支持外部蓝牙、无线网络,有线网络、路由器、USB、等外部设备输入,同时自带按键功能,实现多样灯光效果,并支持并网多系统连接。

    一种半导体封装用聚氨酯改性酚醛树脂组合物的制备方法

    公开(公告)号:CN109679046B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN201811640078.4

    申请日:2018-12-29

    发明人: 赵艳 朱婷

    IPC分类号: C08G8/28 C08G59/62 C09J163/00

    摘要: 本发明提供了一种聚氨酯改性酚醛树脂的制备方法,制备所得聚氨酯改性酚醛树脂适用于半导体封装。本发明通过控制酚醛树脂中有机氟基团、聚氨酯基团在酚醛树脂中的配比,通过化学键将有机氟基团、聚氨酯基团键合在酚醛树脂化合物中,实现有机氟基团、聚氨酯基团在酚醛树脂中的有效分散,能有效调节聚氨酯改性酚醛树脂材料的力学性能和表面性能。应用本发明为固化剂改性环氧树脂组合物,能大幅降低了环氧树脂组合物的模量,同时又能够提高了环氧树脂组合物在半导体封装的工艺性和耐焊性。本发明的半导体封装用的聚氨酯改性酚醛树脂同时还具备了必要的流动性、填充性、阻燃性。

    一种模切机
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110370380A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910609613.8

    申请日:2019-07-08

    发明人: 朱婷 赵艳

    IPC分类号: B26F1/38 B26D7/06 B26D7/08

    摘要: 一种模切机,包括底座,所述底座顶部设置工作台,所述工作台上设置有模切装置,所述模切装置的一端设置有进料装置,所述工作台上还设有压平装置,所述压平装置位于进料装置与模切装置之间,所述压平装置包括固定于所述工作台上的罩体和设置在所述罩体内部的上滚动件和下滚动件,所述上滚动件和所述下滚动件的两端均设置有固定板,所述上滚动件两端的固定板之间通过上滑杆固定连接,所述下滚动件两端的固定板之间通过下滑杆固定连接;其中,所述上滑杆两端设置有横向滑槽,所述横向滑槽固定设置在所述罩体上端内壁上,所述下滑杆两端设置有竖向滑槽,所述竖向滑槽固定设置在所述罩体下端内壁上。

    一种高致密度高含量钼铌合金靶材的制备工艺

    公开(公告)号:CN109439990A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811638273.3

    申请日:2018-12-29

    发明人: 周利红 黄平建

    摘要: 本发明公开了一种高致密度高含量钼铌合金靶材的制备工艺,所述制备工艺的原材料由按质量百分比计量的以下组分组成:铌粉5%-15%,余量为钼粉;称取所述铌粉的一部分,通过铌的氢化工艺制取得到二次氢化铌;所述二次氢化铌与所述原材料的质量比为0.1:100-3:100,所述二次氢化铌呈粉末状,颗粒粒径D90≤50μm。本发明利用二次氢化铌的活化作用,并通过控制制取二次氢化铌的工艺参数,采用粉末冶金工艺直接制备高致密度高含量钼铌合金溅射靶材。