公开(公告)号：CN103959580B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201280051908.4

申请日：2012-06-22

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

发明人： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  上野昌纪 ,  梁岛克典 ,  田才邦彦 ,  中岛博 ,  风田川统之

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。

公开(公告)号：CN104247177A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201280067209.9

申请日：2012-11-28

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： C·G·卡诺 ,  谢峰 ,  C-E·扎

IPC分类号： H01S5/34

CPC分类号： H01S5/3402 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3407

摘要： 包括了一种量子级联激光器结构的实施例。一些实施例包括多个量子阱和多个势垒，至少其中一部分定义了活性区域。在一些实施例中，当电子从该活性区域内的高激光能态跃迁到该活性区域内的低激光能态时，该活性区域内发射出光子。此外，多个量子阱中的最后一个量子阱能定义该活性区域，其中该最后一个量子阱在该活性区域中一邻近量子阱下方延伸。类似地，该最后一个量子阱可包括比该活性区域内的该邻近量子阱的厚度较小的厚度。

公开(公告)号：CN101939881A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104444.7

申请日：2009-10-14

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 左文字克哉 ,  川口真生 ,  春日井秀纪

IPC分类号： H01S5/16 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34333

摘要： 本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。

公开(公告)号：CN1257585C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN02161130.0

申请日：2002-12-18

申请人： 夏普公司

发明人： 蛭川秀一

IPC分类号： H01S5/343 ,  G11B7/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373 ,  H01S5/34386

摘要： 在于650℃的生长温度下，层叠多重应变量子阱有源层105的GaAsP构成垒层后，立即层叠AlGaAs构成的第二上导向层126。在温度保持在适合P基层生长的生长温度下，即650℃下生长该第二上导向层126。通过减少来自垒层的P解吸，使垒层与第二上导向层126之间的界面粗糙度减小到20或小于20。然后层叠第一上导向层106。该第一上导向层106的生长温度在开始时是650℃，该生长温度随着生长而升高，直到生长结束时温度达到750℃为止。

公开(公告)号：CN1656658A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811872.6

申请日：2003-05-19

申请人： 帝国学院创新有限公司

发明人： T·S·琼斯 ,  P·霍维 ,  R·默里 ,  E·勒鲁

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC分类号： B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L29/127 ,  H01L33/06 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34306 ,  Y10S438/962

摘要： 借助于形成被具有延伸通过其中的应变区域的间隔层覆盖的第一层量子点，提供了一种形成组合有半导体量子点的光电子器件有源区的方法，此量子点在大致293K的温度下，在超过1350nm的波长处发生基态发射。间隔层然后形成为模板，其上可以形成具有受到下方第一层量子点影响的表面密度和构造的有源层的量子点。这使得能够选择更有利于形成长波长下以窄的不均匀加宽发射的有源层中的量子点的生长参数。作为一个例子，可以在比形成第一层量子点更低的温度下形成量子点的有源层。有源层的量子点然后承受与周围间隔层和帽层更少的相互混合，还能够保留更多的应变弛豫态，这导致具有更窄的不均匀加宽的长波长发射。此方法特别适合于GaAs衬底上的光电子器件的有源层的生长。

公开(公告)号：CN1188568A

公开(公告)日：1998-07-22

申请号：CN96194963.5

申请日：1996-05-03

申请人： 艾利森电话股份有限公司

发明人： P·格雷恩斯特兰德

IPC分类号： H01S3/19

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/5009

摘要： 激光放大器,包含该激光放大器的光学系统和为了在大的波长范围内获得与偏振无关的放大而构造该激光放大器的方法。光放大器包括一个形成在半导体衬底(6)上的有源区。有源层是通过交替地生长量子阱层(13、14、15、16)和势垒层(12)而形成的。阱层包括具有张应变的第一类型阱层(14、15、16),包括或不包括具有压应变的第二类型阱层(13)。一种类型的阱层中至少有一层(16)被生长成具有与同型的其它阱层(14、15)不同的阱宽和/或不同的材料组分。

公开(公告)号：CN1081027A

公开(公告)日：1994-01-19

申请号：CN93105939.9

申请日：1993-05-21

申请人： 明尼苏达州采矿制造公司

发明人： 程华 ,  詹姆斯·M·德普伊特 ,  迈克尔·A·哈泽 ,  邱军

IPC分类号： H01S3/19 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/347 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0087 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01L2924/00

摘要： 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重叠的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。

公开(公告)号：CN1066936A

公开(公告)日：1992-12-09

申请号：CN92103575.6

申请日：1992-05-15

申请人： 明尼苏达州采矿制造公司

发明人： 迈克尔A·海斯 ,  郑骅 ,  詹姆斯M·迪鲁特 ,  邱钧

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01L33/40 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/145 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3068 ,  H01S5/327 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/347 ,  H01L2924/00

摘要： 一种II—VI化合物半导体激光二极管10，是通过叠加多层材料而形成的，材料包括N型单晶半导体衬底12，相邻的N型和P型II—VI半导体引导层14和16形成PN结，引导层14和16之间II—VI半导体量子阱激活层18，与N型引导层14相反的相对于衬底12的第一电极32，与量子阱层18相反的相对于P型引导层16的第二电极30。

公开(公告)号：CN101527429B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910126691.9

申请日：2009-03-05

申请人： 三菱电机株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 笹畑圭史 ,  松本启资 ,  青柳利隆 ,  近藤正彦 ,  森藤正人 ,  百濑英毅

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/12 ,  H01S5/026 ,  G02B6/122

CPC分类号： H01S5/12 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/32391 ,  H01S5/3403

摘要： 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。

公开(公告)号：CN1293685C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200410059538.6

申请日：2004-03-26

申请人： 夏普株式会社

发明人： 蛭川秀一 ,  河西秀典 ,  山本圭

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  G11B7/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/00

摘要： 在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n-型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n-型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p-型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。