公开(公告)号：CN102844464A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180016312.6

申请日：2011-03-17

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 姜玉雁 ,  稻垣昌英 ,  中岛健次 ,  牧野聪一郎 ,  堀之内成明 ,  伊藤孝浩

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45508 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45597

摘要： 为了减小在表面处理设备中当表面处理材料流体沿着衬底的表面流动以排出时由于使用过的流体与出口通道的内壁碰撞而引起的紊流。表面处理设备（10）是其中盘状试料保持台（14）设置在构成圆筒状圆周壁的外壳（12）内的设备。设置在外壳（12）的上部中的圆筒状部分（22）构成材料流体供应通道，并且设置在外壳（12）中试料保持台（14）的横向侧上并随着气远离圆筒状部分（22）而扩展成形的通道构成流体排出通道（24）。流体排出通道（24）采用抛物线曲线等，其中，试料保持台（14）的最外圆周的上端的位置定义为焦点位置，并且与焦点位置对称的出口的上端的位置定义为基准位置。

公开(公告)号：CN102112649A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129915.X

申请日：2009-08-04

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。

公开(公告)号：CN105420685B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510582177.1

申请日：2015-09-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 赛沙·瓦拉达拉简 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  桑格伦特·桑普伦格 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  泰德·明歇尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  穆罕默德·萨布里 ,  科迪·巴尼特

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274

摘要： 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。

公开(公告)号：CN106835072A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710124809.9

申请日：2017-03-03

申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

发明人： 方结彬 ,  何达能 ,  陈刚

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

CPC分类号： C23C16/45597 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/513

摘要： 本发明公开了一种PECVD双面沉积设备，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1‑5度。采用本发明，可在硅片正反面同时沉积膜层，减少硅片的碎片率，提高生产效率。

公开(公告)号：CN102844464B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180016312.6

申请日：2011-03-17

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 姜玉雁 ,  稻垣昌英 ,  中岛健次 ,  牧野聪一郎 ,  堀之内成明 ,  伊藤孝浩

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45508 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45597

摘要： 为了减小在表面处理设备中当表面处理材料流体沿着衬底的表面流动以排出时由于使用过的流体与出口通道的内壁碰撞而引起的紊流。表面处理设备（10）是其中盘状试料保持台（14）设置在构成圆筒状圆周壁的外壳（12）内的设备。设置在外壳（12）的上部中的圆筒状部分（22）构成材料流体供应通道，并且设置在外壳（12）中试料保持台（14）的横向侧上并随着气远离圆筒状部分（22）而扩展成形的通道构成流体排出通道（24）。流体排出通道（24）采用抛物线曲线等，其中，试料保持台（14）的最外圆周的上端的位置定义为焦点位置，并且与焦点位置对称的出口的上端的位置定义为基准位置。

公开(公告)号：CN108630577A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810206185.X

申请日：2018-03-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 藤川诚 ,  新纳礼二 ,  桥本浩幸 ,  山口达也 ,  野泽秀二

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D1/002 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45597 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/02612

摘要： 本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质。能够在纵型的反应容器内对被棚架状地保持的多个基板进行成膜处理时分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。具备：成膜气体喷出部，设置在反应容器内的基板的保持区域的后方，用于喷出所述成膜气体；排气口，设置在基板的保持区域的前方，用于排出成膜气体；旋转机构，用于使基板保持器具绕纵轴进行旋转；以及加热部，将反应容器内加热至比从成膜气体喷出部喷出的成膜气体的温度低的温度。在成膜气体喷出部中，第一喷出口和第二喷出口各自朝向不同的方向开口，使得从第一喷出口喷出的成膜气体与反应容器内的气体降温用构件碰撞而降温，从第二喷出口喷出的成膜气体不与气体降温用构件碰撞。

公开(公告)号：CN105420685A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510582177.1

申请日：2015-09-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 赛沙·瓦拉达拉简 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  桑格伦特·桑普伦格 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  泰德·明歇尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  穆罕默德·萨布里 ,  科迪·巴尼特

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274

摘要： 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。