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公开(公告)号：CN109634062A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201810794694.9
申请日：2018-07-18
申请人： 上海应用技术大学
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2039 , G03F7/70058 , G03F7/7055 , G03F7/70558
摘要： 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种基于整形X射线移动曝光的微台阶加工装置及方法。基于整形X射线移动曝光的微台阶加工装置，它包括同步辐射光光源、掩膜版、PMMA光刻胶板、移动工作台和曝光腔，所述掩膜版、PMMA光刻胶板、移动工作台设置在曝光腔内，PMMA光刻胶板固定设置在移动工作台上，掩膜版位于PMMA光刻胶板前方，所述同步辐射光光源位于曝光腔外，且设置在掩膜版前方，所述掩膜版上设有小孔，所述同步辐射光光源发射的X射线进入曝光腔区域，通过掩膜版上的小孔，得到整形好的X射线，对移动工作台的上PMMA光刻胶板进行曝光。通过控制整形X射线照射到光刻胶的时间，获得不同的曝光剂量，从而获得不同深度的台阶式结构。
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公开(公告)号：CN105359038B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480034718.0
申请日：2014-06-17
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·尼基佩洛维 , O·弗里吉恩斯 , G·德弗里斯 , E·鲁普斯特拉 , V·巴尼内 , P·德加格 , R·唐克 , H-K·尼恩海斯 , B·克瑞金加 , W·恩格伦 , O·鲁伊藤 , J·艾科曼斯 , L·格里敏克 , V·里特维南科
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70033 , G01J1/0407 , G01J1/0418 , G01J1/26 , G01J1/429 , G02B1/06 , G02B5/205 , G02B26/023 , G03F7/70008 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/7085 , G21K1/10 , H01S3/005 , H01S3/0085 , H01S3/0903 , H05H7/04
摘要： 一种图案化光刻衬底的方法，该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA)，其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自由电子激光器的操作从而减少输送至光刻衬底的EUV辐射功率的波动。
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公开(公告)号：CN108073049A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711142462.7
申请日：2017-11-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70208 , G03F7/70133 , G03F7/70391 , G03F7/70516 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/7085 , G03F7/70491
摘要： 本发明提供一种曝光装置、曝光装置的调整方法以及存储介质。在对基板的表面整体曝光的曝光装置中，能够对基板面内的各部以适当的曝光量进行曝光。曝光装置具备：载置部，其用于载置基板；多个光照射部，所述多个光照射部分别独立地向所述基板的表面的左右方向上的互不相同的位置照射光来形成从所述基板的表面的一端至另一端的带状的照射区域；载置部用移动机构，其使所述载置部相对于所述照射区域沿前后方向相对地移动以对所述基板的表面整体曝光；以及受光部，其以在该照射区域的一端部与另一端部之间移动的方式接收光以检测所述照射区域的长边方向上的照度分布。通过这种结构，能够防止因所述照度分布异常而导致基板的各部的曝光量异常。
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公开(公告)号：CN107748484A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711176226.7
申请日：2017-11-22
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人： 刘智敏
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70558 , G03F7/70616
摘要： 本发明提供一种最小曝光能量的测量方法，测量方法包括：步骤S1、提供一晶圆，于晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个区域分别对应一唯一的时间段；步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的光阻层进行显影，以形成对应每个区域的图形；步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个时间段的图形，并处理得到每个时间段和相应的图形的对应关系及最小曝光能量。本发明的有益效果：无需曝光机支持即可得到光刻胶的最小曝光能量，根据得出的最小曝光能量能够优化硅片边缘曝光制程的照明条件，从而避免光刻胶残留的产生。
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公开(公告)号：CN107153327A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710107214.2
申请日：2017-02-27
申请人： 佳能株式会社
发明人： 幡本淳
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7015 , G03F7/70058 , G03F7/70191 , G03F7/70558 , G03F7/7055
