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公开(公告)号：CN118961067B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411463799.8
申请日：2024-10-21
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种超导冷台红外探测器的热负载磁悬浮测试装置及方法。装置包括：磁性工装底座，磁性工装底座内设有第一热辐射组件；工装盖，设置在磁性工装底座上，工装盖内设有第二热辐射组件；超导组件，设于待测试的杜瓦内，杜瓦通过超导组件悬浮在工装盖和磁性工装底座形成的真空腔体内；称量台，磁性工装底座设于称量台上，称量台用于感应质量变化数据，根据质量变化数据获得杜瓦内液氮的挥发速率，计算杜瓦的密封性测试结果。本发明采用超导磁悬浮技术实现非接触，零固体热传导测试热负载，定量提供可控热辐射，可以精确、快捷地评定出杜瓦的真空性能。
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公开(公告)号：CN115112241B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202210669590.1
申请日：2022-06-14
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: G01J5/06 , G01J5/061 , G01J5/0803
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种倒锥形冷屏，其中，包括：冷屏侧壁和位于冷屏侧壁的上端的滤光片安装板；其中，滤光片安装板的中心开设有冷屏通光孔，环绕于冷屏通光孔外设置有环形的滤光片粘接区域；冷屏侧壁包括位于下部的第一冷屏侧壁和位于上部的第二冷屏侧壁，第一冷屏侧壁和第二冷屏侧壁相互连接，第二冷屏侧壁呈倒置的圆锥面，第二冷屏侧壁的上端直径大于其下端直径，第二冷屏侧壁的下端直径与第一冷屏侧壁的上端直径相匹配；本发明的冷屏整体呈上大下小结构，在保证滤光片粘接强度的同时，扩大了冷屏侧壁内径，起到抑制杂光的作用。
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公开(公告)号：CN119198515A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411308088.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: G01N17/00 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供了一种判断钝化膜钝化质量的方法及碲镉汞芯片，属于半导体领域。该判断钝化膜钝化质量的方法包括将钝化膜置于设定温度下的腐蚀液中，浸泡设定的时间，观察钝化膜的腐蚀情况，当钝化膜表面无损失，则判定钝化膜为合格，否则为不合格，其中，腐蚀液为碱液，或者碱液与双氧水的混合液。本发明通过将钝化膜置于设定温度下的腐蚀液中，浸泡设定的时间，观察钝化膜的腐蚀情况，当钝化膜表面无损失，则判定钝化膜为合格，否则为不合格，其中，腐蚀液为碱液，或者碱液与双氧水的混合液，能够排除人为因素对钝化膜钝化质量判定的影响。通过观察钝化膜被腐蚀液腐蚀的情况，现象直观，测试结果显著，更为直接说明钝化膜质好坏，测试结果准确。
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公开(公告)号：CN118969901A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411022391.7
申请日：2024-07-29
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制冷红外探测器及其芯片的制备方法，属于半导体制造技术领域，该制冷红外探测器芯片的制备方法，包括以下步骤：提供基片，在所述基片上形成钝化层，刻蚀所述钝化层的表面以形成开口，且所述开口的底部至少部分地延伸至所述基片中；在所述开口的内壁以及所述开口周围部分的所述钝化层的顶部淀积金属材料，以形成金属电极，在所述金属电极中淀积介质材料形成铟柱，所述铟柱的顶部具有凹陷。通过形成底部延伸至基片中的开口，从而改善铟柱的高度以及互连时的牢固度，配合开口形状，直接形成铟柱顶部具有凹陷，有助于后续进行倒焊互连。
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公开(公告)号：CN118915392A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410952132.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善光刻曝光均匀性的方法，属于制冷红外探测器领域。该改善光刻曝光均匀性的方法包括提供一基板，所述基板具有第一端部和第二端部，将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部。将具有倒角部的基板涂布光刻胶，并将所述光刻胶固化。将固化之后的光刻胶进行曝光，以得到目标图形。本发明通过基板的第一端部做倒角处理，在第一端部形成倒角部。当后续对基板进行涂布光刻胶、对光刻胶进行固化之后，再通过接触式曝光的方式进行曝光，可以避免在光刻版与光刻胶之间存在间隙，使得光刻版与光刻胶紧密贴合。提高了曝光图形的分辨率，也提高了图形效果。
