-
公开(公告)号:CN1291834C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN02817858.0
申请日:2002-09-13
申请人: 埃普科斯股份有限公司
发明人: C·霍夫曼 , K·-D·埃希霍尔策
CPC分类号: B32B18/00 , B32B2310/0843 , B32B2315/02 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B35/48 , C04B35/6303 , C04B37/001 , C04B2235/3205 , C04B2235/36 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/365 , C04B2237/56 , C04B2237/562 , C04B2237/702 , H01L21/481 , H01L21/4857 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , Y10T29/49885 , H01L2924/00014
摘要: 本发明涉及制造陶瓷基片的方法,它有以下几个步骤:a)准备好一个基体(2),它有由相互重叠的层(3)构成的叠层(2a),各层含有一种未烧结的陶瓷材料和一种烧结辅助材料(5),叠层(2a)中的一个层(3a)比相邻的层含有较多的烧结辅助材料(5);b)烧结所述叠层(2a)在烧结过程中,在所述烧结辅助材料(5)含量较高的层(3a)和所述相邻的层之间形成一个反应层(9),所述反应层促成这两个彼此相邻的层之间的附着。本发明还涉及一种陶瓷基片。通过更高的烧结辅助材料的含量,可以改善一个层(3a)与相邻层(3)的机械连结。
-
公开(公告)号:CN104508082A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201380019190.5
申请日:2013-03-04
CPC分类号: C09K11/7769 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/663 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/565 , C04B2237/582 , C04B2237/588 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , C09K11/7774 , H01L33/50
摘要: 本文公开的一些实施方案包括包含第一区和第二区的陶瓷体。第一区可包含主体材料及有效产生发光的第一浓度的掺杂剂。第二区可包含主体材料及第二浓度的掺杂剂。在一些实施方案中,第一区的平均粒径大于第二区的平均粒径。在一些实施方案中,陶瓷体可呈现优异的内部量子效率(IQE)。本文公开的一些实施方案包括本文公开的陶瓷体的制备方法与使用方法。此外,本文公开的一些实施方案包括照明设备,其包含本文公开的陶瓷体。
-
公开(公告)号:CN101472856B
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN200780023214.9
申请日:2007-07-25
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 村田崇基
CPC分类号: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2237/343 , C04B2237/568 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H05K1/0306 , H05K3/1291 , H05K3/4629 , H05K2201/0323 , H05K2203/016 , H05K2203/1126 , H05K2203/1476 , H05K2203/308
摘要: 本发明的陶瓷成形体的制造方法不需要在烧成工序结束后除去约束层的工序,可简化制造工序,并且可防止被烧成体在除去约束层的工序中损伤,能够以较高的原材料利用率制造尺寸精度高的以陶瓷基板为代表的陶瓷成形体。该制造方法使用以在低氧气氛中烧成时不会烧去、而在提高氧气分压实施烧成时会烧去的烧去材料为主要成分的约束层作为约束层(31),将该约束层设置于经过烧成工序后成为陶瓷基板(陶瓷成形体)的基材层(A’)的至少一个主面,在第一烧成工序中,在低氧气氛下,在具备约束层(31)的状态下进行烧成(约束烧成),使基材层(A’)烧结,在第二烧成工序中,在氧气分压高于第一烧成工序中的氧气分压的条件下进行烧成,藉此使构成约束层(31)的烧去材料烧去,不需要之后的除去约束层(31)的工序。
-
公开(公告)号:CN101065842A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200580040741.1
申请日:2005-11-28
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H01L23/02
CPC分类号: H05K1/0218 , B32B18/00 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B37/026 , C04B37/028 , C04B2235/656 , C04B2237/125 , C04B2237/32 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/403 , C04B2237/405 , C04B2237/406 , C04B2237/408 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , C04B2237/86 , C04B2237/88 , H01L21/4807 , H01L23/04 , H01L23/055 , H01L23/552 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K1/144 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 如专利文献1所述,若随着混合IC等电子元器件进一步降低高度,而减薄屏蔽壳,则由于屏蔽壳是金属制的,因此难以高精度地对它进行弯折等加工,另外由于吸取时作用的外力,使屏蔽壳的变形显著。在专利文献2所述的技术中,由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状,因此若为了电子元器件降低高度,而减薄盖罩的陶瓷厚度,则例如图18(a)、(b)所示,顶部2A产生弯曲。本发明的电子元器件10包括;具有布线图形14的布线基板11;安装在布线基板11的上表面的表面安装元器件12;以及覆盖布线基板11的盖罩13,盖罩13包括;利用平板状的陶瓷构件形成的顶部13A;以及利用具有与表面安装元器件12相同程度的高度的柱状构件而形成的脚部13B。
-
公开(公告)号:CN1878670B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200380110766.5
申请日:2003-12-05
申请人: 国际商业机器公司
发明人: 戈文达拉简·纳塔拉简 , 拉斯奇德·J·贝扎马
CPC分类号: B32B18/00 , C04B35/645 , C04B2237/32 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/561 , C04B2237/562 , C04B2237/565 , C04B2237/567 , C04B2237/62 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/702 , H01L21/4857 , H05K1/0306 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09781 , Y10T156/108 , Y10T428/24926
摘要: 一种通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在未加工陶瓷层压板(100)中控制热压制烧结的多层陶瓷层压板(100)的烧结后扭曲的方法。将一个或多个非致密化结构(40)放置在一个或多个陶瓷印刷电路基板(10)上,然后堆叠和层压该一个或多个陶瓷印刷电路基板以形成未加工陶瓷层压板(100)。然后烧结该层压板,并且该非致密化结构(40)将控制热压制的多层陶瓷基片的尺寸。通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在各个产品合并之间的切口区域(30)中,该方法可以用来控制作为单个或者合并基片制造的MLC基片的烧结后尺寸。