摘要： 本发明提供一种快门单元、光刻装置及物品的制造方法。提供一种用于光刻装置的打开和关闭光的光路的快门单元。快门单元包括可旋转地驱动沿着电机的旋转轴线延伸的轴的电机，以及附装到所述轴的多个快门构件，各个快门构件包括遮光部和透光部。快门单元还包括隔板，其被布置在快门构件之间的位置处，以避开光束通过的部分，并且，被构造为遮挡从前段的快门构件泄漏的光。
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公开(公告)号：CN103885299B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410099166.3
申请日：2014-03-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70608 , G03F7/70191 , G03F7/70508 , G03F7/70525 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70625
摘要： 本发明提供一种曝光系统。该曝光系统包括光源和载台，光源和载台相对设置，载台用于放置待曝光膜，光源发出的光线能对待曝光膜进行曝光，还包括厚度测量单元和光强调节单元，厚度测量单元和光强调节单元电连接；厚度测量单元用于测量不同区域的待曝光膜的厚度；光强调节单元用于根据不同区域的待曝光膜的厚度，对相应区域的待曝光膜的曝光光强进行调节。该曝光系统通过设置厚度测量单元和光强调节单元，能够改善由于不同区域的待曝光膜的厚度不均从而导致的经曝光后待曝光膜上形成的图形尺寸均一性差的问题，从而使得显示产品显示面板中各功能层的图形尺寸更加均一，进而使得显示产品的性能更加稳定。
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公开(公告)号：CN105404100A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510962473.4
申请日：2015-12-21
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70558
摘要： 本发明公开了一种曝光系统中曝光剂量的监控方法、曝光方法及其曝光系统，该控制方法、曝光方法和曝光系统中，通过使用硅片面上参与曝光的第二光线能量，对中间焦点处不参与曝光的第一光线能量进行标定，建立二者之间的关系曲线，进而通过对中间焦点处不参与曝光的光线能量值进行实时在线监测，间接实现了对于硅片面上曝光能量（曝光剂量）的监测，通过监测的结果进行光开关控制，实现了在线监控曝光剂量的目的，提高了曝光剂量的监控精度。
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公开(公告)号：CN105229535A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480028983.8
申请日：2014-04-16
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01S3/225 , H01S3/104 , H01S3/0975
CPC分类号： G03F7/70558 , G03F7/70025 , G03F7/70516 , H01S3/0975 , H01S3/104 , H01S3/225
摘要： 一种选择待施加至辐射源的变量的周期性调制(401)的方法，其中源传递辐射以用于投射至衬底上以及其中在衬底和辐射之间存在以扫描速度的相对运动，方法包括：针对系统参数集合以及针对衬底上的位置，计算量值，量值是源自于被施加至源的变量的调制的对于被传递至该位置的能量剂量(403)贡献的度量，其中对能量剂量的贡献被计算为以下项的卷积：辐射的分布(402)，以及对由源传递的辐射的辐照度的贡献；以及选择调制频率，在该频率处针对系统参数集合和衬底上的位置的量值满足特定准则。
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公开(公告)号：CN102770811B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180010632.0
申请日：2011-02-18
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/70275 , G03F7/70366 , G03F7/70391 , G03F7/704 , G03F7/70516 , G03F7/70558
摘要： 本发明涉及一种光刻设备，包括：光学装置列，能够在衬底的目标部分上生成图案。光学装置列可以设置有配置成发射束的自发射式对比度装置以及配置成将束投影到目标部分上的投影系统。所述设备可以设置有致动器，所述致动器用于相对于所述衬底移动光学装置列或其一部分。设置光学传感器装置，所述光学传感器装置相对于光学装置列是可移动的且具有能够使得所述光学传感器装置(936)移动通过光学装置列中的每个光学装置列的投影区域(940)的移动范围以测量光学装置列中的每个光学装置列的束。
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公开(公告)号：CN101727018B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200910179441.1
申请日：2009-10-13
申请人： 新思科技有限公司
发明人： L·S·梅尔文三世
CPC分类号： G03B27/42 , G03F7/70008 , G03F7/70425 , G03F7/70558
摘要： 本发明的一个实施方式提供一种用于在远紫外光刻(EUVL)系统中协助将同步加速器用作源的方法和装置，其中同步加速器的能量随着时间减少。EUVL系统可以包括步进器，其使用步进重复方式或步进扫描方式来将图案从标线片转移到晶片上。要求晶片以基本恒定的剂量曝光。在操作期间，系统可以测量同步加速器电流，并基于同步加速器电流来调整步进器的曝光持续时间或步进器的扫描速度，使得晶片以基本上恒定的剂量曝光。注意，使用同步加速器电流来控制步进器可以使得EUVL系统能够使晶片以基本上恒定的剂量曝光，而无需使用用来监控源的能量的附加设备。
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