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公开(公告)号：CN115313000A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210600464.0
申请日：2022-05-30
申请人： 重庆幂天通讯设备制造有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种半模SSPPs基片集成波导滤波器及卫星通信集成电路。半模SSPPs基片集成波导滤波器包括：介质基板及金属贴片；所述金属贴片包括矩形区和连接在所述矩形区两侧的带状区；所述矩形区的下边开设有若干槽单元，所述若干槽单元沿半模长度方向的边缘周期性排列作为人工表面等离激元传输器；其中，每一所述槽单元具有蜿蜒形槽。本发明是通过周期性排列的蜿蜒形槽构成蜿蜒形SSPPs结构，为SSPPs高次模的有效约束和传播提供了新的解决方案。同时，将该结构嵌入到基片集成波导中，组成带通滤波响应，与传统SSPPs基片集成波导结构相比，可实现了更大的高频截至频率调节范围，与基础模式相比，带宽更宽。
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公开(公告)号：CN115265769A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210519718.6
申请日：2022-05-13
申请人： 中国科学院紫金山天文台
摘要： 本发明提出了一种基于微波谐振电路读出的太赫兹石墨烯约瑟夫森结探测系统，包括石墨烯约瑟夫森结探测器、微波谐振读出电路、微波网络分析仪等。石墨烯约瑟夫森结探测器与微波谐振读出电路共同组成微波谐振电路。太赫兹信号引起石墨烯约瑟夫森结探测器等效微波电感改变，进而引起微波谐振电路谐振频率和品质因子发生变化。本发明采用微波网络分析仪监测微波谐振电路谐振频率和品质因子变化，进而实现太赫兹信号高灵敏度探测。相比于传统直流偏置读出，微波谐振电路读出不受外界磁场干扰，抗干扰能力强。另外，石墨烯约瑟夫森结探测器与微波谐振读出电路可单片集成，更易实现大规模太赫兹石墨烯约瑟夫森结阵列探测器。
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公开(公告)号：CN114730792A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080077978.1
申请日：2020-11-10
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/18
摘要： 通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的第一表面的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区。感测区和超导体层的器件的部分被暴露。通过将半导体层的第一表面与第一金属层耦合来形成感测区触点(202)。使用所述器件区的感测区外的部分内的第一金属来形成纳米柱触点(206，212)。通过在感测区内的半导体层的第二表面上沉积第二金属层来形成隧道结栅极(204)。
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公开(公告)号：CN114503431A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080068546.4
申请日：2020-08-03
申请人： 谷歌有限责任公司
摘要： 公开了一种参量行波放大器(200)，其中放大器包括：共面波导，其中共面波导包括中断共面波导的中心迹线(204)的至少一个约瑟夫森结(210)；以及联接到共面波导的至少一个并联电容器，其中所述至少一个并联电容器中的每个并联电容器包括在共面波导的中心迹线的上表面上方延伸的对应超导体迹线(214)，并且其中间隙将超导体迹线与中心迹线的上表面分开，并且其中包括所述至少一个约瑟夫森结的共面波导和并联电容器为行波参量放大器建立预定义的总阻抗。
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公开(公告)号：CN114496915A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210107776.8
申请日：2022-01-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/18 , H01L23/522
摘要： 本发明提供一种应用于超导集成电路的堆栈式电连接结构及其制备方法，通过对光刻胶层进行图形化形成光刻窗口，并基于该光刻窗口形成超导连接层，然后在该超导连接层上形成上层超导金属层，实现上下两层超导金属层通过超导连接层的电性连通。由于光刻胶层是通过曝光显影形成光刻窗口，光刻窗口的形状非常规则，所以形成的超导连接层形状非常规则，同时上层超导金属层形成于该规则的超导连接层上，如此实现预设层数超导金属层的互连，得到的电连接结构具有方块电感特点，电感值小且易控制；另外，电连接通路图形规整完好，大幅提升孔洞的导通承载电流，且电流路径没有弯折，电流分布均匀；最后，光刻窗口工艺密度大，可以有效降低电连接结构体积。
