一种蓝光吸收墨水、蓝光吸收涂层的制备方法和显示结构

    公开(公告)号:CN116218285B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202211726929.3

    申请日:2022-12-30

    发明人: 张志坤 李阳 陈臻

    摘要: 本发明提供一种蓝光吸收墨水、蓝光吸收涂层的制备方法和显示结构,制备方法包括以下步骤:S1:制备掺杂Te的CdSeS纳米粒子;S2:向掺杂Te的CdSeS纳米核中加入ZnSe源和ZnS源,形成纳米核壳结构颗粒,所述纳米核壳结构颗粒中,以掺杂Te的CdSeS纳米粒子作为核,在核外形成包裹核的ZnSe/ZnS壳;S3:对核壳纳米结构颗粒进行表面化处理,得到蓝光吸收纳米颗粒;S4:将所述蓝光吸收纳米颗粒与加工胶体混合,配置形成蓝光吸收墨水;将蓝光吸收墨水制备形成蓝光吸收膜,固化后形成蓝光吸收涂层。本发明通过打印、丝网印刷中的任意一种工艺制备得到蓝光吸收涂层,特异性吸收蓝光,不吸收更大波段波长的光,且受蓝光或紫外激发的情况下,也不会发射可见光荧光。

    一种吸蓝光光刻胶、吸蓝光材料层的制备方法和显示结构

    公开(公告)号:CN116184762A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202211726920.2

    申请日:2022-12-30

    发明人: 梁成江 李阳 陈臻

    IPC分类号: G03F7/004 G03F7/038 G09F9/33

    摘要: 本发明提供一种吸蓝光光刻胶、吸蓝光材料层的其制备方法和显示结构,吸蓝光材料层由吸蓝光光刻胶光刻固化形成,制备方法包括:S1、制备掺杂Te的CdSeS纳米核;S2、向掺杂Te的CdSeS纳米核中加入ZnSe源和ZnS源,形成ZnSe/ZnS壳层,ZnSe/ZnS壳层包覆于掺杂Te的CdSeS纳米核外,制备得到吸蓝光纳米核壳结构颗粒;S3、对吸蓝光纳米核壳结构颗粒进行表面化处理,得到蓝光吸收剂;S4、将蓝光吸收剂与光刻胶母液混合得到吸蓝光光刻胶;S5、将吸蓝光光刻胶涂于基材上,得到吸蓝光薄膜;对吸蓝光薄膜进行光刻。本发明特异性吸收蓝光且不发射荧光,将吸蓝光材料层设置于量子点色转换层上,只对蓝光有特异性吸收,对长波段光线无吸收,量子点色转换层的光强损失很小,保证色纯度。

    一种新型微缩化LED结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106876562B

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201710203779.0

    申请日:2017-03-30

    发明人: 邵根荣 李阳

    IPC分类号: H01L33/50 H01L33/00 H01L27/15

    摘要: 本发明涉及一种新型微缩化LED结构及其制备方法。该新型微缩化LED结构包括微缩化蓝光LED芯片和光转换膜;所述光转换膜覆盖于所述微缩化蓝光LED芯片表面;所述光转换膜含有红色和绿色发光材料。该新型微缩化LED结构的制备方法包括以下步骤:将红色和绿色发光材料涂覆于透明基板上,制得光转换膜;将磊晶完成的蓝光LED芯片转移至薄膜晶体管驱动面板上,制得微缩化蓝光LED芯片;再将所述光转换膜覆盖于所述微缩化蓝光LED芯片表面,并进行封装。本发明在实现微缩化LED全彩显示时,只需将磊晶层单色蓝光微缩化LED芯片从基板剥离并转移至TFT驱动面板上即可,而无需再对红色和绿色微缩化LED芯片进行大规模转移,大大降低了微缩化LED全彩显示的制程困难。

    一种纳米氧化物墨水、其制备方法及电致发光器件

    公开(公告)号:CN110144142A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910445054.1

    申请日:2019-05-27

    IPC分类号: C09D11/36

    摘要: 本发明公开了一种纳米氧化物墨水、其制备方法及电致发光器件,本发明通过使用二醇类化合物作为溶剂,采用合适比例的醇醚酯类、醇酯类化合物作为粘度调节剂、成膜剂、中间调和剂,避免了醇醚类溶剂的使用,使得纳米氧化物墨水除具有合适的粘度、表面张力、溶剂挥发速率之外,还能使墨水在室温下长时间储存及与量子点材料接触后不会对其造成严重淬灭;另外该纳米氧化物墨水不仅能够用于分散电子传输层材料,如纳米氧化锌,同时能够分散空穴传输层材料,如过渡金属氧化物。本发明的纳米氧化物墨水制备方法有利于墨水的的放大,在保证打印稳定的基础上能显著节约储存成本,有利于工业上的大量墨水的长久保存和长时间打印。