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公开(公告)号：CN118913454A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411243640.5
申请日：2024-09-05
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种制冷红外探测器杜瓦,包括，气缸；杜瓦外壳，连接在气缸上与气缸形成容置空间；基板，连接在位于气缸顶部的冷台上；支撑杆，插设在杜瓦外壳上，支撑杆的第一信号端延伸出杜瓦外壳的外侧，支撑杆的第二信号端与基板连接；吸气剂，连接位于容置空间的支撑杆上，吸气剂通过支撑杆接收一激活信号。本发明将信号传递功能集成于支撑杆，舍弃现有技术中主筒、引线环和绝缘子等部件，减少连接焊缝和胶水影响杜瓦气密性的问题，操作简单，安装方便，并且整体结构更为紧凑，减小尺寸实现轻量化，可靠性更高。
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公开(公告)号：CN118856650A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411007671.0
申请日：2024-07-25
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: F25B9/14
Abstract: 本发明提供一种单双活塞调相的脉冲管制冷机，压缩机组件包括气缸，以及同一气缸内部设有的通过调相弹簧连接的压缩活塞和调相活；气缸内壁、压缩活塞和调相活塞之间构成压缩腔，气缸内壁和调相活塞上端面构成膨胀腔；脉管制冷组件依次包括热端换热器、回热器和冷端换热器，还包括回热器内的脉冲管；压缩腔和热端换热器通过输气通道连接；脉冲管和膨胀腔接通。调相活塞和压缩活塞在同一个气缸之内，且仅通过弹簧相连，保持了脉冲管制冷机冷端无运动部件的优点，且模块化更高更独立，结构简单紧凑。
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公开(公告)号：CN118518205A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410507660.2
申请日：2024-04-25
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: G01J5/04
Abstract: 本发明涉及红外探测器杜瓦技术领域，具体涉及一种超高真空红外探测器封装设备。包括，超高真空的第一真空腔室、第二真空腔室和第三真空腔室，内部设有钎焊区、激光焊接区、键合区、粘接区和封口涂胶区；滑轨，沿经过钎焊区、激光焊接区、键合区、粘接区和封口涂胶区的路径上设置；托盘，用于放置待封装的杜瓦组件，托盘可滑动地设于滑轨上。本发明将执行封装工作的设备集成到超高真空腔室内，实现边除气排气，边封装的效果，显著降低超高真空封装工艺耗时，完全避免了杜瓦组件在封装过程中吸附气体与多余物的风险，大大增加真空寿命的可靠性。
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公开(公告)号：CN118472107A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410590436.4
申请日：2024-05-13
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞制冷红外芯片表面器件结构加工的方法，包括步骤：提供一碲镉汞基底，碲镉汞基底正面为背光面，在碲镉汞层上形成有钝化层，碲镉汞基底背面为光入射面；在钝化层表面形成金属电极及对准标记；对碲镉汞层背面对应于对准标记的区域进行刻蚀，形成暴露钝化层的通孔；利用通孔，与通孔底部的对准标记进行对准；在碲镉汞基底背面形成器件结构。本发明操作简单，难度低，易实现，通过该技术方案，解决了碲镉汞芯片背面加工的对准精度问题，拓宽了红外碲镉汞芯片可实现功能面。
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公开(公告)号：CN117722291A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311497114.7
申请日：2023-11-10
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种背压腔前置的斯特林膨胀机，包括膨胀基座，膨胀基座包括位于膨胀基座的端部的第一腔体和位于膨胀基座的中部的第二腔体；膨胀活塞，膨胀活塞可活动地设于膨胀基座的内部，其中，膨胀活塞的一端的端部插入第一腔体内，以使气动力能够作用于膨胀活塞的端部，同时，膨胀活塞的中部设于第二腔体内；弹性件，弹性件设于第二腔体内，弹性件连接膨胀基座和膨胀活塞，并向膨胀活塞提供回复力。本发明将膨胀机的背压腔前置，使得膨胀机尾部的第二压缩腔可以直接与压缩机的压缩腔连接，膨胀机可以实现同样的制冷效率，且便于将膨胀机与压缩机同轴布置，使斯特林制冷机结构更加紧凑和小型化，同时还大大减轻了整机的装配难度。