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公开(公告)号：CN114270548A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080057494.0
申请日：2020-06-09
申请人： 微软技术许可有限责任公司
摘要： 描述了与处理量子计算器件以增加沟道迁移率有关的方法。示例方法包括在晶片的表面上形成超导金属层。方法还包括选择性去除超导金属层的一部分，以允许后续形成与器件相关联的栅极电介质，其中选择性去除引起与量子计算器件相关联的沟道迁移率的减小。方法还包括：在形成栅极电介质之前，使晶片经受等离子体处理，其中与等离子体处理相关联的参数集被选择以增加沟道迁移率。
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公开(公告)号：CN113748435A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080029970.8
申请日：2020-03-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G06N10/00 , H01L27/18 , H01L39/12 , H03K19/195
摘要： 可调谐量子位装置包括可调谐量子位，该可调谐量子位包括超导量子干扰装置(SQUID)环路。该可调谐量子位装置进一步包括感应地耦联到该SQUID环路上的超导环路、以及感应地耦联到该超导环路上的通量偏置线。该超导环路包括超导材料，该超导材料具有的临界温度低于该可调谐量子位的任何超导材料的临界温度的温度。在运行中，该超导环路向该可调谐量子位提供持续偏置。
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公开(公告)号：CN113257989A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011187173.0
申请日：2020-10-29
申请人： 阿里巴巴集团控股有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种约瑟夫森结的制备方法、装置、设备以及超导器件。方法包括:获取至少一个第一图案结构和多个第二图案结构；基于第一蒸发方向在至少一个第一图案结构和多个第二图案结构上蒸发预设材料，生成第一电极层；在第一电极层上形成绝缘层，绝缘层由与预设材料相对应的化合物构成；基于第二蒸发方向在至少一个第一图案结构和多个第二图案结构上蒸发预设材料，生成第二电极层；第一蒸发方向和第二蒸发方向与第一图案结构的边缘和第二图案结构的边缘相平行；分别通过在第一图案结构和第二图案结构中的第一电极层、绝缘层和第二电极层获得第一类约瑟夫森结和第二类约瑟夫森结，第一类约瑟夫森结与第二类约瑟夫森结的结区面积不同。
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公开(公告)号：CN107636699B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201680031421.8
申请日：2016-06-08
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 一种技术涉及一种用于量子计算设备的组件。量子总线平面(100)包括第一组凹槽(201)。读出平面(102)包括第二组凹槽(301)。块(502)被定位为保持读出平面(102)与量子总线平面(100)相对，使得第一组凹槽(201)与第二组凹槽(301)相对。包括多个量子位芯片(101)，其中每个具有被定位在第一组凹槽中的第一端部并且具有被定位在第二组凹槽中的第二端部。
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公开(公告)号：CN112582529A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011414050.6
申请日：2020-12-04
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L39/02 , H01L39/24 , H01L27/18 , G06N10/00 , G03F7/20 , G03F7/16 , C23C14/58 , C23C14/35 , C23C14/30 , C23C14/18 , B82Y40/00 , B82Y10/00
摘要： 本发明提供了一种铌基平面多超导量子比特，所述铌基平面多超导量子比特包括衬底以及设置于衬底上的金属铌薄膜，所述金属铌薄膜表面刻蚀有超导电路且制备有一个或多个约瑟夫森结。还提供了其制备方法和应用。本发明成功得到铌基底为基底的平面多超导量子比特，解决了铝基底制备超导量子比特工艺所存在的问题。经中国科学院物理研究所测试，应用该工艺所得到的多量子比特性能达到世界相应水平。本发明可进一步应用于超导量子计算对科学问题的计算与仿真以及超导量子比特的3维加工工艺中。
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