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公开(公告)号：CN106785916A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710108949.7
申请日：2017-02-27
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
CPC分类号： H01S5/32391 , H01S5/34353
摘要： 本发明涉及电吸收调制激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器及其制造方法。其中所述激光器部分的衬底上刻制有光栅结构，所述光栅结构的两侧制作有选择生长图形，所述选择生长图形上和电吸收调制器部分中对应延伸自所述生长图形区域外延生长有多量子阱有源区；其中，所述多量子阱有源区呈台面结构；所述激光器部分和电吸收调制器部分还包括掺铁InP层、n型InP层、P型InP包层和P型掺杂InP欧姆接触层；所述n型InP层和P型InP包层各自分别位于所述台面结构的两侧。本发明实施例不仅通过所述掺铁InP层实现了光场限制，改善芯片的远场发散角特性；而且，掺铁掩埋还能有效提高调制器高速频响特性。
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公开(公告)号：CN1261985A
公开(公告)日：2000-08-02
申请号：CN98806913.X
申请日：1998-07-03
申请人： 艾利森电话股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L29/15 , H01L29/201 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/32391
摘要： 在BH－类型的半导体激光器中,包括由n－p－n－p或者n－SI－n－p序列膜层(5,9,11,3)构成的侧面电流阻挡结构,位于掩埋有源区的两侧。在第二n型掺杂膜层和第二p型掺杂膜层之间加入一个或多个薄膜层(13,15)。薄附加膜层(13,15)是p型掺杂的,并由高带隙和低带隙材料交替构成。这些薄膜层在中等至大电流强度下提供较大的正向电压降,从而很好地限制激光器中的电流,因而产生较高光输出功率,而且输出功率/电流特性偏离线性度的程度较小。
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公开(公告)号：CN106340806A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610996866.1
申请日：2016-11-14
申请人： 北京青辰光电科技有限公司
发明人： 酉艳宁
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/32325 , H01S5/32391
摘要： 本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤：(1)采用MOCVD外延在N-GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p-InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。
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公开(公告)号：CN101527429A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126691.9
申请日：2009-03-05
申请人： 三菱电机株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/1203 , H01S5/32391 , H01S5/3403
摘要： 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。
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公开(公告)号：CN101527429B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910126691.9
申请日：2009-03-05
申请人： 三菱电机株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/1203 , H01S5/32391 , H01S5/3403
摘要： 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。
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公开(公告)号：CN1239342A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99108378.4
申请日：1999-06-11
申请人： 朗迅科技公司
发明人： 乌特帕尔·库马尔·沙克拉巴蒂 , 罗伯特·阿兰·哈姆 , 约瑟夫·布莱恩·希勒 , 格莱伯·E·史坦格尔 , 劳伦斯·埃德温·斯密斯
IPC分类号： H01S3/18
CPC分类号： H01S5/0265 , H01L33/343 , H01S5/0421 , H01S5/227 , H01S5/3054 , H01S5/32391
摘要： 本发明涉及一种光学器件及其制造方法，其中减轻了包层(15)和波导区(14)中的Zn迁移带来的问题。接触区(16)包含碳，碳用作三元半导体材料中的p型掺杂剂。
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