公开(公告)号：CN104241101A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410192857.8

申请日：2014-05-08

申请人： 郭东昊

发明人： 郭东昊 ,  李成哲

IPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明提供一种p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程，此技术所使用的靶材，其组成以氮化镓为主，另外还包含两种以上的金属组成，利用改变靶材组成，掺杂铜、镁、锌等金属，可以溅镀出p型氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等半导体薄膜。靶材组成设计是主要关键，其中金属组成除了要考虑材料性质外，还需考量靶材致密化能力与金属合金化的能力，如此才能制作出p型氮化镓为主相的半导体薄膜。此类溅镀过程所得薄膜，可部分取代传统MOCVD制造LED所需以氮化镓为主相的三族氮化物薄膜，也可应用于需要三族氮化物的薄膜电子元件。

公开(公告)号：CN104241101B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410192857.8

申请日：2014-05-08

申请人： 郭东昊

发明人： 郭东昊 ,  李成哲

IPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

摘要： 本发明提供一种p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程，此技术所使用的靶材，其组成以氮化镓为主，另外还包含两种以上的金属组成，利用改变靶材组成，掺杂铜、镁、锌等金属，可以溅镀出p型氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等半导体薄膜。靶材组成设计是主要关键，其中金属组成除了要考虑材料性质外，还需考量靶材致密化能力与金属合金化的能力，如此才能制作出p型氮化镓为主相的半导体薄膜。此类溅镀过程所得薄膜，可部分取代传统MOCVD制造LED所需以氮化镓为主相的三族氮化物薄膜，也可应用于需要三族氮化物的薄膜电子元件。