-
公开(公告)号:CN101080960A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200680001419.2
申请日:2006-10-31
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H05K3/46
CPC分类号: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B35/645 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H05K1/0306 , H05K3/28 , H05K3/4629 , H05K2201/09881 , H05K2201/09909 , H05K2203/308
摘要: 未烧结积层体具有位于第一陶瓷层的表面上的导体,覆盖导体的端部的位于第一陶瓷层的所述表面上的绝缘体,和位于导体和绝缘体上的第二陶瓷层。在第一陶瓷层烧结而第二陶瓷层不烧结的温度下烧成未烧结积层体。烧成积层体后,将第二陶瓷层从积层体除去,从而获得积层陶瓷基板。绝缘体具有10μm以上40μm以下的厚度。通过该方法,可以获得高密度的绝缘体,而可以容易地形成导体。
-
公开(公告)号:CN1553855A
公开(公告)日:2004-12-08
申请号:CN02817858.0
申请日:2002-09-13
申请人: 埃普科斯股份有限公司
CPC分类号: B32B18/00 , B32B2310/0843 , B32B2315/02 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B35/48 , C04B35/6303 , C04B37/001 , C04B2235/3205 , C04B2235/36 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/365 , C04B2237/56 , C04B2237/562 , C04B2237/702 , H01L21/481 , H01L21/4857 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , Y10T29/49885 , H01L2924/00014
摘要: 本发明涉及制造陶瓷基片的方法,它有以下几个步骤:a)准备好一个基体(2),它有一叠(2a)相互重叠的层(3),这些层含有一种未烧结的陶瓷材料和一种烧结辅助材料(5),其中的一个层(3a)含有比一相邻的层(3)更多的烧结辅助材料(5);b)烧结层叠(2a)。本发明还涉及一种陶瓷基片。通过更高的烧结辅助材料的含量,可以改善一个层(3a)与相邻层(3)的机械连结。
-
公开(公告)号:CN104589738A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201410815104.8
申请日:2009-04-21
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 饭田裕一
CPC分类号: H05K1/183 , B28B11/243 , B32B3/266 , B32B7/02 , B32B18/00 , B32B2250/40 , B32B2250/42 , C04B2235/9607 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/562 , C04B2237/58 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H01L23/13 , H01L23/5385 , H01L2224/16225 , H01L2924/09701 , H01L2924/15153 , H01L2924/19105 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K3/462 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H05K3/4697 , H05K2201/068 , H05K2203/061 , H05K2203/063 , Y10S428/901 , Y10T428/24331 , Y10T428/24851 , Y10T428/24926 , Y10T428/24942 , H01L23/538 , H05K1/02 , H05K1/11 , H05K1/18 , H05K3/46
摘要: 使具有空腔的多层陶瓷基板薄型化时,因为规定空腔的底面的底壁部薄型化,所以存在该底壁部容易破损的问题。多层陶瓷基板(1)的规定空腔(3)的底壁部(4)形成高热膨胀系数层(6)被第一低热膨胀系数层(7)和第二低热膨胀系数层(8)夹住的层叠结构。根据这种构成,在烧成后的冷却过程中,在低热膨胀系数层(7、8)中会产生压缩应力,其结果是,可提高底壁部(4)处的机械强度。
-
公开(公告)号:CN101668620B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200880013670.X
申请日:2008-12-08
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 斋藤善史
CPC分类号: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , C04B2237/66 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K2201/09136 , H05K2203/308 , Y10T428/2495 , H01L2224/0401
摘要: 欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时,受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响,除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后,从复合层叠体除去收缩抑制层时,减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度,藉此使第一及第二反应层(22及23)各自的厚度互不相同,从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力,抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。
-
公开(公告)号:CN101668620A
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200880013670.X
申请日:2008-12-08
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 斋藤善史
CPC分类号: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , C04B2237/66 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K2201/09136 , H05K2203/308 , Y10T428/2495 , H01L2224/0401
摘要: 欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时,受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响,除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后,从复合层叠体除去收缩抑制层时,减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度,藉此使第一及第二反应层(22及23)各自的厚度互不相同,从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力,抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。
-
-
-
-
-
-
-
-
-